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首页 > 品牌列表 > TDSEMIC(拓电半导体) >
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拓电半导体成立于2011年,公司主营集成电路生产与销售。公司业务包含(晶圆设计与流片)(集成电路封装与测试)(集成电路方案开发与销售)拓电半导体具有相关行业经验超过40年,并于2010年在四川遂宁投资创立封装测试代工厂以及电路原材料合金线工厂,同年公司在四川成都设立晶圆设计公司承接定制化集成电路开发设计及封装测试服务,并为客户提供具有自主知识产权的系统解决方案。 公司在四川遂宁工厂设立了研发中心及技术服务中心,组建了一支具有丰富专业知识和实践经验的团队,拥有自主关键技术与生产工艺调适能力。同时,公司为追求更高品质目标并满足品牌客户需求,建立了符合CNAS、TUV实验室行业标准的企业产品测试标准和质量体系。 产品广泛应用于消费电子、通讯、电力电子和工业控制等多个行业领域,客户遍布海内外市场,赢得了广泛的市场认可和声誉。。至2018年公司已经具备从电路设计到销售全产业链涉及。 拓电半导体:主营安防芯片、电源/电路管理芯片、运算放大器、LDO、存储IC、逻辑IC、时钟控制器电路、漏电保护器、LED面板显示驱动芯片 、LCD显示驱动、LED装饰驱动芯片、音频信号处理电路、线性恒流IC、通讯系列电路、触摸芯片,高中低压MOS,二三极管,电动工具以及小家电类单片机定制化等产品。
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    • 品牌: TDSEMIC(拓电半导体)
    • 封装: SOT-223
    • 描述: 输出类型:可调 最大输入电压: 18V .输出电压: ,可调型输出电压能在1.25V到13.8V调节 最大输出电流: 1A
    • 输出类型: 可调
    • 工作电压: 18V
    • 输出电压: 1.25V~13.8V
    • 输出电流: 1A
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    • 广东仓: 8480
      江苏仓: 11K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • SP3485EEN-TD
    • 品牌: TDSEMIC(拓电半导体)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: SP3485EEN是一款3.3V供电、半双工、低功耗,功能完全满足TIA/EIA-485标准要求的RS-485收发器。具有1/8负载,允许256个收发器并接在同一通信总线上,数据传输速率可达12Mbps。
    • 类型: 收发器
    • 工作电压: 3.3V
    • 数据速率: 12Mbps
    • 节点数: 256
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    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 10MHz
    • 输入失调电压(Vos): 5mV
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 1000+: 

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    • 51000+: 

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    • 广东仓: 1600
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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      ¥0.0203
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      江苏仓: 28K+
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    • 输出类型: 固定
    • 工作电压: 6.5V
    • 输出电压: 3.3V
    • 输出电流: 200mA
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    • 广东仓: 17K+
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V@3A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 3A
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