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进入品牌官网毅芯达(无锡)科技有限公司成立于2022年2月,位于无锡市滨湖区国家集成电路设计中心园区,是一家深耕功率器件研发、生产、销售和服务为一体的高科技企业公司。 公司核心研发人员均来自国内外著名高校和企业院所,设计经验超过二十余年。技术能力基于多种材料和工艺,可适用各种应用和市场。
毅芯达(无锡)科技有限公司成立于2022年2月,位于无锡市滨湖区国家集成电路设计中心园区,是一家深耕功率器件研发、生产、销售和服务为一体的高科技企业公司。 公司核心研发人员均来自国内外著名高校和企业院所,设计经验超过二十余年。技术能力基于多种材料和工艺,可适用各种应用和市场。
描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):330A功率(Pd)430W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)258nC@10V输入电容(Ciss@Vds)15650pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)132W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)104nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6638pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)69nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3656pF@75V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):83A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)74.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3841pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):38A功率(Pd)104W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)81nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)4387pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):45A功率(Pd)31W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)37.8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1684pF@50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):64A功率(Pd)63W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1040pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):30A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2430pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)114W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)102nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5095pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)41W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)56.1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2570pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ
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描述1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):99A功率(Pd)58W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)130nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)7000pF@-15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):21A功率(Pd)33W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)32.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1052pF@30V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
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描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)102W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)98nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2300pF@-25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):64A功率(Pd)63W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)968pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):54A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1520pF@25V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):205A功率(Pd)517W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)142nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9325pF@75V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V输入电容(Ciss@Vds)750pF@15V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:60V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ
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描述1个N沟道,30V,90A,5.2mΩ@10V
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描述1个N沟道,30V,120A,3.5mΩ@10V
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描述1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):18A功率(Pd)36.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@-10V输入电容(Ciss@Vds)2110pF@-50V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道,80V,81A,8.7mΩ@10V
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):65V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)825pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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描述1个N沟道工作模式SSR-CCM/DCM/QR频率(KHz):<170功率管耐压:100V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ
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描述1个N沟道漏源电压(Vdss):80V连续漏极电流(Id):70A功率(Pd)57.6W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)41.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1721pF@30V工作温度-55 ℃~+ 150℃@(Tj)
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近期成交2单
描述1个N沟道漏源电压(Vdss):68V连续漏极电流(Id):69A功率(Pd)103W阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)55.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2710pF@30V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
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