BeRex

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类目
- 场效应管(MOSFET)
- 射频前端芯片
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- RF放大器
- RF功分器/合路器
- 射频开关
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- QFN-16(3x3)
- Micro-4-X
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8TR1211

品牌: BeRex

封装: QFN-16(2x2)

类目: 射频前端芯片

编号: C17330677

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述8TR1211 是一款紧凑、高度集成的射频前端集成电路，适用于蓝牙智能/蓝牙低功耗（BLE）和专有的ISM无线系统，工作在2.4-2.5GHz频段。

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BCP020C-70

品牌: BeRex

封装: Micro-4-X

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056113

漏源电压(Vdss): 12V

耗散功率(Pd): 295mW

阈值电压(Vgs(th)): 1.1V@200uA

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BCL015-70

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056110

连续漏极电流(Id): 85mA

耗散功率(Pd): 200mW

阈值电压(Vgs(th)): 500mV@0.015mA

类型: N沟道

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1+￥136.47
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BCP030C-70

品牌: BeRex

封装: Micro-4-X

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056115

耗散功率(Pd): 420mW

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1+￥136.47
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BCP020C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056112

连续漏极电流(Id): 80mA

耗散功率(Pd): 1W

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1+￥152.72
200+￥60.94
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1000+￥57.9

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BCP030C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056114

漏源电压(Vdss): 12V

耗散功率(Pd): 1.3W

阈值电压(Vgs(th)): 1.2V@0.3mA

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1+￥163.38
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BCP040C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056116

耗散功率(Pd): 1.2W

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1+￥176.13
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1000+￥66.77

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BCP060C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056117

漏源电压(Vdss): 12V

连续漏极电流(Id): 250mA

耗散功率(Pd): 2.1W

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1+￥193.08
200+￥77.04
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BCL016B

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056111

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1+￥201.82
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BCL015

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056109

耗散功率(Pd): 200mW

阈值电压(Vgs(th)): 250mV@15uA

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1+￥225.06
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BCP080C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056118

漏源电压(Vdss): 12V

连续漏极电流(Id): 325mA

耗散功率(Pd): 2.6W

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1+￥257.03
200+￥102.56
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BCF060T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056102

耗散功率(Pd): 1.9W

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1+￥357.83
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BCP120C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056119

耗散功率(Pd): 4.1W

阈值电压(Vgs(th)): 1.2V@1.2mA

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BCF020T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056099

连续漏极电流(Id): 80mA

耗散功率(Pd): 800mW

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1+￥447.14
200+￥178.41
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BCF030T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056100

漏源电压(Vdss): 12V

连续漏极电流(Id): 120mA

耗散功率(Pd): 1.2W

阈值电压(Vgs(th)): 2V@300uA

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1+￥452.2
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BCP160C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056120

耗散功率(Pd): 5W

阈值电压(Vgs(th)): 2.5V@1600uA

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1+￥456.22
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BCF040T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056101

耗散功率(Pd): 1.4W

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1+￥463.04
200+￥184.76
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BCF080T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056103

连续漏极电流(Id): 320mA

耗散功率(Pd): 1.9W

阈值电压(Vgs(th)): 2V@800uA

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1+￥703.99
200+￥280.9
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BCF120T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056104

漏源电压(Vdss): 12V

耗散功率(Pd): 3.3W

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1+￥924.85
200+￥369.02
500+￥356.69
1000+￥350.6

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BCF240T

品牌: BeRex

封装: -

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20056105

耗散功率(Pd): 5.4W

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对比

1+￥1220.31
200+￥486.92
500+￥470.64
1000+￥462.61

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预售商品

8TR2211

品牌: BeRex

封装: -

类目: 射频前端芯片

编号: C17610454

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+105℃

描述8TR2211是一款紧凑、高度集成的射频前端集成电路，适用于2.4-2.5GHz频段的Bluetooth Smart/BLE和专有的ISM无线系统。

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1+￥8.42
200+￥3.36
500+￥3.25
1000+￥3.19

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2.4GHz ZigBee/Thread/Bluetooth Smart 射频前端集成电路

8TR8201

品牌: BeRex

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频前端芯片

编号: C17344426

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述8TR8201 是一款紧凑、多功能的射频前端集成电路，适用于 802.15.4 ZigBee、Thread、Bluetooth Smart 和专有的 ISM 无线协议系统，工作在 2.4GHz 频段。

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1+￥9.03
200+￥3.6
500+￥3.48
1000+￥3.43

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8TR1218

品牌: BeRex

封装: DFN-8(2x2)

类目: 射频前端芯片

编号: C17587950

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+105℃

描述8TR1218 是一款紧凑型、高度集成的射频前端集成电路，适用于2.4-2.5GHz频率范围内的蓝牙智能、802.15.4、ZigBee/Thread、ANT+等ISM无线系统。它集成了功率放大器(PA)、旁路模式和发射/接收开关，提供扩展范围的BLE应用。

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SMT扩展库

1+￥9.27
200+￥3.7
500+￥3.58
1000+￥3.52

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8TR8211C

品牌: BeRex

封装: -

类目: 射频前端芯片

编号: C17485282

频率: 2.4GHz~2.5GHz

描述8TR8211C 是一款紧凑、高度集成的前端射频集成电路，旨在扩展蓝牙智能/低功耗 (BLE) 和专有 ISM 无线系统在 2.4GHz 频段的传输范围。

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1+￥9.5
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500+￥3.67
1000+￥3.6

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8TR8211

品牌: BeRex

封装: -

类目: 射频前端芯片

编号: C17416147

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+105℃

描述8TR8211 是一款紧凑、高度集成的射频前端集成电路 (RFIC)，适用于扩展蓝牙智能/低功耗 (BLE) 和专有 ISM 无线系统在 2.4GHz 频段的传输范围。

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1+￥9.5
200+￥3.79
500+￥3.67
1000+￥3.6

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8TR8202

品牌: BeRex

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频前端芯片

编号: C17180185

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述单芯片CMOS射频前端集成电路，适用于2.4GHz ISM频段的蓝牙、Zigbee、Thread、ANT+等无线系统

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200+￥3.97
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8TR8210

品牌: BeRex

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频前端芯片

编号: C17464829

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述8TR8210 是一款紧凑、多功能的射频前端集成电路，适用于 2.4-2.5GHz 频段，包括功率放大器 (PA)、低噪声放大器 (LNA)、旁路功能和发射/接收 (T/R) 开关。它集成了滤波网络、输入/输出匹配电路和高方向性功率检测器。

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1+￥12.35
200+￥4.93
500+￥4.77
1000+￥4.69

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8TR1111

品牌: BeRex

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频前端芯片

编号: C17514562

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 850MHz~930MHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述8TR1111 是一款优化用于电池操作的射频前端IC，适用于863-870 MHz 和 902-928 MHz ISM频段，具有集成的高功率放大器、旁路模式和方向性发射功率检测器。

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1+￥15.83
200+￥6.32
500+￥6.11
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8TR8220

品牌: BeRex

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频前端芯片

编号: C17643441

工作电压: 2.7V~3.6V

频率: 2.4GHz~2.5GHz

工作温度: -40℃~+125℃

描述8TR8220是一款紧凑型多功能射频前端集成电路，适用于2.4GHz ISM频段的LP-WAN、IoT、802.15.4 ZigBee/Thread、802.15.4g Wi-SUN等无线系统。

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SMT扩展库

1+￥18.67
200+￥7.45
500+￥7.2
1000+￥7.08

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2500个/圆盘

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BGS5

品牌: BeRex

封装: SOT-363

类目: RF放大器

编号: C20542383

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200+￥8.46
500+￥8.18
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