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南京扬贺扬微电子科技有限公司成立于2016年5月5日,是一家国内领先的IC设计公司,并已通过ISO9001质量管理体系认证。公司主要致力于各型闪存控制芯片的设计研发及提供各类快闪型存储器(NAND Flash)产品的应用解决方案。 公司总部位于中国南京市浦口经济开发区,同时在中国上海,深圳,中国台湾韩国首尔设有销售及研发中心为我们的客户提供优质便捷的本地化服务。
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  • HYF1GQ4UDACAE
  • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
  • 封装: WSON-8-EP(6x8)
  • 描述: 该器件是一款1Gb SPI NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口,具有硬件写保护功能,支持ECC 4位/512B,内部数据移动页面带有ECC,不良块映射管理无需手动处理,低功耗设计,最大功耗30mA,SPI最大时钟频率80MHz,工作电压范围2.7V至3.6V。
  • 存储容量: 1Gbit
  • 时钟频率(fc): 80MHz
  • 工作电压: 2.7V~3.6V
  • 页写入时间(Tpp): 800us
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    • HYF2GQ4UTACAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA8
    • 描述: 该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页,每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供2Gb的存储容量,适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。
    • 存储容量: 2Gbit
    • 时钟频率(fc): 104MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
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    • HYF1GQ4UTECAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA-64(5x6)
    • 描述: 南京扬贺扬生产的1Gb SPI NAND Flash,支持标准双模式和四模式SPI,具有块擦除、页编程等功能。工作电压为3.3V,支持-40°C至105°C的工作温度范围。
    • 存储容量: 1Gbit
    • 时钟频率(fc): 104MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
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    • 存储容量: 1Gbit
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • HYF1GQ4UTACAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA8
    • 描述: 1Gbit SPI NAND Flash提供了一种低成本和低引脚数的解决方案,适用于嵌入系统的高密度非易失性存储器。该器件基于标准并行NAND Flash,支持标准双模式和四模式SPI接口。每个块包含64个可编程页面,每个页面由2048字节的数据存储区和64字节的备用区组成。
    • 存储容量: 1Gbit
    • 时钟频率(fc): 104MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
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    • HYF2GQ4UTECAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA-8(5x6)
    • 描述: 南京扬贺扬的2Gb SPI NAND Flash提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,适用于嵌入式系统中的高密度非易失性存储。支持标准SPI、双SPI和四SPI模式。
    • 时钟频率(fc): 104MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
    • 块擦除时间(tBE): 4ms
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    • HYN2G08UKTCC1
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: TSOP48
    • 描述: HYN2G08UKTCC1是一款2Gb的NAND Flash存储器,支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0。其主要特性包括3.3V供电,8位I/O接口,每页大小为2048字节加128字节的备用区。该存储器支持硬件编程/擦除保护、唯一ID号以及一次性可编程(OTP)区域。
    • 存储容量: 2Gbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
    • 块擦除时间(tBE): 4ms
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR3L
    • 工作电压: 1.283V~1.45V
    • 工作电流: 75mA
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR3L
    • 工作电压: 1.283V~1.45V
    • 工作电流: 75mA
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    • 存储器构架(格式): SDRAM DDR3
    • 工作电压: 1.425V~1.575V
    • 工作电流: 75mA
    • 工作温度: 0℃~+85℃
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    • HYF4GQ4UTACAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA8
    • 描述: 该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页,每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供4Gb的存储容量,适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。
    • 时钟频率(fc): 104MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
    • 块擦除时间(tBE): 4ms
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    • HYF4GQ4UAACBE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: WSON-8-EP(6x8)
    • 描述: 4Gb SPI NAND Flash是一种基于标准并行NAND Flash的低引脚数解决方案,适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双线和四线SPI,具有硬件写保护、ECC纠错等功能。
    • 存储容量: 4Gbit
    • 时钟频率(fc): 80MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 600us
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    • 工作电压: 1.35V~1.45V
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    • 接口类型: eMMC 5.1
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作温度: -25℃~+85℃
    • 顺序读/写: 160/50 MB/s
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    • 10+: 

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    • 广东仓: 20
      江苏仓: 0
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    • HYN4G08UHTCC1
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: TSOP-48
    • 描述: HYN4G08UHTCC1是一款4Gb SLC NAND Flash,采用TSOP封装,支持ONFI 1.0标准,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至85°C。
    • 存储容量: 4Gbit
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 350us
    • 块擦除时间(tBE): 4ms
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    • 30+: 

      ¥40.8
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    • 广东仓: 0
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    • HYF2GQ4UAACAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: WSON-8-EP(6x8)
    • 描述: 南京扬贺扬的SPI 2Gb NAND Flash提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双通道和四通道SPI,软件/硬件写保护,ECC纠错,内部数据移动,坏块管理等功能。
    • 存储容量: 2Gbit
    • 时钟频率(fc): 80MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 页写入时间(Tpp): 600us
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    • 接口类型: eMMC 5.1
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 工作温度: -25℃~+85℃
    • 顺序读/写: 250/115 MB/s
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      ¥31.46
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    • HYF8GQ4UAACAE
    • 品牌: HeYangTek(南京扬贺扬)
    • 封装: LGA8
    • 描述: SPI NAND Flash 提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,用于替代高密度非易失性存储系统中的 SPI-NOR。该设备基于标准并行 NAND Flash,支持标准 SPI 接口,具有双模式和四模式 SPI 功能。
    • 存储容量: 8Gbit
    • 时钟频率(fc): 108MHz
    • 工作电压: 2.7V~3.6V
    • 块擦除时间(tBE): 4ms
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