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矽普半导体成立于2017年10月,是一家专业从事于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业。公司专注于功率半导体器件进口替代,努力成为国内领先,国际知名的行业厂商。公司总部位于合肥市高新区,研发中心位于上海张江高科,深圳南山区设有办事处。公司技术人员占比30%,核心成员均有行业内十余年的研发经验,精通功率半导体器件的技术、应用、市场。 矽普半导体产品以20V-250V的中低压MOSFET和1200V高压 SiC MOS为主,公司产品型号丰富,广泛运用于消费类电子与家电、新能源、工业马达驱动、汽车电子等市场领域。 矽普半导体产品已导入国内知名企业,有着一套完整的研发、销售和服务体系。结合自身技术优势,与行业内知名晶圆代工厂和一线封装测试代工厂紧密合作,在芯片设计、晶圆流片、封装测试、可靠性测试方面建立了完善的质量管理体系,确保产品优质和供货稳定。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 370A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 260A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 120A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 340A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.3mΩ
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    • SP40P04NK
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: PDFN-8L(5x6)
    • 描述: 中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-40V,电流:-85A,RDSON:4.9mR
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 85A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6.6mΩ@4.5V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 260A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.6mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 70A
    • 导通电阻(RDS(on)): 9.2mΩ@10V,20A
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 110A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.7mΩ
  • 领券
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    • 订单数量按照以下:
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 120V
    • 连续漏极电流(Id): 140A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.2mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 300A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.7mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 220A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.7mΩ
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    • SP20D120CTT
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: TO-247-2L
    • 描述: 碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC
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    • 连续漏极电流(Id): 6A;5A
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    • 漏源电压(Vdss): 60V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 185A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
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    • 导通电阻(RDS(on)): 3.2mΩ
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    • SP30P03NK
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: PDFN-8L(5x6)
    • 描述: 中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-30V,电流:-90A,RDSON:3mR
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 90A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V,30A
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    • SP010N04BGNK
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: PDFN-8L(5x6)
    • 描述: 大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:100V,电流:100A,Rdson:4.5mR
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@4.5V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 70A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6.2mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 320A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ
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    • SP6023CNK
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: PDFN-8L(5x6)
    • 描述: N+P MOSFET产品,耐压:60V,电流:N 20A/P -35A, Rdson:N 23mR/P 30mR
    • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
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    • SP40N03BNK
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: PDFNWB-8L(5x6)
    • 描述: 中低压MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:100A,RDSON:3.1mR
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V,100A
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    • SP1049CP8
    • 品牌: Siliup(矽普)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: N+P MOSFET产品,耐压:100V,电流:N 6A/P -6A, Rdson:N 40mR/P 90mR
    • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 90mΩ;40mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
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