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WXDH(东海半导体)

网址： http://www.jswxdh.com

东海半导体成立于2004年，是一家专业从事半导体功率器件的研发、设计、生产和销售的高新技术企业。公司是国内率先量产沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、超级结功率MOSFET、Trench FS-IGBT、超快恢复二极管五大产品平台的企业之一，也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，封装外型包含了TO直插系列、贴片系列、模块系列，产品广泛应用于各种消费电子、工业电子、新能源、智能汽车、5G通信等领域，成为国内硅基大功率器件市场占有率排名前列的本土企业。东海以创新为动力，不断开发新产品，已获得各项专利近百项，并通过了ISO90001质量体系认证、ISO140001环境管理体系认证和IATF16949质量管理体系认证。产品荣获无锡市知名商标及江苏省著名商标，是国家工商总局认定的守合同重信用企业。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、SiC等第三代半导体、车规级、PIM模块的研发与产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

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类目：

封装：

DFN-8(5x6) (5)

TO-252 (4)

DFN-8(3x3) (2)

TOLL-8L (2)

TO-251 (1)

TO-263 (1)

包装：

编带 (15)

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尚未支持 (13)

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DHS044N12U 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TOLL 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 120V 连续漏极电流(Id): 270A 导通电阻(RDS(on)): 2.7mΩ@10V,60A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179512 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存59) SMT扩展库现货最快4H发个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交7单已加购


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DSU007N04NA 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TOLL 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 360A 导通电阻(RDS(on)): 0.5mΩ@10V,100A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C19193553 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交11单已加购


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DH030N03P 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 96A 导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V,60A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C18716369 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交2单已加购


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DH500P06D 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-252B 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A 导通电阻(RDS(on)): 58.5mΩ@10V,10A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179513 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交2单已加购


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DH060N03R-B26 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: PDFN-8L(3x3) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 54A 导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V,25A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179511 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交1单已加购


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DH025N03P 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 120A 导通电阻(RDS(on)): 2mΩ@10V,60A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C18716368 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交1单已加购


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DH033N04P 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 96A 导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C18716370 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交5单已加购


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DH045N04P 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 80A 导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V,30A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C18716371 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交6单已加购


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DH033N03R 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: PDFN-8L(3x3) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 65A 导通电阻(RDS(on)): 3.4mΩ@10V,30A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179514 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交3单已加购


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D4N65 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-252B 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)): 2.4Ω@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179518 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交2单已加购


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DHS065N10B 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-251B 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 100A 导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179516 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交4单已加购


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DH045N06P 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: DFN-8L(5x6) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 115A 导通电阻(RDS(on)): 4.1mΩ@10V,30A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C17179515 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交1单已加购


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DHS052N10E 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-263 描述: 中压MOSFET TO-263，100V,110A,5.1mΩ 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 110A 导通电阻(RDS(on)): 5.1mΩ@10V,70A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C19188784 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交3单已加购


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DHS110N15D 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-252 描述: 场效应管,中压MOSFET 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流(Id): 85A 导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V,50A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C19188783 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交9单已加购


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D18N20 品牌: WXDH(东海半导体) 封装: TO-252 描述: 场效应管,中压MOSFET 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 18A 导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V,9A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C19188782 详细: 数据手册个个圆盘个个圆盘个个圆盘近期成交9单已加购


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