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翊欧半导体(EVVOSEMI)简称EVVO,是香港歷芯半導體(EVER SEMICONDUCTOR)旗下的自主品牌。自2014年起,我司团队始终专注于半导体研发、制造和销售业务。历经十年海外市场的耕耘,EVVO已成长为为行业领先的功率器件解决方案提供商,提供全面且高质量的功率器件,产品类型主要包括TVS管、晶体管、低功耗LDO、ESD管、MOSFET、IGBT和电源芯片等。EVVO系列产品以其可靠的品质和稳定的性能而闻名,并广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子和医疗设备等各个行业。EVVO全体团队源自国内知名原厂,拥有丰富的行业经验和深厚的技术积累,在激烈的业内竞争中暂露头角。此外,我们与包括Digi-Key 得捷电子在内的全球行业领导者们建立了良好的战略合作关系。
综合排序 价格 库存 销量
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清空
198
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • EV1SS184-S1
  • 品牌: EVVO(翊欧)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 此款SOT-23封装开关二极管适用于电源转换、电子开关电路及各类小型化设计。
  • 二极管配置: 一对共阴极
  • 正向压降(Vf): 900mV@100mA
  • 直流反向耐压(Vr): 80V
  • 整流电流: 100mA
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    • 二极管配置: 一对串联式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 215mA
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    • EVBC817-25-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款丝印为6B,封装SOT-23 NPN型三极管,具有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流能力,放大倍数范围160至400,适用于中等电压、中等电流环境下的高效放大与开关应用
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • EVBAT54-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款丝印KL1,封装SOT-23的肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 二极管配置: 1对共阳极
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 475mV@1500mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC856B-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 本款SOT-23封装PNP型三极管,放大倍数高达200至450,适用于低电压、微电流环境下的高增益放大应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC847B-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这器件采用 SOT-23 封装, NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC846B-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件采用 SOT-23 封装,NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC847A-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款NPN型三极管采用SOT-23封装,放大倍数在110至220范围内,适合于中等电压、低电流应用环境下的精密放大与开关电路设计。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC858C-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件采用 SOT-23 封装,PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • EVBC848C-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件采用 SOT-23 封装, NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC857B-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC857C-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EV2SC1623-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该器件具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力,其放大倍数宽幅可调(90-600)SOT-23封装NPN型三极管,专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 150mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 功率(Pd): 200mW
  • 领券
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    • EVBC856A-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件采用 SOT-23 封装, PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC857A-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该SOT-23封装PNP型三极管,放大倍数在110至220之间可调,适用于中等电压、低电流环境下的精密放大与开关电路设计。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBC846A-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • EVBAS40-04-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款SOT-23封装肖特基二极管,广泛应用于电源转换、高频信号检波及ESD保护电路中
    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1V@40mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 200mA
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    • EVBAS70-04-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。
    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1V@15mA
    • 直流反向耐压(Vr): 70V
    • 整流电流: 70mA
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    • EVBAS40-06-S1
    • 品牌: EVVO(翊欧)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。
    • 二极管配置: 1对共阳极
    • 正向压降(Vf): 1V@40mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 200mA
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    • 集电极电流(Ic): 800mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 32V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 正向压降(Vf): 1V@15mA
    • 直流反向耐压(Vr): 70V
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