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首页 > 品牌列表 > TD(钍地半导体) >
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深圳市钍地半导体电子有限公司,成立于2017年。是一家半导体元件研发商,集产品的设计、恒流驱动:电源管理、放大器、比较器、接口与驱动,逻辑器件,存储器EEPROM、高低压MOS、时基与时钟以及专用电路、模拟及混合信号产品的研发设计和销售管理。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • AT24C16D-STUM-T-TUDI
  • 品牌: TD(钍地半导体)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述: AT24C16提供16,384位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用,特别是在低功耗和低电压操作至关重要的场合。AT24C16可通过2线串行接口访问,工作电压范围为1.7V至5.5V。
  • 接口类型: I2C
  • 时钟频率(fc): 400kHz~1MHz
  • 工作电压: 1.7V~5.5V
  • 写周期时间(Tw): 1.9ms
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    • AT24C1024BN-SH-T
    • 品牌: TD(钍地半导体)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: AT24C1024是一款1M位(131,072 x 8)的I2C兼容串行EEPROM,支持低电压和标准电压操作,具有硬件数据保护功能,适用于工业和商业应用。
    • 接口类型: I2C
    • 时钟频率(fc): 400kHz~1MHz
    • 工作电压: 1.7V~5.5V
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    • CAT24C512WI-GT3-TUDI
    • 品牌: TD(钍地半导体)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: AT24C512/CAT24C512 是一款兼容I2C标准的EEPROM设备,支持128字节页写模式,工作电压范围为1.7V至5.5V,具有自定时写周期和硬件数据保护功能。
    • 接口类型: I2C
    • 时钟频率(fc): 400kHz~1MHz
    • 工作电压: 1.7V~5.5V
    • 写周期时间(Tw): 5ms
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    • 放大器数: 双路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 7.5V
    • 轨到轨: 轨到轨输出
    • 增益带宽积(GBP): 400MHz
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    • AT24C08C-STUM-T-TUDI
    • 品牌: TD(钍地半导体)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: AT24C08提供8192位(1024x8)的I2C兼容串行EEPROM,内部组织为1024个8位字。该设备适用于多种工业应用,支持1.7V至5.5V的工作电压。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 8Kbit
    • 时钟频率(fc): 400kHz~1MHz
    • 工作电压: 1.7V~5.5V
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    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 7.5V
    • 轨到轨: 轨到轨输出
    • 增益带宽积(GBP): 400MHz
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    • AT24C32D-STUM-T-TUDI
    • 品牌: TD(钍地半导体)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: AT24C32提供32K位(4096 x 8位)串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),适用于低功耗和低电压操作。支持1.8V至5.5V的工作电压,具有双向数据传输协议,内部组织为4096个8位字。兼容400kHz时钟频率。
    • 接口类型: I2C
    • 时钟频率(fc): 0kHz~400kHz
    • 工作电压: 1.8V~5.5V
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    • AT24C128C-XHM-T-TUDI
    • 品牌: TD(钍地半导体)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压,具有硬件数据保护功能,支持64字节页写模式,写周期寿命为1,000,000次,数据保留时间为40年。
    • 接口类型: I2C
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