WXDH(东海半导体)
进入品牌官网东海半导体成立于2004年，是一家专业从事半导体功率器件的研发、设计、生产和销售的高新技术企业。主要生产沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、超级结功率MOSFET、Trench FS-IGBT和超快恢复二极管等产品，覆盖12V~1700V电压范围，封装形式包括TO直插系列、贴片系列和模块系列。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 封装
- DFN-8(5x6)
- TO-252
- DFN-8(3x3)
- TOLL-8L
- TO-251
- TO-263
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数15
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 120V
- 连续漏极电流(Id)
- 270A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.2mΩ@10V,60A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 475A
- 导通电阻(RDS(on))
- 0.7mΩ@10V,100A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 96A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.4mΩ@4.5V,30A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 84mΩ@4.5V,10A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 54A
- 耗散功率(Pd)
- 30W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 65A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@4.5V,20A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V,2A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@4.5V,30A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2mΩ@4.5V,50A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 96A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ@4.5V,50A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V
描述场效应管,中压MOSFET
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 115A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.3mΩ@10V,30A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.8mΩ@10V,50A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ@10V,70A
描述中压MOSFET TO-263，100V,110A,5.1mΩ
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述场效应管,中压MOSFET
- 收藏
- 对比