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Siliup(矽普)

Siliup(矽普)

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矽普半导体成立于2017年10月,是一家专注于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业,致力于功率半导体器件的进口替代。主要生产中低压MOSFET和高压SiC MOS。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    • 线性稳压器(LDO)
    • 碳化硅二极管
    • 三极管(BJT)
    • 肖特基二极管
    • 电压基准芯片
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 监控和复位芯片
    多选
  • 封装
    • DFN-8(5x6)
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-252
    • TO-220
    • SOP-8
    • TOLL-8L
    • TO-247
    • DFN-8(3x3)
    • TO-263
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • DFN-6(2x2)
    • SOT-323(SC-70)
    • SOT-23-6
    • SOT-363
    • SOT-523(SC-75)
    • SOT-89
    • SOT-223
    • TO-252-4L
    • DFN1006-3(SOT-883)
    • SOT-723
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数817
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

P沟道 耐压:60V 电流:130mA
BSS84
品牌
Siliup(矽普)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41354933
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
130mA
导通电阻(RDS(on))
4.2Ω@10V;4.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)
350mW

描述小电流MOSFET产品,P沟道,耐压:-60V,电流:-0.13A, Rdson:4200mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存55K+
  • 0.0841
  • 0.0658
  • 0.0566
  • 0.0505
  • 0.0453
  • 0.0424
现货最快4小时发货
广东仓
54K+
江苏仓
25K+

3000/圆盘

总额0

近期成交46单

耐压:150V 电流:260A
SP015N03BGHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385354
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
260A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
625W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1031
9.5
  • 8.9775
  • 7.372
  • 6.498
  • 5.6145
  • 5.1775
  • 4.978
现货最快4小时发货
广东仓
834

2000/圆盘

总额0

近期成交67单

N沟道 耐压:60V 电流:120A
SP60N02BGNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385420
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
2.3mΩ@10V;2.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
120W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
9.5
  • 2.185
  • 1.9
  • 1.7765
  • 1.6245
  • 1.577
  • 1.539
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

5000/圆盘

总额0

近期成交23单

N沟道 耐压:100V 电流:120A
SP010N04BGTH
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385380
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
160W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
9.5
  • 2.10425
  • 1.63742
  • 1.437255
  • 1.21543
  • 1.10428
  • 1.03759
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2385

2500/圆盘

总额0

近期成交60单

耐压:150V 电流:185A
SP015N06GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385355
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
185A
导通电阻(RDS(on))
5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)
350W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20
9.5
  • 6.973
  • 5.7285
  • 5.0445
  • 4.275
  • 4.028
  • 3.876
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1169

2000/圆盘

总额0

近期成交13单

N沟道,电流:70A,耐压:150V
SP015N09GHNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466807
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
9.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)
135W

描述中压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:150V,电流:70A,Rdson:9.2mR

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1907
9.5
  • 3.0305
  • 2.6695
  • 2.4985
  • 2.318
  • 2.2705
  • 2.2135
现货最快4小时发货
广东仓
1907

5000/圆盘

总额0

近期成交35单

耐压:100V 电流:260A
SP010N02GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385352
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
260A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@10V
耗散功率(Pd)
280W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 4.389
  • 3.477
  • 3.021
  • 2.5745
  • 2.4985
  • 2.356
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1558

2000/圆盘

总额0

近期成交22单

N沟道 耐压:150V 电流:90A
SP015N09GHTQ
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-220-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466809
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
180W

描述大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:150V,电流:90A,Rdson:9.5mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存328
9.5
  • 5.3105
  • 4.237
  • 3.781
  • 3.249
  • 2.9355
  • 2.774
现货最快4小时发货
广东仓
328
江苏仓
666

50/

总额0

近期成交37单

耐压:130V 电流:220A
SP012N03BGHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385356
漏源电压(Vdss)
130V
连续漏极电流(Id)
220A
导通电阻(RDS(on))
3.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)
296W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1398
9.5
  • 6.118
  • 4.8925
  • 4.275
  • 3.667
  • 3.3725
  • 3.1825
现货最快4小时发货
广东仓
1228
江苏仓
100

2000/圆盘

总额0

近期成交25单

耐压:150V 电流:220A
SP015N03BGHTD
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-263-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385370
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
220A
导通电阻(RDS(on))
3.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)
220W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存730
9.5
  • 9.234
  • 7.5905
  • 6.688
  • 5.7855
  • 5.3295
  • 5.1205
现货最快4小时发货
广东仓
728

800/圆盘

总额0

近期成交5单

耐压:40V 电流:110A
SP40N03AGNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFNWB-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385419
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on))
2.7mΩ@10V;3.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
75W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3918
9.5
  • 1.54299
  • 1.20061
  • 1.05393
  • 0.870865
  • 0.809685
  • 0.76076
现货最快4小时发货
广东仓
3915
江苏仓
4660

5000/圆盘

总额0

近期成交17单

N沟道 耐压:30V 电流:120A
SP30N01BGNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385415
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
1.2mΩ@10V;1.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
105W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9064
9.5
  • 1.68321
  • 1.309765
  • 1.14969
  • 0.97223
  • 0.88331
  • 0.82992
现货最快4小时发货
广东仓
9060
江苏仓
1315

5000/圆盘

总额0

近期成交33单

N沟道 耐压:40V 电流:120A
SP40N02GNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFNWB-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385417
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
1.9mΩ@10V;2.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
100W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 1.68321
  • 1.309765
  • 1.14969
  • 0.97223
  • 0.88331
  • 0.82992
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
6345

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:85V 电流:390A
SP85N01GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466786
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
390A
导通电阻(RDS(on))
1mΩ@10V
耗散功率(Pd)
500W

描述大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:85V,电流:390A,Rdson:1.2mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1334
9.5
  • 5.8805
  • 4.693
  • 4.104
  • 3.5245
  • 3.2395
  • 3.059
现货最快4小时发货
广东仓
1334
江苏仓
60

2000/圆盘

总额0

近期成交13单

耐压:100V 电流:270A
SP010N02GHTD
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385363
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
270A
导通电阻(RDS(on))
1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
260W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存957
9.5
  • 6.726
  • 5.5195
  • 4.864
  • 4.123
  • 3.8855
  • 3.743
现货最快4小时发货
广东仓
935
江苏仓
1

800/圆盘

总额0

近期成交14单

大电流SGT MOSFET P沟道 耐压:60V 电流:220A
SP60P03GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42372352
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
220A
导通电阻(RDS(on))
3.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)
184W

描述大电流SGT MOSFET产品,P沟道,耐压:-60V,电流:-140A,Rdson:3.1mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1989
  • 8.25
  • 6.85
  • 6.08
  • 5.21
  • 4.94
  • 4.76
现货最快4小时发货
广东仓
1959
江苏仓
1

2000/圆盘

总额0

近期成交45单

N沟道 耐压:200V 电流:130A
SP020N09GHTF
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466813
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
130A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
300W

描述大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:200V,电流:90A,Rdson:9mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存442
9.5
  • 12.0935
  • 10.241
  • 8.8825
  • 7.695
  • 7.1535
  • 6.916
现货最快4小时发货
广东仓
442
江苏仓
1

30/

总额0

近期成交21单

N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:6A
SP4606BCP8
品牌
Siliup(矽普)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385403
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
6A;5A
导通电阻(RDS(on))
16mΩ@10V;40mΩ@10V
耗散功率(Pd)
2W

描述N+P MOSFET产品,耐压:30V,电流:N 6A/P -5A, Rdson:N 16mR/P 40mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存791
9.5
  • 0.288135
  • 0.251085
  • 0.23256
  • 0.218595
  • 0.213085
  • 0.20748
现货最快4小时发货
广东仓
780
江苏仓
9730

4000/圆盘

总额0

近期成交9单

N沟道+P沟道 耐压:100V 电流:15A
SP1011CNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385429
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@10V;85mΩ@4.5V;95mΩ@-4.5V;85mΩ@-10V
耗散功率(Pd)
45W

描述N+P MOSFET产品,耐压:100V,电流:N 12A/P -15A, Rdson:N 90mR/P 90mR

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 1.228065
  • 1.072455
  • 1.005765
  • 0.922545
  • 0.885495
  • 0.863265
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4920

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

N沟道 耐压:40V 电流:130A
SP40N02GTH
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385376
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
130A
导通电阻(RDS(on))
1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
110W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 1.43944
  • 1.128315
  • 0.994935
  • 0.810065
  • 0.735965
  • 0.691505
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4700

2500/圆盘

总额0

近期成交7单

N沟道 耐压:40V 电流:120A
SP40N01GHNK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385416
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
1.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)
130W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4678
9.5
  • 2.5555
  • 2.2705
  • 2.128
  • 1.9855
  • 1.843
  • 1.805
现货最快4小时发货
广东仓
4678

5000/圆盘

总额0

近期成交5单

耐压:40V 电流:200A
SP40N01AGNP
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFNWB-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385414
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
200A
导通电阻(RDS(on))
0.75mΩ@10V;1.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
180W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 2.6505
  • 2.337
  • 2.185
  • 2.033
  • 1.938
  • 1.8905
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2013

5000/圆盘

总额0

近期成交20单

N沟道 耐压:100V 电流:170A
SP010N03BGHTQ
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-220-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385394
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
170A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
205W

描述大电流SGT MOSFET产品

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存43
9.5
  • 3.61
  • 2.8785
  • 2.5175
  • 2.2135
  • 1.995
  • 1.881
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1047

50/

总额0

近期成交100单+

N沟道,电流:280A,耐压:85V
SP85N02AGHTF
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466788
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
280A
导通电阻(RDS(on))
1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)
270W

描述大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:85V,电流:280A,Rdson:1.7mR

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近期成交4单

大电流SGT MOSFET
SP010P09GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42404760
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
150A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
290W

描述大电流SGT MOSFET产品,P沟道,耐压:-100V,电流: -150A,Rdson:9mR

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2000/圆盘

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近期成交36单

小电流P型 MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:1A
SP2231NC
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN1006-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41355154
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
1A
导通电阻(RDS(on))
130mΩ@4.5V;180mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)
150mW

描述小电流MOSFET产品,P沟道,耐压:-20V,电流:-1A, Rdson:130mR

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10000/圆盘

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近期成交9单

电流:200mA 电压:40V
MMBT3904T7
品牌
Siliup(矽普)
封装
SOT-723
类目
三极管(BJT)
编号
C41355101
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
100mW
直流电流增益(hFE)
300@10mA,1V

描述NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300

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8000/圆盘

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近期成交13单

中低压P型MOSFET 1个P沟道 耐压:40V 电流:85A
SP40P04NK
品牌
Siliup(矽普)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41355035
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
85A
导通电阻(RDS(on))
4.9mΩ@10V;6.6mΩ@4.5V

描述中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-40V,电流:-85A,RDSON:4.9mR

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5000/圆盘

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近期成交28单

N沟道 耐压:100V 电流:80A
SP010N07GHTH
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22466795
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
6.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
120W

描述中压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:100V,电流:80A,Rdson:6.9mR

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2500/圆盘

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近期成交14单

耐压:40V 电流:230A
SP40N01GHTO
品牌
Siliup(矽普)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22385348
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
230A
导通电阻(RDS(on))
1mΩ@10V
耗散功率(Pd)
293W

描述大电流SGT MOSFET产品

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2000/圆盘

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近期成交2单