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东莞市纽航电子有限公司成立于2012年10月,是一家专注于二极管和桥式整流器芯片及封装研发、生 产、销售为一体的半导体高新技术企业。工厂座落于安徽省池州市,产品的应用技术研发和销售中心位于 广东省东莞市,公司现有总资产2.5亿元,共占地60亩,总建筑面积24000平方米,员工350人。公司投入大 量资金和技术人员专注于芯片新技术、封装自动化的研究和开发,技术力量雄厚。应业务发展需要,工厂 于2015年6月将芯片工厂、封装工厂、电镀工厂进行了整合重建,建成了从芯片生产到成品输出一条龙服 务的多条全自动化生产线。 公司以芯片设计和制造技术为支撑,构建了从产品研发、硅片切磨、芯片制造、封装测试到销售服务 的完整产业链。主要产品包括所有系列二极管芯片、普通(STD)整流管、快恢复(FR)二极管、高效(HER) 二极管、超快(SF)二极管、肖特基(SKY)二极管、稳压(ZD)二极管、瞬态电压抑制(TVS)二极管、贴片 式(SMD)桥式整流器、插件(DIP)桥式整流器、小信号系列二极管以及TO/ITO系列大功率二极管等。产品 质量达到国际先进水平,荣获多项发明专利和国家科技进步奖。年产二极管系列产品3000KK,桥式整流器 系列产品300KK,TO/ITO系列产品100KK。产品完全符合ROHS、REACH、卤素等国际环保指令要求,广泛应 用于电源适配器、充电器、移动电源、家用电器、数码产品、工业控制等多个领域,销售网络覆盖全球各 地,远销香港、中东及欧美等国家和地区。 公司拥有微电子技术、应用电子技术、智能控制技术、材料工程学技术等学科专业人才50人组成的高 科技研发团队,拥有完善的实验室和高端的检测设备,拥有先进的ISO9001质量管理体系和ISO14001环境 管理体系 。我们不仅关注于半导体和智能控制技术前沿课题的研究,也重视实际工程应用技术问题的解 决,为客户提供安全可靠产品的同时,还提供专业的整体解决方案。 公司自创立以来,始终坚持以打造“NH”品牌二极管、桥式整流器为已任;以“一流的品质,完善 的服务”为价值观;以“成为全国乃至全球杰出二极管、桥式整流器制造商”为愿景。本着“质量第一, 信誉至上”的原则,努力塑造现代化企业新形象,为此纽航电子期待与全球的朋友真诚合作,竭诚欢迎国 内外客户莅临指导。愿与各界朋友携手共进,共创辉煌!为祖国的半导体事业做出应有贡献。
综合排序 价格 库存 销量
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545
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • SK14
  • 品牌: NH(纽航)
  • 封装: SMA
  • 描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV@1A 反向漏电流(Ir):50uA,正向浪涌电流(IFSM):40A
  • 直流反向耐压(Vr): 40V
  • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 1N4002
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A,正向浪涌电流(IFSM):30A
    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
    • 最大钳位电压: 17V
    • 击穿电压: 5.6V
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    • 正向压降(Vf): 950mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • BZT52C12S
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 稳压值(标称值):12V 稳压值(范围):11.4~12.7V 精度:±5% 功率:500mW
    • 稳压值(标称值): 12V
    • 稳压值(范围): 11.4V~12.7V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 1N4007
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A,正向浪涌电流(IFSM):30A
    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • BZT52B27
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 稳压值(标称值):27V 稳压值(范围):26.46~27.54V 精度:±2% 功率:500mW
    • 稳压值(标称值): 27V
    • 稳压值(范围): 26.46V~27.54V
    • 功率(Pd): 500mW
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    • MBR3045DFCT
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: TO-220F
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):30A 正向压降(Vf):640mV@15A 反向漏电流(Ir):30uA,正向浪涌电流(IFSM):200A
    • 直流反向耐压(Vr): 45V
    • 平均整流电流(Io): 30A
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    • M7(SMA)
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-214AC(SMA)
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A,正向浪涌电流(IFSM):30A
    • 正向压降(Vf): 1.1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 平均整流电流(Io): 3A
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    • 1N4001
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A,正向浪涌电流(IFSM):30A
    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 50V
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 广东仓: 2050
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    • 1N5397
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-41
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1V@1.5A,正向浪涌电流(IFSM):50A
    • 正向压降(Vf): 1V@1.5A
    • 直流反向耐压(Vr): 600V
    • 平均整流电流(Io): 1.5A
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      ¥0.096019
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    • 广东仓: 5000
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    • 正向压降(Vf): 1V@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 平均整流电流(Io): 150mA
    • 反向恢复时间(trr): 4ns
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    • 6000+: 

      ¥0.028346
    • 24000+: 

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    • 45000+: 

      ¥0.023951
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    • 广东仓: 4650
      江苏仓: 1300
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,50A
    • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA
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    • 500+: 

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    • 1000+: 

      ¥1.75
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,2A
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  • SMT扩展库
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    • 500+: 

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    • 广东仓: 430
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    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 10A
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    • 正向压降(Vf): 1.7V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 600V
    • 平均整流电流(Io): 1A
    • 反向恢复时间(trr): 35ns
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    • 5000个/圆盘
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    • 直流反向耐压(Vr): 60V
    • 平均整流电流(Io): 5A
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      ¥0.338352
    • 100+: 

      ¥0.271152
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      ¥0.182112
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    • 5000个/圆盘
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    • 正向压降(Vf): 1.7V@2A
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    • BZT52B8V2
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 稳压值(标称值):8.2V 稳压值(范围):8.04~8.36V 精度:±2% 功率:500mW
    • 稳压值(标称值): 8.2V
    • 稳压值(范围): 8.04V~8.36V
    • 功率(Pd): 500mW
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    • 极性: 单向
    • 反向截止电压(Vrwm): 6.5V
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    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 17.8A
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    • DTC114YCA
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):-50V 集电极电流(Ic):-0.1A 功率(Pd):200mW R2/R1=10
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 反向截止电压(Vrwm): 214V
    • 最大钳位电压: 344V
    • 击穿电压: 237V
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    • 正向压降(Vf): 1.7V@2A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
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    • RL257
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: DO-15
    • 描述: 直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V@2A,正向浪涌电流(IFSM):50A
    • 正向压降(Vf): 1V@2.5A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 2.5A
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    • 正向压降(Vf): 1.7V@4A
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    • S8050-H
    • 品牌: NH(纽航)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):0.5A 功率(Pd):225mW 直流电流增益(Hfe):40~350
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
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