Siliup(矽普)

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矽普半导体成立于2017年10月，是一家专注于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业，致力于功率半导体器件的进口替代。主要生产中低压MOSFET和高压SiC MOS。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 碳化硅二极管
- 三极管(BJT)
- 肖特基二极管
- 电压基准芯片
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 监控和复位芯片
多选
封装
- DFN-8(5x6)
- SOT-23(TO-236)
- TO-252
- TO-220
- SOP-8
- TOLL-8L
- TO-247
- DFN-8(3x3)
- TO-263
- DFN-8(3.3x3.3)
- DFN-6(2x2)
- SOT-323(SC-70)
- SOT-23-6
- SOT-363
- SOT-523(SC-75)
- SOT-89
- SOT-223
- TO-252-4L
- DFN1006-3(SOT-883)
- SOT-723
多选

综合排序

价格

总库存

销量

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数据手册

自营结果数817

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

爆款

SP010N01BGHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385350

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 370A

导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ@10V

耗散功率(Pd): 410W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7709

9.5折

1+￥5.206
10+￥4.541
30+￥3.914
100+￥3.4485
500+￥3.2585
1000+￥3.1635

现货最快4小时发货

广东仓: 4894

江苏仓: 7925

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

BSS84

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41354933

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 4.2Ω@10V；4.5Ω@4.5V

耗散功率(Pd): 350mW

描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存54K+

50+￥0.0841
500+￥0.0658
3000+￥0.0566
6000+￥0.0505
24000+￥0.0453
51000+￥0.0424

现货最快4小时发货

广东仓: 54K+

江苏仓: 25K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

SP60N02BGNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385420

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 2.3mΩ@10V；2.7mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 120W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

9.5折

1+￥2.185
10+￥1.9
30+￥1.7765
100+￥1.6245
500+￥1.577
1000+￥1.539

现货最快4小时发货

广东仓: 13K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

SP015N03BGHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385354

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 260A

导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 625W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存803

9.5折

1+￥8.9775
10+￥7.372
30+￥6.498
100+￥5.6145
500+￥5.1775
1000+￥4.978

现货最快4小时发货

广东仓: 693

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交61单

SP015N03BGHTF

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385385

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 235A

导通电阻(RDS(on)): 3.8mΩ@10V

耗散功率(Pd): 430W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存588

9.5折

1+￥11.2575
10+￥9.4715
30+￥8.531
100+￥7.3815
500+￥6.8685
1000+￥6.6405

现货最快4小时发货

广东仓: 585

30个/管

个

总额￥0

近期成交31单

SP30N01BGNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385415

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V；1.6mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 105W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7049

9.5折

5+￥1.17249
50+￥1.01688
150+￥0.95019
500+￥0.8892
2500+￥0.85215
5000+￥0.82992

现货最快4小时发货

广东仓: 6990

江苏仓: 1160

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

SP015N09GHNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22466807

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 9.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 135W

描述中压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：70A,Rdson：9.2mR

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1833

9.5折

1+￥3.0305
10+￥2.6695
30+￥2.4985
100+￥2.318
500+￥2.2705
1000+￥2.2135

现货最快4小时发货

广东仓: 1810

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

SP010N03AGHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385353

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 240A

导通电阻(RDS(on)): 2.6mΩ@10V

耗散功率(Pd): 260W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1990

9.5折

1+￥3.629
10+￥2.9165
30+￥2.5555
100+￥2.1945
500+￥1.9855
1000+￥1.8715

现货最快4小时发货

广东仓: 1951

江苏仓: 15

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

SP015N09GHTQ

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-220-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22466809

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 180W

描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：90A,Rdson：9.5mR

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存318

9.5折

1+￥5.3105
10+￥4.237
50+￥3.781
100+￥3.249
500+￥2.9355
1000+￥2.774

现货最快4小时发货

广东仓: 318

江苏仓: 661

50个/管

个

总额￥0

近期成交32单

SP012N03BGHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385356

漏源电压(Vdss): 130V

连续漏极电流(Id): 220A

导通电阻(RDS(on)): 3.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 296W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1358

9.5折

1+￥6.118
10+￥4.8925
30+￥4.275
100+￥3.667
500+￥3.3725
1000+￥3.1825

现货最快4小时发货

广东仓: 1277

江苏仓: 100

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

SP40N03AGNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFNWB-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385419

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 2.7mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 75W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3878

9.5折

5+￥1.54299
50+￥1.20061
150+￥1.05393
500+￥0.870865
2500+￥0.809685
5000+￥0.76076

现货最快4小时发货

广东仓: 3870

江苏仓: 4660

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

SP40N02GNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFNWB-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385417

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 1.9mΩ@10V；2.7mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 100W

描述大电流SGT MOSFET产品

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对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.68321
50+￥1.309765
150+￥1.14969
500+￥0.97223
2500+￥0.88331
5000+￥0.82992

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 6345

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

SP010N02GHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385352

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 260A

导通电阻(RDS(on)): 2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 280W

描述大电流SGT MOSFET产品

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥4.389
10+￥3.477
30+￥3.021
100+￥2.5745
500+￥2.4985
1000+￥2.356

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1498

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

SP85N01GHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22466786

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 390A

导通电阻(RDS(on)): 1mΩ@10V

耗散功率(Pd): 500W

描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：390A,Rdson：1.2mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1044

9.5折

1+￥5.8805
10+￥4.693
30+￥4.104
100+￥3.5245
500+￥3.2395
1000+￥3.059

现货最快4小时发货

广东仓: 1031

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

SP010N02GHTD

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385363

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 270A

导通电阻(RDS(on)): 1.9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 260W

描述大电流SGT MOSFET产品

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存957

9.5折

1+￥6.726
10+￥5.5195
30+￥4.864
100+￥4.123
500+￥3.8855
1000+￥3.743

现货最快4小时发货

广东仓: 913

江苏仓: 1

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

SP60P03GHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42372352

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 220A

导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V

耗散功率(Pd): 184W

描述大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1751

1+￥8.25
10+￥6.85
30+￥6.08
100+￥5.21
500+￥4.94
1000+￥4.76

现货最快4小时发货

广东仓: 1721

江苏仓: 1

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

SP020N09GHTF

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22466813

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 300W

描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：90A,Rdson：9mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存430

9.5折

1+￥12.0935
10+￥10.241
30+￥8.8825
90+￥7.695
510+￥7.1535
990+￥6.916

现货最快4小时发货

广东仓: 430

江苏仓: 1

30个/管

个

总额￥0

近期成交12单

SP1011CNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385429

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V；85mΩ@4.5V；95mΩ@-4.5V；85mΩ@-10V

耗散功率(Pd): 45W

描述N+P MOSFET产品，耐压：100V，电流：N 12A/P -15A, Rdson：N 90mR/P 90mR

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对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.228065
50+￥1.072455
150+￥1.005765
500+￥0.922545
2500+￥0.885495
5000+￥0.863265

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4880

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

SP40N02GTH

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385376

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 1.9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 110W

描述大电流SGT MOSFET产品

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.43944
50+￥1.128315
150+￥0.994935
500+￥0.810065
2500+￥0.735965
5000+￥0.691505

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4550

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

SP40N01GHNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385416

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 130W

描述大电流SGT MOSFET产品

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4648

9.5折

1+￥2.5555
10+￥2.2705
30+￥2.128
100+￥1.9855
500+￥1.843
1000+￥1.805

现货最快4小时发货

广东仓: 4647

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

SP012N07GHNK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22466825

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V

耗散功率(Pd): 105W

描述中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：80A,Rdson：7mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5000

9.5折

1+￥3.2775
10+￥2.6315
30+￥2.318
100+￥1.995
500+￥1.767
1000+￥1.6625

现货最快4小时发货

广东仓: 5000

江苏仓: 105

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

SP010P09GHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42404760

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 290W

描述大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-100V，电流： -150A,Rdson：9mR

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存843

1+￥9.71
10+￥8.03
30+￥7.1
100+￥6.06
500+￥5.76

现货最快4小时发货

广东仓: 824

江苏仓: 45

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

SP1012CP8

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOP-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385411

漏源电压(Vdss): 100V；100V

连续漏极电流(Id): 3A；2.5A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V；230mΩ@10V

耗散功率(Pd): 2W

描述N+P MOSFET产品，耐压：100V，电流：N 3A/P -2.5A, Rdson：N 120mR/P 230mR

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.04329
50+￥0.819185
150+￥0.723235
500+￥0.603345
2500+￥0.55005
5000+￥0.518035

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 8000

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

SP40P04NK

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41355035

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 4.9mΩ@10V；6.6mΩ@4.5V

描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-85A,RDSON:4.9mR

收藏
对比

SMT扩展库

5+￥2.1779
50+￥1.7228
150+￥1.5277
500+￥1.2843
2500+￥1.1759
5000+￥1.1109

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 7575

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

SP40N01AGNP

品牌: Siliup(矽普)

封装: PDFNWB-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385414

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 0.75mΩ@10V；1.2mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 180W

描述大电流SGT MOSFET产品

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥2.6505
10+￥2.337
30+￥2.185
100+￥2.033
500+￥1.938
1000+￥1.8905

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广东仓: 0

江苏仓: 2013

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

SP010N01BLGHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42404759

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 350A

导通电阻(RDS(on)): 1.3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 370W

描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：350A,Rdson：1.3mR

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1836

1+￥5.66
10+￥4.54
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广东仓: 1836

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

SP015N06GHTG

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385387

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 6.9mΩ@10V

耗散功率(Pd): 230W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT补贴嘉立创库存43

9.5折

1+￥6.9255
10+￥5.7285
30+￥5.0635
100+￥4.218
500+￥3.8855
1000+￥3.743

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广东仓: 42

江苏仓: 1561

50个/管

个

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近期成交11单

SP015N06GHTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385355

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 185A

导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V

耗散功率(Pd): 350W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20

9.5折

1+￥6.973
10+￥5.7285
30+￥5.0445
100+￥4.275
500+￥4.028
1000+￥3.876

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广东仓: 0

江苏仓: 709

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

SP40N01AAGTO

品牌: Siliup(矽普)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42404758

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 600A

导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 425W

描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：600A,Rdson：0.55mR

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1+￥7.32
10+￥5.95
30+￥5.2
100+￥4.35
500+￥3.97
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广东仓: 0

江苏仓: 1038

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

SP015N03BGHTD

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-263-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22385370

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 220A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@10V

耗散功率(Pd): 220W

描述大电流SGT MOSFET产品

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SMT补贴嘉立创库存725

9.5折

1+￥9.234
10+￥7.5905
30+￥6.688
100+￥5.7855
500+￥5.3295
1000+￥5.1205

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广东仓: 724

800个/圆盘

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总额￥0

近期成交5单

Siliup(矽普)

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