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SICHAIN(清纯)

SICHAIN(清纯)

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清纯半导体(宁波)有限公司成立于2021年3月,是一家专注于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,主要生产SiC功率器件,包括二极管和MOSFET。

  • 类目
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅二极管
    多选
  • 封装
    • TO-247-4
    • TO-263-7
    • TO-247
    • SOT-227
    • TO-247-2
    • TO-220-2
    • TO-263
    • 插件,62.8x56.8mm
    多选
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价格
总库存
销量
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自营结果数38
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1200V碳化硅功率MOSFET
SG1M160120J
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363612
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
21A
耗散功率(Pd)
120W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存722
9
  • 14.103
  • 11.934
  • 10.575
  • 9.189
  • 8.559
  • 8.289
现货最快4小时发货
广东仓
722

50/

总额0

近期成交9单

碳化硅二极管1200V20A
S1D020120G
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451356
正向压降(Vf)
1.4V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存614
9
  • 8.424
  • 7.074
  • 6.219
  • 5.607
  • 5.211
  • 5.04
现货最快4小时发货
广东仓
613
江苏仓
1

50/

总额0

近期成交9单

S1M075120D2
S1M075120D2
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363610
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
44A
耗散功率(Pd)
214W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存719
8.5
  • 16.8725
  • 14.4245
  • 12.971
  • 11.5005
  • 10.8205
  • 10.5145
现货最快4小时发货
广东仓
719

30/

总额0

近期成交4单

S1M075120J2
S1M075120J2
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363611
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
39A
耗散功率(Pd)
169W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存642
8.5
  • 23.5535
  • 20.1365
  • 18.105
  • 16.048
  • 15.1045
  • 14.671
现货最快4小时发货
广东仓
608
江苏仓
448

50/

总额0

近期成交8单

碳化硅二极管1200V20A
S1D020120C
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451355
正向压降(Vf)
1.4V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存678
  • 8.33
  • 6.89
  • 6.1
  • 5.21
  • 4.81
现货最快4小时发货
广东仓
678

30/

总额0

近期成交7单

S1M040120H
S1M040120H
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363605
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
76A
耗散功率(Pd)
357W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存306
  • 21.8
  • 18.57
  • 17.25
  • 15.3
现货最快4小时发货
广东仓
306

30/

总额0

近期成交33单

S1M040120D
S1M040120D
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363606
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
73A
耗散功率(Pd)
326W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存207
8
  • 22.152
  • 18.832
  • 16.856
  • 14.856
  • 13.936
  • 13.52
现货最快4小时发货
广东仓
207

30/

总额0

近期成交22单

SIC MOSFET 1200V21mΩ
SG2M021120LH
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456089
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
112A
耗散功率(Pd)
441W

描述SIC MOSFET 1200V21mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 47.07
  • 40.61
  • 36.67
  • 33.37
现货最快4小时发货
广东仓
300
江苏仓
6

30/

总额0

近期成交10单

SIC MOSFET 1700V20mΩ
SG2M020170HJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456099
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
110A
耗散功率(Pd)
535W

描述SIC MOSFET 1700V20mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 81.41
  • 77.67
  • 71.19
  • 65.54
现货最快4小时发货
广东仓
7
江苏仓
239

30/

总额0

近期成交8单

SIC MOSFET 1500V40mΩ
S2M040150HJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456098
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
72A
耗散功率(Pd)
341W

描述SIC MOSFET 1500V40mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 43.7
  • 37.71
  • 34.05
  • 30.99
现货最快4小时发货
广东仓
150
江苏仓
4

30/

总额0

近期成交5单

SIC MOSFET 1700V40mΩ
SG2M040170HJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456100
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
66A
耗散功率(Pd)
384W

描述SIC MOSFET 1700V40mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 49.18
  • 42.26
  • 38.04
  • 34.5
现货最快4小时发货
广东仓
143
江苏仓
35

30/

总额0

近期成交11单

SIC MOSFET 750V40mΩ
SG2M040075JJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456087
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
750V
连续漏极电流(Id)
69A
耗散功率(Pd)
312W

描述SIC MOSFET 750V40mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存242
  • 18.48
  • 15.8
  • 14.21
  • 12.59
现货最快4小时发货
广东仓
242
江苏仓
50

50/

总额0

近期成交9单

S1M075120H2
S1M075120H2
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363608
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
44A
耗散功率(Pd)
224W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存162
8
  • 17.624
  • 15.048
  • 13.52
  • 11.976
  • 11.264
  • 10.936
现货最快4小时发货
广东仓
162

30/

总额0

近期成交8单

SIC MOSFET 1200V40mΩ
SG2M040120JJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456095
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
75A
耗散功率(Pd)
366W

描述SIC MOSFET 1200V40mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 26.43
  • 22.68
  • 20.45
  • 18.2
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
190

50/

总额0

近期成交13单

SIC MOSFET 1200V23mΩ
SG2M023120J1J
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456090
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
107A
耗散功率(Pd)
484W

描述SIC MOSFET 1200V23mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 42.02
  • 36.26
  • 32.74
  • 29.79
现货最快4小时发货
广东仓
250

50/

总额0

近期成交2单

1200V碳化硅功率MOSFET
S1M075120H1
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363607
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
38A
耗散功率(Pd)
214W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9
  • 17.406
  • 14.751
  • 13.752
  • 12.159
  • 11.421
  • 11.088
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
179

30/

总额0

近期成交3单

S1M032120H
S1M032120H
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363604
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
87A
耗散功率(Pd)
375W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

7.5
  • 29.505
  • 25.3575
  • 22.8225
  • 20.7
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
127

30/

总额0

近期成交2单

1200V碳化硅功率MOSFET
S1M014120H
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C22363603
数量
1个N沟道
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
152A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29
7.5
  • 60.45
  • 51.825
  • 46.56
  • 42.1575
现货最快4小时发货
广东仓
29
江苏仓
22

30/

总额0

近期成交8单

SIC MOSFET 1200V7mΩ
S1M007120PD
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C37636035
  • 收藏
  • 对比
  • 214.72
  • 203.93
现货最快4小时发货
广东仓
22

30/

总额0

近期成交1单

碳化硅二极管1200V30A
S1D030120C
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451357
正向压降(Vf)
1.4V@30A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存153
8.5
  • 10.489
  • 8.823
  • 7.9475
  • 6.885
  • 6.4005
  • 6.188
现货最快4小时发货
广东仓
153
江苏仓
4

30/

总额0

近期成交3单

碳化硅二极管1200V40A
S1D040120D
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451359
正向压降(Vf)
1.4V@20A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存60
9
  • 14.985
  • 12.681
  • 11.241
  • 9.765
  • 9.099
  • 8.811
现货最快4小时发货
广东仓
60
江苏仓
38

30/

总额0

近期成交3单

5件套 SIC MOSFET MOUDLE 1200V14mR+40A SBD
S1P14R120HSE-A
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
SOT-227
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C37636089
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
120A
耗散功率(Pd)
349W
  • 收藏
  • 对比
8.5
  • 134.181
  • 127.3045
现货最快4小时发货
广东仓
5
江苏仓
12

10/

总额0

近期成交7单

SIC MOSFET 750V40mΩ
SG2M040075LJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456088
漏源电压(Vdss)
750V
连续漏极电流(Id)
64A
耗散功率(Pd)
268W
阈值电压(Vgs(th))
3.6V

描述SIC MOSFET 750V40mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 22.66
  • 19.44
  • 17.53
  • 15.6
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
127

30/

总额0

近期成交8单

SIC MOSFET 1200V23mΩ
SG2M023120LJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456091

描述SIC MOSFET 1200V23mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 42.02
  • 36.26
  • 32.74
  • 29.79
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
134

30/

总额0

近期成交2单

碳化硅二极管1200V15A
S1D015120A
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-220-2L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451354
正向压降(Vf)
1.4V@15A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存319
9
  • 5.733
  • 4.743
  • 4.194
  • 3.582
  • 3.303
  • 3.186
现货最快4小时发货
广东仓
319

50/

总额0

近期成交1单

SIC MOSFET 750V25mΩ
SG2M025075LJ
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456086
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
750V
连续漏极电流(Id)
92A
耗散功率(Pd)
341W

描述SIC MOSFET 750V25mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 32.79
  • 28.17
  • 25.36
  • 23
现货最快4小时发货
广东仓
90

30/

总额0

近期成交2单

五件套,一个模块配4PCS螺丝 SIC JBS MOUDLE 1200V200A
S1P20A120DDE
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
SOT-227
类目
碳化硅二极管
编号
C42456097
整流电流
200A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
2uA

描述SIC JBS MOUDLE 1200V200A

  • 收藏
  • 对比
  • 129.48
  • 123.36
  • 112.75
现货最快4小时发货
广东仓
2
江苏仓
12

10/

总额0

近期成交6单

SIC MOSFET 1200V40mΩ
SG2M040120JH
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-263-7L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C42456092
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
73A
耗散功率(Pd)
365W

描述SIC MOSFET 1200V40mΩ

  • 收藏
  • 对比
  • 26.43
  • 22.68
  • 20.45
现货最快4小时发货
广东仓
2
江苏仓
45

50/

总额0

近期成交8单

碳化硅二极管1200V30A
S1D030120D
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
TO-247-3L
类目
碳化硅二极管
编号
C22451358
正向压降(Vf)
1.4V@15A
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
1uA@1200V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

8.5
  • 10.489
  • 8.823
  • 7.9475
  • 6.885
  • 6.4005
  • 6.188
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
12

30/

总额0

近期成交1单

五件套,一个模块配4PCS螺丝 SIC JBS MOUDLE 1200V120A
S1P12A120DDE
品牌
SICHAIN(清纯)
封装
SOT-227
类目
碳化硅二极管
编号
C42456096
整流电流
120A
正向压降(Vf)
1.5V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
反向电流(Ir)
2uA

描述SIC JBS MOUDLE 1200V120A

  • 收藏
  • 对比
  • 107.9
  • 102.8
  • 93.96
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
7

10/

总额0

近期成交1单