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誉鸿锦

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒(SBD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、射频/功率放大器(RF PA)、深紫外发光二极管(UVC-LED)等,这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”!

  • 类目
    • 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
  • 封装
    • DFN-8(8x8)
    • DFN-4(9.8x10.4)
    • DFN-8(5x6)
    • TO-220
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  • 操作

氮化镓晶体管(GaN HEMT)
YHJ-65H225DDC
品牌
誉鸿锦
封装
DFN-8(5x6)
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C22458938
  • 收藏
  • 对比

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近期成交41单

氮化镓晶体管(GaN HEMT)
YHJ-65P150AMC
品牌
誉鸿锦
封装
DFN-8(8x8)
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C22458936
漏源电压
650V
连续漏极电流
12A
栅极电荷量
10nC
导通电阻
150mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

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近期成交25单

氮化镓晶体管(GaN HEMT)
YHJ-65H225AMC
品牌
誉鸿锦
封装
DFN-8(8x8)
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C22458937
  • 收藏
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近期成交6单

YHJ-65P150TK
YHJ-65P150TK
品牌
誉鸿锦
封装
TO-220
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C41371701
漏源电压
650V
连续漏极电流
12A
栅极电荷量
12nC
输入电容
505pF
  • 收藏
  • 对比
  • 7.86
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近期成交17单

YHJ-65P080DA
品牌
誉鸿锦
封装
DFN-8(8x8)
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C37328928
  • 收藏
  • 对比
  • 59.67
  • 23.81
  • 23.02
  • 22.62
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YHJ-65P80CF
品牌
誉鸿锦
封装
DFN-4(9.8x10.4)
类目
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
编号
C37328927
  • 收藏
  • 对比
  • 59.67
  • 23.81
  • 23.02
  • 22.62
需订货
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