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东莞市纽航电子有限公司成立于2012年10月,是一家专注于二极管和桥式整流器芯片及封装研发、生 产、销售为一体的半导体高新技术企业。工厂座落于安徽省池州市,产品的应用技术研发和销售中心位于 广东省东莞市,公司现有总资产2.5亿元,共占地60亩,总建筑面积24000平方米,员工350人。公司投入大 量资金和技术人员专注于芯片新技术、封装自动化的研究和开发,技术力量雄厚。应业务发展需要,工厂 于2015年6月将芯片工厂、封装工厂、电镀工厂进行了整合重建,建成了从芯片生产到成品输出一条龙服 务的多条全自动化生产线。 公司以芯片设计和制造技术为支撑,构建了从产品研发、硅片切磨、芯片制造、封装测试到销售服务 的完整产业链。主要产品包括所有系列二极管芯片、普通(STD)整流管、快恢复(FR)二极管、高效(HER) 二极管、超快(SF)二极管、肖特基(SKY)二极管、稳压(ZD)二极管、瞬态电压抑制(TVS)二极管、贴片 式(SMD)桥式整流器、插件(DIP)桥式整流器、小信号系列二极管以及TO/ITO系列大功率二极管等。产品 质量达到国际先进水平,荣获多项发明专利和国家科技进步奖。年产二极管系列产品3000KK,桥式整流器 系列产品300KK,TO/ITO系列产品100KK。产品完全符合ROHS、REACH、卤素等国际环保指令要求,广泛应 用于电源适配器、充电器、移动电源、家用电器、数码产品、工业控制等多个领域,销售网络覆盖全球各 地,远销香港、中东及欧美等国家和地区。 公司拥有微电子技术、应用电子技术、智能控制技术、材料工程学技术等学科专业人才50人组成的高 科技研发团队,拥有完善的实验室和高端的检测设备,拥有先进的ISO9001质量管理体系和ISO14001环境 管理体系 。我们不仅关注于半导体和智能控制技术前沿课题的研究,也重视实际工程应用技术问题的解 决,为客户提供安全可靠产品的同时,还提供专业的整体解决方案。 公司自创立以来,始终坚持以打造“NH”品牌二极管、桥式整流器为已任;以“一流的品质,完善 的服务”为价值观;以“成为全国乃至全球杰出二极管、桥式整流器制造商”为愿景。本着“质量第一, 信誉至上”的原则,努力塑造现代化企业新形象,为此纽航电子期待与全球的朋友真诚合作,竭诚欢迎国 内外客户莅临指导。愿与各界朋友携手共进,共创辉煌!为祖国的半导体事业做出应有贡献。
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591
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • MB24F
  • 品牌: NH(纽航)
  • 封装: MBF
  • 描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):0.55V@2A 正向浪涌电流(Ifsm):50A
  • 正向压降(Vf): 550mV@2A
  • 直流反向耐压(Vr): 40V
  • 整流电流: 2A
  • 正向浪涌电流(Ifsm): 50A
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
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    • 1N4002
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 轴式引线封装使散热好,GPP芯片工艺使高温漏电小,可靠性高。应用:AC-DC变换低压整流电路。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 1A
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    • 正向压降(Vf): 950mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 1A
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    • 1N4007
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 轴式引线封装使散热好,GPP芯片工艺使高温漏电小,可靠性高。应用:AC-DC变换高压整流电路。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 1A
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    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 整流电流: 1A
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    • BZT52B5V6
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 稳压值(标称值):5.6V 稳压值(范围):5.49~5.71V 精度:±2% 功率:500mW
    • 稳压值(标称值): 5.6V
    • 稳压值(范围): 5.49V~5.71V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • BZT52B36S
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 稳压值(标称值):36V 稳压值(范围):35.28~36.72V 精度:±2% 功率:500mW
    • 稳压值(标称值): 36V
    • 稳压值(范围): 35.28V~36.72V
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 20A
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    • NSS085N100S
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: TO-252
    • 描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 3V
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    • 近期成交40单
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    • 品牌:  NH(纽航)
      封装:  TO-252
      描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。
        • 距结束剩
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    • 正向压降(Vf): 1.25V@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 400V
    • 整流电流: 5A
    • 反向恢复时间(Trr): 35ns
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    • YBS8010
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: TMBF
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 正向浪涌电流(Ifsm):160A
    • 正向压降(Vf): 1.1V@4A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 8A
    • 正向浪涌电流(Ifsm): 160A
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    • 近期成交24单
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    • 正向压降(Vf): 3.5V@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 5A
    • 反向恢复时间(Trr): 35ns
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    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 整流电流: 3A
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    • 近期成交89单
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    • 正向压降(Vf): 1.3V@2A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 反向恢复时间(Trr): 500ns
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    • 广东仓: 1550
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    • 近期成交7单
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    • M7(SMA)
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-214AC(SMA)
    • 描述: 贴片封装使制造成本低,体积小使功率密度大。应用:AC-DC变换高压整流、VCC整流或者吸收电路。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 1A
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    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 20A
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    • 广东仓: 9980
      江苏仓: 4885
    • 圆盘
    • 圆盘
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    • 近期成交9单
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    • NTS074N03P3H
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: PDFN3x3
    • 描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:PD V-BUS。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6.2mΩ@10V,8A
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    • NSS060N04P5
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: PDFN-8(5x6)
    • 描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 38A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.4mΩ@10V,20A
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    • 正向压降(Vf): 1.1V@17.5A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
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    • 品牌:  NH(纽航)
      封装:  GBU
      描述: GBU3510,GBU,切脚,L3.0±0.2mm(凸台以下)
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    • 正向压降(Vf): 950mV@10A
    • 直流反向耐压(Vr): 300V
    • 整流电流: 20A
    • 反向恢复时间(Trr): 35ns
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    • NSS085N100P5
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: PDFN5x6
    • 描述: 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:PD 次级侧同步整流。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 1.3V
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    • RSBL8010
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SBL
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V@4A 反向恢复时间:500ns 正向浪涌电流(Ifsm):220A
    • 正向压降(Vf): 1.1V@4A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 8A
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    • S8050-H
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):0.5A 功率(Pd):225mW 直流电流增益(Hfe):40~350
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 正向压降(Vf): 960mV@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 10A
    • 反向电流(Ir): 5uA
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    • MBR15L60AT
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: TO-220C
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):550mV@15A 反向漏电流(Ir):40uA,正向浪涌电流(IFSM):280A
    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 整流电流: 15A
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    • 正向压降(Vf): 490mV@10A
    • 直流反向耐压(Vr): 45V
    • 整流电流: 10A
    • 反向电流(Ir): 70uA
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