我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
Existar(毅芯达)

Existar(毅芯达)

进入品牌官网

毅芯达(无锡)科技有限公司成立于2022年2月,位于无锡市滨湖区国家集成电路设计中心园区,是一家深耕功率器件研发、生产、销售和服务为一体的高科技企业公司。 公司核心研发人员均来自国内外著名高校和企业院所,设计经验超过二十余年。技术能力基于多种材料和工艺,可适用各种应用和市场。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 同步整流控制器
    多选
  • 封装
    • DFN-8(5x6)
    • TO-252
    • SOP-8
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TOLL-8L
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-220
    • TO-263
    • TO-247
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数45
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
E060N2P3HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781165
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
2.3mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)132W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)104nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6638pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5930
8
  • 1.504
  • 1.472
  • 1.448
  • 1.424
  • 1.344
现货最快4小时发货
广东仓
5919

5000/圆盘

总额0

近期成交79单

1个N沟道 耐压:100V 电流:83A
E100N4P0HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781176
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
83A
导通电阻(RDS(on))
4mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):83A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)74.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3841pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4462
9
  • 2.871
  • 2.277
  • 2.016
  • 1.701
  • 1.476
  • 1.386
现货最快4小时发货
广东仓
4450
江苏仓
768

5000/圆盘

总额0

近期成交31单

1个P沟道 耐压:100V 电流:38A
E38P100KH
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781155
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
38A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@10V

描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):38A功率(Pd)104W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)81nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)4387pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5000
  • 2.4716
  • 1.9877
  • 1.7804
  • 1.5216
  • 1.25
  • 1.1808
现货最快4小时发货
广东仓
4995

5000/圆盘

总额0

近期成交6单

1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
E100N8P5HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781178
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):45A功率(Pd)31W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)37.8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1684pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.9
  • 0.785
  • 0.735
  • 0.675
  • 0.605
  • 0.59
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4602

5000/圆盘

总额0

近期成交7单

1个N沟道 耐压:100V 电流:330A
E100N1P5OH1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TOLL-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781174
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
330A
导通电阻(RDS(on))
1.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):330A功率(Pd)430W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)258nC@10V输入电容(Ciss@Vds)15650pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

8
  • 5.664
  • 4.624
  • 4.056
  • 3.416
  • 3.304
  • 3.168
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1026

2000/圆盘

总额0

近期成交37单

1个N沟道 耐压:150V 电流:60A
E150N9P0HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781181
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)69nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3656pF@75V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1433
5
  • 2.14
  • 1.915
  • 1.805
  • 1.695
  • 1.44
  • 1.405
现货最快4小时发货
广东仓
1365

5000/圆盘

总额0

近期成交44单

1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
E40P100KC
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781154
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@10V

描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5061
  • 2.41
  • 1.88
  • 1.66
  • 1.38
  • 1.18
  • 1.11
现货最快4小时发货
广东仓
5061

2500/圆盘

总额0

近期成交42单

1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
E030N6P0ML1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN3.3x3.3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781159
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
6mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):30A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2430pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2360
8
  • 0.47232
  • 0.37088
  • 0.32024
  • 0.28224
  • 0.23704
  • 0.22176
现货最快4小时发货
广东仓
2230
江苏仓
2055

5000/圆盘

总额0

近期成交17单

1个N沟道 耐压:60V 电流:64A
E060N8P5HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781168
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
64A
导通电阻(RDS(on))
9.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):64A功率(Pd)63W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1040pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2042
8
  • 1.01056
  • 0.80088
  • 0.71104
  • 0.59896
  • 0.4812
  • 0.45128
现货最快4小时发货
广东仓
1745

5000/圆盘

总额0

近期成交37单

1个N沟道 耐压:30V 电流:180A
E030N2P0HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781158
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)114W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)102nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5095pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3830
  • 1.6061
  • 1.2836
  • 1.1453
  • 0.9728
  • 0.7917
  • 0.7456
现货最快4小时发货
广东仓
3830
江苏仓
360

5000/圆盘

总额0

近期成交10单

内含100V功率MOSFET,高性能同步整流控制芯片
EX9610PA
品牌
Existar(毅芯达)
封装
SOP-8
类目
同步整流控制器
编号
C29781186
适用AC-DC架构
反激式
是否内置MOS
内置
工作电压
5.5V~8V
MOS耐压
100V

描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.88
  • 0.765
  • 0.715
  • 0.655
  • 0.59
  • 0.575
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2832

4000/圆盘

总额0

近期成交17单

1个N沟道 耐压:100V 电流:62A
E100N6P0HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781177
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
62A
导通电阻(RDS(on))
6mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)41W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)56.1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2570pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.945
  • 0.825
  • 0.77
  • 0.705
  • 0.64
  • 0.62
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2406

5000/圆盘

总额0

近期成交22单

1个N沟道 耐压:100V 电流:54A
E100N010HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781179
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
54A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):54A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1520pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

8
  • 1.07152
  • 1.04944
  • 1.03464
  • 1.01992
  • 0.89472
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1040

5000/圆盘

总额0

近期成交3单

1个P沟道 耐压:30V 电流:66A
E030P4P0HL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781150
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
66A
导通电阻(RDS(on))
4mΩ@10V

描述1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):99A功率(Pd)58W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)130nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)7000pF@-15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.2161
  • 1.0682
  • 1.0049
  • 0.9258
  • 0.8413
  • 0.8202
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3140

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

N沟道,电流:145A,耐压:40V
E040N1P5OL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TOLL-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781162
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
145A
导通电阻(RDS(on))
1.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):40V连续漏极电流(Id):145A功率(Pd)140W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)124nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9000pF@20V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1188
  • 4.74
  • 3.88
  • 3.45
  • 3.02
  • 2.46
  • 2.32
现货最快4小时发货
广东仓
1188

2000/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:60V 电流:21A
E060N035CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781169
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
21A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):21A功率(Pd)33W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)32.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1052pF@30V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

8
  • 0.43128
  • 0.33912
  • 0.29304
  • 0.25848
  • 0.23272
  • 0.21888
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1160

2500/圆盘

总额0

近期成交6单

N沟道30V MOSFET
E030N5P2CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46470329
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
5.2mΩ@10V,20A

描述1个N沟道,30V,90A,5.2mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5270
  • 0.5351
  • 0.4223
  • 0.3659
  • 0.3236
  • 0.2897
  • 0.2728
现货最快4小时发货
广东仓
5250

2500/圆盘

总额0

近期成交6单

内含100V功率MOSFET,高性能同步整流控制芯片
EX9610PD
品牌
Existar(毅芯达)
封装
SOP-8
类目
同步整流控制器
编号
C29781187
适用AC-DC架构
反激式
是否内置MOS
内置
工作电压
5.5V~8V
MOS耐压
100V

描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2635
5
  • 0.71095
  • 0.55975
  • 0.49495
  • 0.4141
  • 0.33665
  • 0.315
现货最快4小时发货
广东仓
2610

4000/圆盘

总额0

近期成交7单

内含100V功率MOSFET,高性能同步整流控制芯片
EX9510
品牌
Existar(毅芯达)
封装
SOP-8
类目
同步整流控制器
编号
C29781184
适用AC-DC架构
反激式
是否内置MOS
内置
工作电压
5.5V~8V
MOS耐压
100V

描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.94
  • 0.83
  • 0.78
  • 0.72
  • 0.655
  • 0.635
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2552

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:60V 电流:64A
E060N8P5CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781167
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
64A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):64A功率(Pd)63W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)968pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

8
  • 0.95888
  • 0.75896
  • 0.6732
  • 0.56624
  • 0.49088
  • 0.46232
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
770

2500/圆盘

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
E030N5P8ML1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
PDFN3.3x3.3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781160
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
5.8mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V输入电容(Ciss@Vds)750pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.4891
  • 0.4319
  • 0.4033
  • 0.3819
  • 0.3447
  • 0.3361
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4820

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

P沟道,电流:-40A,耐压:-100V
E100P045CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781153
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@10V,40A

描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.89
  • 0.78
  • 0.735
  • 0.675
  • 0.615
  • 0.6
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
662

2500/圆盘

总额0

近期成交16单

内含60V功率MOSFET,高性能同步整流控制芯片
EX9506
品牌
Existar(毅芯达)
封装
SOP-8
类目
同步整流控制器
编号
C29781182
适用AC-DC架构
反激式
是否内置MOS
内置
工作电压
5.5V~8V
MOS耐压
60V

描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:60V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.5182
  • 0.4552
  • 0.4282
  • 0.3945
  • 0.3585
  • 0.3495
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2200

3000/圆盘

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:80V 电流:70A
E080N6P5CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781172
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):80V连续漏极电流(Id):70A功率(Pd)57.6W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)41.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1721pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.84
  • 0.82
  • 0.81
  • 0.8
  • 0.7
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
10

2500/圆盘

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:150V 电流:205A
E150N5P5GH1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781180
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
205A
导通电阻(RDS(on))
5.8mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):205A功率(Pd)517W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)142nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9325pF@75V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 10.92
  • 10.01
  • 8.92
  • 8.34
  • 8.07
  • 7.96
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
147

30/

总额0

近期成交15单

1个N沟道 耐压:65V 电流:62A
E065N9P5CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781170
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)
62A
导通电阻(RDS(on))
9.5mΩ@10V

描述1个N沟道漏源电压(Vdss):65V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)825pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.49115
  • 0.481
  • 0.47425
  • 0.46745
  • 0.4101
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
305

2500/圆盘

总额0

近期成交5单

N沟道30V MOSFET
E030N3P5CL1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46470328
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
3.5mΩ@10V,20A

描述1个N沟道,30V,120A,3.5mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2410
  • 0.6749
  • 0.5357
  • 0.4661
  • 0.4139
  • 0.3722
  • 0.3513
现货最快4小时发货
广东仓
2340

2500/圆盘

总额0

近期成交11单

1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
E18P100KC
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29781157
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
110mΩ@10V

描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):18A功率(Pd)36.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2110pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

6
  • 0.79824
  • 0.62892
  • 0.55632
  • 0.46578
  • 0.40194
  • 0.37776
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
665

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

内含100V功率MOSFET,高性能同步整流控制芯片
EX9610B
品牌
Existar(毅芯达)
封装
SOP-8
类目
同步整流控制器
编号
C29781185
适用AC-DC架构
反激式
是否内置MOS
内置
工作电压
5.5V~8V
MOS耐压
100V

描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 0.94
  • 0.83
  • 0.78
  • 0.72
  • 0.655
  • 0.635
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1626

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

N沟道,80V MOSFET
E080N8P7DH1
品牌
Existar(毅芯达)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46470327
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
8.7mΩ@10V,40A

描述1个N沟道,80V,80A,8.7mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存465
  • 2.3191
  • 1.8302
  • 1.6207
  • 1.3592
  • 1.2428
  • 1.173
现货最快4小时发货
广东仓
465

800/圆盘

总额0

近期成交3单