MP(美禄科技)

美禄科技在1993年始创立,在这23年期间, 我们在中国与韩国已累积Tape out服务经验超过300家以上的IC设计公司、工程顾问服务与后勤支持几家晶圆代工厂。自2008年起, 美禄科技同样也有开发自有品牌的电源功率相关应用元件设计、制造与营销, 我们销售MOSFET 20~100V 与高压400~900V产品以严格质量管理与售后服务客户。此外, 美禄科技也同样可提供客户端客制化的产品服务、免费的检查与分析、项目训练与经验分享。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 逻辑输出光耦
- 晶体管输出光耦
- 栅极驱动光耦
- 可控硅输出光耦
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- IGBT管/模块
多选
封装
- TO-220F
- TO-252
- TO-220
- DFN-8(5x6)
- TO-247
- SOP-4
- DIP-8
- SOP-6-300mil
- SOT-23(TO-236)
- TO-263
- SMD-8P
- DFN-8(3.3x3.3)
- DFN-8(3x3)
- DIP-6
- TOLL-8L
- SOP-4-300mil-2.54mm
- SOP-8
- TO-3P
- DFN(3.3x3.3)
- SOP-6
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数261

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

MU4001Y

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361177

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 9.4mΩ@10V

耗散功率(Pd): 38W

描述类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.7mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4889

5+￥1.1218
50+￥0.8904
150+￥0.7912
500+￥0.6674
2500+￥0.6123

现货最快4小时发货

广东仓: 4885

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

MU3016Y

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361169

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3.7mΩ@10V

耗散功率(Pd): 58W

描述类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥1.9699
50+￥1.5635
150+￥1.3893
500+￥1.172
2500+￥1.0752

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2850

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

MJQ52N80F

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361100

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 52A

导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V

耗散功率(Pd): 417W

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：52A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥20.48
10+￥17.63
30+￥15.93
90+￥14.22

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 182

30个/管

个

总额￥0

近期成交4单

MU6001T

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17702014

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 320mA

导通电阻(RDS(on)): 3.2Ω@4.5V

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对比

SMT扩展库

5折

50+￥0.0405
500+￥0.03185
3000+￥0.02705
6000+￥0.0242
24000+￥0.0217
51000+￥0.02035

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 500

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

MPCM3063(T1)-GV

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOP-4

类目: 可控硅输出光耦

编号: C17701956

可控硅类型: 双向可控硅

过零功能: 有

正向压降(Vf): 1.2V

隔离电压(Vrms): 3.75kV

描述光耦光耦：控制可控硅触发，电吹风发热控制，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2

5折

5+￥0.4866
50+￥0.37125
150+￥0.3218
500+￥0.26015
3000+￥0.25385
6000+￥0.2374

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1260

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交36单

MPF20N60

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701971

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 450mΩ@10V

描述N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.35Ω

收藏
对比

5折

1+￥1.715
10+￥1.51
50+￥1.405
100+￥1.305
500+￥1.24
1000+￥1.21

现货最快4小时发货

广东仓: 515

50个/管

个

总额￥0

近期成交13单

MU4005X

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361184

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 6.1mΩ@10V

耗散功率(Pd): 39W

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.7mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4955

5+￥0.7189
50+￥0.5738
150+￥0.5012
500+￥0.4468
2500+￥0.4032

现货最快4小时发货

广东仓: 4955

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

MPF20N50

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701970

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V

耗散功率(Pd): 88W

描述N沟道漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.24Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存987

5折

1+￥1.895
10+￥1.69
50+￥1.585
100+￥1.485
500+￥1.425
1000+￥1.395

现货最快4小时发货

广东仓: 987

50个/管

个

总额￥0

近期成交5单

MU3001T

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17702015

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5.7A

导通电阻(RDS(on)): 47mΩ@2.5V,3A

收藏
对比

SMT扩展库

5折

20+￥0.05765
200+￥0.0564
600+￥0.05555
3000+￥0.05475

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 860

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

MPC817B1(SL)(T1)-FGV

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOP-4

类目: 晶体管输出光耦

编号: C17701948

输入类型: DC

输出类型: 光电三极管

正向压降(Vf): 1.24V

输出电流: 50mA

收藏
对比

5折

10+￥0.15915
100+￥0.1267
300+￥0.11045
1500+￥0.09825
4500+￥0.08855
10500+￥0.08365

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 350

1500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

MPC1019(T1)-GV

品牌: MP(美禄科技)

封装: LSOP-4

类目: 晶体管输出光耦

编号: C17701963

输入类型: DC

输出类型: 光电三极管

正向压降(Vf): 1.6V

输出电流: 50mA

收藏
对比

SMT扩展库

5折

5+￥0.26765
50+￥0.21305
150+￥0.18575
500+￥0.16525
3000+￥0.1489
6000+￥0.1407

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 810

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

MPD05N50C

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373710

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.35Ω

收藏
对比

5折

5+￥0.3026
50+￥0.2427
150+￥0.21275
500+￥0.1903
2500+￥0.15845
5000+￥0.14945

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2560

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

MU4003X

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361180

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 9.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 26W

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.4mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4920

5+￥0.5592
50+￥0.4463
150+￥0.3899
500+￥0.3475
2500+￥0.3136

现货最快4小时发货

广东仓: 4920

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

MPF10N65A

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701986

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 10A

耗散功率(Pd): 40W

阈值电压(Vgs(th)): 4V@250uA

描述N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.8Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存111

5折

1+￥1.26
10+￥0.995
50+￥0.885
100+￥0.745
500+￥0.68
1000+￥0.64

现货最快4小时发货

广东仓: 111

江苏仓: 7

50个/管

个

总额￥0

近期成交9单

MJF15N65

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373729

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 655V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω

收藏
对比

5折

1+￥2.64
10+￥2.155
50+￥1.8
100+￥1.56
500+￥1.415
1000+￥1.345

现货最快4小时发货

广东仓: 187

江苏仓: 141

50个/管

个

总额￥0

近期成交5单

MJF20N65

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373730

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 220mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω

收藏
对比

5折

1+￥3.32
10+￥2.7
50+￥2.245
100+￥1.94
500+￥1.755
1000+￥1.66

现货最快4小时发货

广东仓: 29

江苏仓: 96

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

MS8003L

品牌: MP(美禄科技)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361196

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 383A

导通电阻(RDS(on)): 1.3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 357W

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：383A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.0mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥6.08
10+￥4.94
30+￥4.37
100+￥3.81

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 490

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单

MPC817C1-FGV

品牌: MP(美禄科技)

封装: DIP-4

类目: 晶体管输出光耦

编号: C17701949

输入类型: DC

输出类型: 光电三极管

正向压降(Vf): 1.24V

输出电流: 50mA

收藏
对比

5折

10+￥0.1447
100+￥0.11515
300+￥0.1004
1000+￥0.08935
5000+￥0.0805
10000+￥0.07605

现货最快4小时发货

广东仓: 1290

江苏仓: 2340

100个/管

个

总额￥0

近期成交10单

MPD05N50

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701965

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω@10V

收藏
对比

SMT扩展库

5折

5+￥0.43405
50+￥0.34545
150+￥0.3012
500+￥0.268
2500+￥0.2414
5000+￥0.2281

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2110

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

MPD04N65

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701973

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 2.7Ω@10V,2A

耗散功率(Pd): 77W

描述N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω

收藏
对比

SMT扩展库

5折

5+￥0.57405
50+￥0.45375
150+￥0.4022
500+￥0.3379
2500+￥0.3093
5000+￥0.2921

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1615

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

MU3004X

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN3.3x3.3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17702007

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 51.8A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@4.5V

描述P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-52A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.6mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存65

5折

5+￥0.7471
50+￥0.5906
150+￥0.5235
500+￥0.4398
2500+￥0.40255
5000+￥0.38015

现货最快4小时发货

广东仓: 65

江苏仓: 5

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

MS0002Y

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17702012

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 91A

导通电阻(RDS(on)): 12.5mΩ@4.5V,10A

描述N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：91A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存474

5折

1+￥1.62
10+￥1.285
30+￥1.14
100+￥0.955
500+￥0.875
1000+￥0.825

现货最快4小时发货

广东仓: 474

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

MPF20N65A

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373713

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 470mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω

收藏
对比

5折

1+￥2.05
10+￥1.68
50+￥1.405
100+￥1.22
500+￥1.11
1000+￥1.055

现货最快4小时发货

广东仓: 15

江苏仓: 88

50个/管

个

总额￥0

近期成交4单

MPF12N80

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701997

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V,6A

描述N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.68Ω

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存70

5折

1+￥2.825
10+￥2.29
50+￥2.02
100+￥1.755
500+￥1.595
1000+￥1.515

现货最快4小时发货

广东仓: 70

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

MPW50N30

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-3PH

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373716

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 300V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.15Ω

收藏
对比

5折

1+￥3.975
10+￥3.315
30+￥2.775
90+￥2.365
510+￥2.18
990+￥2.1

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 20

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

MSE002L

品牌: MP(美禄科技)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47361213

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V

耗散功率(Pd): 240W

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：130A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.0mΩ

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近期成交10单

MU2N7002T

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373742

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 320mA

导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3000mΩ

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近期成交15单

MD4002S

品牌: MP(美禄科技)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C34373747

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 38mΩ@10V

描述类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.1mΩ

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MU3001X

品牌: MP(美禄科技)

封装: PDFN3.3x3.3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17702005

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 64A

导通电阻(RDS(on)): 6.9mΩ@4.5V,18A

描述N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.1mΩ

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近期成交6单

MPD07N65

品牌: MP(美禄科技)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701979

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V,3.5A

描述N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω

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