
ALJ(龙晶微)
进入品牌官网深圳市龙晶微电子有限公司成立于1999年,是一家专注于半导体专业制造的高科技企业,拥有15000平方米厂房,年生产能力达150亿只。公司引进了来自瑞士、日本、新加坡和香港等地的先进全自动化生产线和检测设备,确保产品质量。主要产品线包括二极管系列、三极管系列、MOS管系列、LDO系列、DC-DC系列以及电源管理IC系列。
深圳市龙晶微电子有限公司成立于1999年,是一家专注于半导体专业制造的高科技企业,拥有15000平方米厂房,年生产能力达150亿只。公司引进了来自瑞士、日本、新加坡和香港等地的先进全自动化生产线和检测设备,确保产品质量。主要产品线包括二极管系列、三极管系列、MOS管系列、LDO系列、DC-DC系列以及电源管理IC系列。
描述丝印FZT955
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描述丝印3D,这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装,非常适合现代精密电路设计。具有高达400V的VCeo及0.2A连续集电极电流(Ic),放大倍数在50至200之间,确保强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境,是您电子产品设计的理想三极管解决方案。
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描述晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):300mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):350mW
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描述晶体管类型:NPN型 集电极电流(Ic):800mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
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描述集电极电流(Ic): PNP 集射极击穿电压(Vceo): 300V 功率(Pd): 300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): Vce=-10V,Ic=-10mA,hFE 100~200
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描述丝印1GM
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描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 30V 功率: 200mW
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描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 500mA 集射极击穿电压(Vceo): 45V 功率: 300mW
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描述丝印Y1
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描述丝印Y2
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描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 1A 集射极击穿电压(Vceo): 80V 功率: 0.5W
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近期成交4单
描述晶体管类型:PNP型 集电极电流(Ic):800mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW
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描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 40V 功率: 300mW 产品描述:丝印2X
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描述晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 600mA 功率(Pd): 250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):Vce=-10V, Ic=-150mA,hfe 100~300
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描述晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 600mA 集射极击穿电压(Vceo): 40V 功率(Pd): 300mW
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描述类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 30V 连续漏极电流(Id): 4A 功率: 1.4W
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