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HeYangTek(扬贺扬)

HeYangTek(扬贺扬)

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南京扬贺扬微电子科技有限公司成立于2016年5月5日,是一家国内领先的IC设计公司,已通过ISO9001质量管理体系认证。公司主要生产闪存控制芯片和快闪型存储器(NAND Flash)产品。

  • 类目
    • NAND FLASH
    • DDR SDRAM
    • eMMC
    多选
  • 封装
    • BGA-96
    • LGA-8
    • DFN-8(6x8)
    • TSOPI-48
    • BGA-153
    • BGA-78
    • LGA-64(5x6)
    • LGA-8(5x6)
    多选
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自营结果数22
  • 型号/品牌/封装/类目

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

SPI接口,1Gb容量的NAND闪存
HYF1GQ4UTECAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA-64(5x6)
类目
NAND FLASH
编号
C22392149
存储容量
1Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
104MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述南京扬贺扬生产的1Gb SPI NAND Flash,支持标准双模式和四模式SPI,具有块擦除、页编程等功能。工作电压为3.3V,支持-40°C至105°C的工作温度范围。

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SMT补贴嘉立创库存5
  • 7.31
  • 7.14
  • 7.02
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近期成交1单

SPI NAND 1Gb
HYF1GQ4UDACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
WSON-8-EP(6x8)
类目
NAND FLASH
编号
C7426872
存储容量
1Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
80MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述该器件是一款1Gb SPI NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口,具有硬件写保护功能,支持ECC 4位/512B,内部数据移动页面带有ECC,不良块映射管理无需手动处理,低功耗设计,最大功耗30mA,SPI最大时钟频率80MHz,工作电压范围2.7V至3.6V。

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  • 9.95
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  • 7.4
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近期成交2单

SPI NAND 4Gb
HYF4GQ4UAACBE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
WSON-8-EP(6x8)
类目
NAND FLASH
编号
C7426877
存储容量
4Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
80MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述4Gb SPI NAND Flash是一种基于标准并行NAND Flash的低引脚数解决方案,适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双线和四线SPI,具有硬件写保护、ECC纠错等功能。

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  • 26.78
  • 22.9
  • 20.59
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近期成交2单

SPI 2G NAND闪存
HYF2GQ4UTECAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA-8(5x6)
类目
NAND FLASH
编号
C22392150
存储容量
2Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
104MHz
工作电压
3.3V

描述南京扬贺扬的2Gb SPI NAND Flash提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,适用于嵌入式系统中的高密度非易失性存储。支持标准SPI、双SPI和四SPI模式。

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SMT补贴嘉立创库存45
  • 11.57
  • 11.3
  • 11.12
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近期成交1单

SPI NAND 2Gb
HYF2GQ4UTACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA8
类目
NAND FLASH
编号
C7426874
存储容量
2Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
104MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页,每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供2Gb的存储容量,适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。

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  • 14.17
  • 11.88
  • 10.45
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99

480/托盘

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近期成交3单

PPI NAND 2Gb
HYN2G08UKTCC1
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
TSOP48
类目
NAND FLASH
编号
C7426879
存储容量
2Gbit
工作电压
2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp)
350us
块擦除时间(tBE)
4ms

描述HYN2G08UKTCC1是一款2Gb的NAND Flash存储器,支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0。其主要特性包括3.3V供电,8位I/O接口,每页大小为2048字节加128字节的备用区。该存储器支持硬件编程/擦除保护、唯一ID号以及一次性可编程(OTP)区域。

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  • 18.47
  • 15.79
  • 14.2
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近期成交4单

DDR3L 2Gb 同步动态随机存取存储器
HYD2G16L3AA-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
TFBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272578
存储器构架(格式)
SDRAM DDR3L
工作电压
1.283V~1.45V
工作电流
75mA
工作温度
0℃~+95℃
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  • 18.47
  • 15.79
  • 14.2
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5

10/托盘

总额0

2Gb DDR3L同步动态随机存取存储器
HYD2G16L3AE-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272579
存储器构架(格式)
SDRAM DDR3L
时钟频率(fc)
933MHz
存储容量
2Gbit
工作电压
1.283V~1.45V
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  • 18.47
  • 15.79
  • 14.2
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10/托盘

总额0

SPI NAND 4Gb
HYF4GQ4UTACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA8
类目
NAND FLASH
编号
C7426876
时钟频率(fc)
104MHz
工作电压
2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp)
350us
块擦除时间(tBE)
4ms

描述该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页,每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供4Gb的存储容量,适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。

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  • 26.78
  • 22.9
  • 20.59
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50

360/托盘

总额0

DDR3L 4Gb 同步动态随机存取存储器
HYD4G16L3AA-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272580
存储器构架(格式)
SDRAM DDR3L
时钟频率(fc)
933MHz
存储容量
4Gbit
工作电压
1.35V~1.45V
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  • 29.55
  • 25.27
  • 22.72
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10/托盘

总额0

商用和工业用DDR4 4Gb同步动态随机存取存储器
HYD4G16V4BA-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272581
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  • 31.4
  • 26.84
  • 24.14
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5

10/托盘

总额0

HYE4GUECCE
HYE4GUECCE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-153
类目
eMMC
编号
C19272585
接口类型
eMMC 5.1
工作电压
2.7V~3.6V
工作温度
-25℃~+85℃
顺序读/写
160/50 MB/s
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  • 37.71
  • 32.4
  • 29.17
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18

10/托盘

总额0

近期成交2单

PPI NAND 4Gb
HYN4G08UHTCC1
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
TSOP-48
类目
NAND FLASH
编号
C7426975
存储容量
4Gbit
工作电压
2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp)
350us
块擦除时间(tBE)
4ms

描述HYN4G08UHTCC1是一款4Gb SLC NAND Flash,采用TSOP封装,支持ONFI 1.0标准,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至85°C。

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  • 45.33
  • 40.8
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2

96/托盘

总额0

DDR3同步动态随机存取存储器
HYD1G16L3AE-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272577
存储器构架(格式)
SDRAM DDR3
工作电压
1.425V~1.575V
工作电流
75mA
工作温度
0℃~+85℃
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  • 19.4
  • 16.58
  • 14.91
  • 13.22
  • 12.44
  • 12.09
需订货
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50/托盘

总额0

近期成交2单

PPI NAND 1Gb
HYN1G08UKTCA1
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
TSOP-48
类目
NAND FLASH
编号
C7426974
存储容量
1Gbit
工作温度
-40℃~+85℃
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SMT扩展库

  • 7.31
  • 7.14
  • 7.02
  • 6.91
需订货
广东仓
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96/托盘

总额0

近期成交1单

SPI NAND 2Gb
HYF2GQ4UAACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
WSON-8-EP(6x8)
类目
NAND FLASH
编号
C7426875
存储容量
2Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
80MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述南京扬贺扬的SPI 2Gb NAND Flash提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,适用于高密度非易失性存储系统。支持标准双通道和四通道SPI,软件/硬件写保护,ECC纠错,内部数据移动,坏块管理等功能。

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  • 对比
  • 9.79
  • 8.1
  • 7.17
  • 6.12
  • 5.65
  • 5.44
需订货
广东仓
0

360/托盘

总额0

SPI NAND 1Gb
HYF1GQ4UTACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA8
类目
NAND FLASH
编号
C7426873
存储容量
1Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
104MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述1Gbit SPI NAND Flash提供了一种低成本和低引脚数的解决方案,适用于嵌入系统的高密度非易失性存储器。该器件基于标准并行NAND Flash,支持标准双模式和四模式SPI接口。每个块包含64个可编程页面,每个页面由2048字节的数据存储区和64字节的备用区组成。

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  • 10.02
订货3-5个工作日
库存
9600
增量
1
最小包装
960个

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HYD8G08V4BA-B7A
HYD8G08V4BA-B7A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
TFBGA-78
类目
DDR SDRAM
编号
C19272582
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  • 30.55
  • 26.12
  • 23.48
  • 20.82
  • 19.59
  • 19.04
需订货
广东仓
0

10/托盘

总额0

HYD8G16V4BA-B9A
HYD8G16V4BA-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272583
  • 收藏
  • 对比
  • 33.89
  • 29.12
  • 26.22
  • 23.78
需订货
广东仓
0

10/托盘

总额0

HYD8G16V4DC-B9A
HYD8G16V4DC-B9A
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
类目
DDR SDRAM
编号
C19272584
  • 收藏
  • 对比
  • 35.13
  • 30.03
  • 27
  • 23.94
  • 22.53
  • 21.89
需订货
广东仓
0

10/托盘

总额0

HYE8GUECCE
HYE8GUECCE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-153
类目
eMMC
编号
C19272586
接口类型
eMMC 5.1
工作电压
2.7V~3.6V
工作温度
-25℃~+85℃
顺序读/写
250/115 MB/s
  • 收藏
  • 对比
  • 41.52
  • 35.68
  • 32.12
  • 29.13
需订货
广东仓
0

50/托盘

总额0

近期成交1单

HYF8GQ4UAACAE
品牌
HeYangTek(扬贺扬)
封装
LGA8
类目
NAND FLASH
编号
C7426878
存储容量
8Gbit
接口类型
SPI
时钟频率(fc)
108MHz
工作电压
2.7V~3.6V

描述SPI NAND Flash 提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,用于替代高密度非易失性存储系统中的 SPI-NOR。该设备基于标准并行 NAND Flash,支持标准 SPI 接口,具有双模式和四模式 SPI 功能。

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  • 对比
  • 172.34
  • 68.77
  • 66.47
  • 65.34
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50/圆盘

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