
HaloChip(华众芯)
进入品牌官网无锡华众芯微电子有限公司位于无锡市锡山经济开发区,是一家专注于高可靠性数模混合IC设计的Fabless公司。主要生产数模混合IC。
无锡华众芯微电子有限公司位于无锡市锡山经济开发区,是一家专注于高可靠性数模混合IC设计的Fabless公司。主要生产数模混合IC。
描述电感值:0.47uH 精度:±20% 饱和电流(isat):4.0A 温升电流(irms):3.8A 直流电阻(DCR):48mΩ
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描述GP8691X是一款内置功率复合管,恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片,适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性,满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能,包括开路保护,过压保护,短路保护等功能。采用SOP8封装。
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描述GP7596XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构,同时支持DCM,QR及CCM工作模式。内置VCC高压供电模块,无需VCC供电绕组,降低了系统成本。内部集成有VCC欠压保护功能,采用SOP8封装。
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描述GP8611X是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片,适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性,满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能,包括开路保护,过压保护,短路保护等功能。采用SOP7封装。
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描述GP8691X是一款内置功率复合管,恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片,适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性,满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能,包括开路保护,过压保护,短路保护等功能。采用SOP8封装。
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描述GP8612X是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片,系统工作于断续模式,适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。
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描述GP8615X是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片,系统工作于断续模式,适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。
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描述电感值:2.2uH 精度:±20% 饱和电流(isat):5A 温升电流(irms):3.8A 直流电阻(DCR):42mΩ
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描述GP8615X是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片,系统工作于断续模式,适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。
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描述GP7596XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构,同时支持DCM,QR及CCM工作模式。内置VCC高压供电模块,无需VCC供电绕组,降低了系统成本。内部集成有VCC欠压保护功能,采用SOP8封装。
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描述电感值:1.5uH 精度:±20% 饱和电流(isat):4.7A 温升电流(irms):4.6A 直流电阻(DCR):27mΩ
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描述GP8891X是一款自供电恒压、恒流的原边反馈控制芯片,适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置启动电路,无需外围启动电阻,内置FB下偏电阻及CS采样电阻,外围更简洁。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性,满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能,包括开路保护,过压保护,输出短路保护,次级肖特基短路等功能。采用独特的单周期最大电流关断机制,可避免三极管过流导致的各种失效。采用SOP7封装。
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描述GP8611X是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片,适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性,满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能,包括开路保护,过压保护,短路保护等功能。采用SOP7封装。
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描述GP8612X是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片,系统工作于断续模式,适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术,可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路,无需外围补偿电路,系统具有良好的稳定性。
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描述GP1200Q是一款高度集成的隔离型适配器和充电器的PSR驱动控制芯片,MOSFET外置。GP1200Q工作在QR导通模式,具有效率高,EMI特性好等优点。其待机功耗低于70mW,可以轻松满足欧洲能源之星6级能效标准。输出线损补偿可以调,可以实现良好的空满载输出电压曲线。GP1200Q集成了输出短路,过压保护,逐周期过流保护, 软启动,Vdd脚过压欠压保护及钳位,Gate脚钳位保护后级MOSFET。GP1200Q采用SOT23-6封装。
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