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深圳市龙晶微电子有限公司是一家半导体专业制造(分立器件及IC)的高科技企业,公司成立于1999年,公司现有厂房面积15000平方米,年生产能力达150亿只。 公司从瑞士,日本,新加坡,香港等国家和地区引进先进的全自动化生产线和检测设备,为生产高质量的产品打下了坚实的基础。产品封装包括DFN1006,DFN2510,DFN2020,SOD-323,SOD-123, SOT-23,SOT-23-3L/5L/6L,SOT-223,SOT-89,SOP8,ESOP8, TO-92,TO-92L,TO-251/252,TO-126, TO-220,TO-220F等多种外形分离器件及IC,目前主要产品有二、三极管系列、 MOS管系列、LDO系列、DC-DC系列、电源管理IC系列等。 在高水平的产品开发以及对产品应用领域的多年研究经验,造就了龙晶微公司的核心竞争力。以客户需求为主导的开发流程和科学有效的供应链保障,加之坚定的环保意识,使得龙晶微产品具备了满足客户利益的差异化竞争优势。公司积极倡导“开拓,创新, 诚信,共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌,以科技成就未来,以创新成就发展,努力为客户创造最大价值。公司新产品开发及应用方面在同行业中都名列前茅。 公司已通过ISO9001:2015质量管理体系及ISO14001:2015环境管理体系的认证,各类产品也都符合 ROHS、REACH及HF所规范之环保标准,我们的产品应用领域很广,4G、5G通讯、智能手机、智能家电、物联网、数码技术产品等众多领域。目前公司拥有高素质半导体制造的专业团队,当你选择了龙晶微,就是选择了永久可靠的供应商。客户的需求就是我们的追求,我们将通过不断的努力,为更多的客户提供更加优质的产品和服务,与您携手共创美好的未来!
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • BC817
  • 品牌: ALJ(龙晶微)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 300mW
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    • AO3401
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A 功率(Pd): 1W
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 3.5A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 41mΩ@4.5V,3A
    • 功率(Pd): 1W
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    • 2N7002K
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 功率: 350mW
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    • MMBT2222A
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 40V 功率(Pd): 300mW
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.25Ω@4.5V,0.22A
    • 功率(Pd): 350mW
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    • MMBTA42
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):300mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):350mW
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 300mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 300V
    • 功率(Pd): 350mW
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    • SI2302
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.5A 功率: 0.9W
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.9A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@4.5V,2.9A
    • 功率(Pd): 400mW
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    • BC856A
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 65V 功率: 200mW
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    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 30V
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    • 输出电流: 100mA
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    • S8550(2TY)
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:PNP型 集电极电流(Ic):800mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 800mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • MMBTA92
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 集电极电流(Ic): PNP 集射极击穿电压(Vceo): 300V 功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): Vce=-10V,Ic=-10mA,hFE 100~200
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 300V
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    • MMBT5551
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):300mW
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@2.5V,3A
    • 功率(Pd): 350mW
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    • SI2301
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.5A 功率: 0.4W
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    • S8050(J3Y)
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):800mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 800mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • BCX56-16
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-89
    • 描述: 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 1A 集射极击穿电压(Vceo): 80V 功率: 0.5W
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    • MMBT5401
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 150V 功率(Pd): 300mW
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
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    • MMBTA44
    • 品牌: ALJ(龙晶微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 丝印3D,这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装,非常适合现代精密电路设计。具有高达400V的VCeo及0.2A连续集电极电流(Ic),放大倍数在50至200之间,确保强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境,是您电子产品设计的理想三极管解决方案。
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