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PCB/SMT 工业品

DOINGTER(杜因特)

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深圳市杜因特半导体有限公司：致力于功率半导体的开发、生产、销售，主要产品为:MOS场效应管。公司产品广泛应用于开关电源、PD快充、光伏储能、逆变器，LED照明、电动玩具、电动车、航模、UPS、锂电保护、BMS、喷雾器、无线充、便携式多媒体、液晶电视等产品以及安防监控、医疗保健设备、仪器仪表和汽车电子等工控类产品。公司目前拥有3个芯片设计团队、5个晶圆厂流片产能、投资合作10个封装厂，整合了晶圆设计、流片、封测、应用整个产业链的资源，为广大电子设计从业者提供稳定产品供应、精准的器件选型和灵活高效的服务!产品类型丰富:Trench，sGT，Planar，super-Junction(研发中)，封装齐全，参数范围跨度大，产品能满足国内绝大部分应用 MOSFET的场合。目前公司开始布局车规级、IGBT以及第三代半导体产品(氮化镓和碳化硅)。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- DC-DC电源芯片
多选
封装
- TO-252
- SOP-8
- DFN-8(5x6)
- DFN-8(3x3)
- SOT-23(TO-236)
- TO-220
- TO-220F
- DFN3x3-8D
- TO-251
- TO-252-4
- SOT-89
- TO-263
- DIP-14
- SOT-223
- SOT-23-6
- TOLL-8L
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOT-523
- TDFN3333-8PL
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数548

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:20V 电流:2A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384537

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 125mΩ@4.5V

描述1个P沟道/-20V/-2A/95MΩ/(典型125MΩ)/150pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存105K+

9.5折

50+￥0.0533
500+￥0.042
3000+￥0.035
6000+￥0.02964
24000+￥0.0266
51000+￥0.02489

现货最快4小时发货

广东仓: 103K+

江苏仓: 143K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:20V 电流:2.8A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384540

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.8A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@4.5V

描述1个N沟道/20V/2.8A/55MΩ/(典型45MΩ)/180pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存198K+

返10%

100+￥0.0517
1000+￥0.0409
3000+￥0.0349
9000+￥0.0313
51000+￥0.0282
99000+￥0.0265

现货最快4小时发货

广东仓: 197K+

江苏仓: 101K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交82单

1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384538

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.1A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V

描述1个P沟道/-30V/-4.1A/55MΩ/(典型37MΩ)/575pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

20+￥0.1462
200+￥0.1122
600+￥0.0933
3000+￥0.082
9000+￥0.0721
21000+￥0.0668

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

江苏仓: 30K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

1个P沟道耐压:30V 电流:10A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367295

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)/1229PF

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

10+￥0.3944
100+￥0.3113
300+￥0.2698
3000+￥0.2335
6000+￥0.2086
9000+￥0.1961

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

江苏仓: 4620

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499181

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 36mΩ@10V

描述N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

9.3折

10+￥0.4669
100+￥0.3752
300+￥0.3293
2500+￥0.265422
5000+￥0.239847
10000+￥0.227013

现货最快4小时发货

广东仓: 25K+

江苏仓: 8070

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交54单

1个N沟道耐压:30V 电流:5A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384542

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

描述1个N沟道/30V/5A/30MΩ/(典型25MΩ)/660pF

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对比

50+￥0.0717
500+￥0.0621
3000+￥0.0567
6000+￥0.0535
24000+￥0.0507
51000+￥0.0492

现货最快4小时发货

广东仓: 26K+

江苏仓: 31K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

1个N沟道耐压:100V 电流:3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430600

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 280mΩ@10V

描述N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)

收藏
对比

9.3折

20+￥0.166842
200+￥0.131688
600+￥0.112158
3000+￥0.093279
9000+￥0.083142
21000+￥0.077655

现货最快4小时发货

广东仓: 37K+

江苏仓: 49K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6.7A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499172

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 6.7A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

描述N+P管/40V/6A/35mΩ(典型28mΩ)

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

9.3折

10+￥0.3667
100+￥0.2942
300+￥0.258
3000+￥0.207669
6000+￥0.187395
9000+￥0.177351

现货最快4小时发货

广东仓: 16K+

江苏仓: 5100

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交85单

1个N沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499164

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

描述N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

9.5折

10+￥0.3865
100+￥0.3078
300+￥0.2684
1000+￥0.226955
5000+￥0.204535
10000+￥0.193325

现货最快4小时发货

广东仓: 15K+

江苏仓: 2680

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

1个N沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416042

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

描述N管/30V/40A/10MΩ/(典型8.5MΩ)/896pF

收藏
对比

9.5折

10+￥0.4187
100+￥0.3343
300+￥0.292
1000+￥0.247285
5000+￥0.218215
10000+￥0.20615

现货最快4小时发货

广东仓: 29K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

1个N沟道耐压:100V 电流:11.3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499182

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 11.3A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V

描述N管/100V/12A/120mΩ(典型86mΩ)

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

5+￥0.472
50+￥0.3732
150+￥0.3237
500+￥0.2866
2500+￥0.2508
5000+￥0.236

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

江苏仓: 185

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430602

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

描述N管/100V/45A/16MΩ/(典型13.9MΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4893

返10%

5+￥1.6424
50+￥1.2888
150+￥1.1483
500+￥0.9731
2500+￥0.8951
5000+￥0.8483

现货最快4小时发货

广东仓: 4820

江苏仓: 4260

50个/管

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6.3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8D

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367287

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@10V

描述N+P管/30V/6.3A/24mΩ(典型值18mΩ)/489PF

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4052

9折

10+￥0.24696
100+￥0.21834
300+￥0.20403
3000+￥0.19332
6000+￥0.18468
9000+￥0.18036

现货最快4小时发货

广东仓: 3250

江苏仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499183

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述N管/60V/50A/15mΩ(典型11mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

5+￥0.583
50+￥0.4633
150+￥0.4035
500+￥0.3586
2500+￥0.3227
5000+￥0.3047

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 5140

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

1个N沟道耐压:60V 电流:35A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499167

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述N管/60V/35A/15mΩ(典型11mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

5+￥0.6118
50+￥0.4836
150+￥0.4195
500+￥0.3715
2500+￥0.333
5000+￥0.3138

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

江苏仓: 13K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交87单

1个P沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499177

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述P管/-30V/-40A/15mΩ(典型12mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

9.5折

5+￥0.6237
50+￥0.498
150+￥0.4351
500+￥0.368505
2500+￥0.32167
5000+￥0.303715

现货最快4小时发货

广东仓: 26K+

江苏仓: 4790

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

1个P沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384256

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V

描述1个P沟道/-30V/-40A/11MΩ/(典型8.5MΩ)/1779pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4

返10%

5+￥0.4612
50+￥0.4094
150+￥0.3835
500+￥0.3641
2500+￥0.3485
5000+￥0.3407

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 9620

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交45单

1个P沟道耐压:60V 电流:13A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430593

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

描述P管/-60V/-13A/90MΩ/(典型80MΩ)

收藏
对比

9.3折

5+￥0.7605
50+￥0.6112
150+￥0.5366
500+￥0.446958
2500+￥0.396645
5000+￥0.375813

现货最快4小时发货

广东仓: 9595

江苏仓: 16K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交16单

1个P沟道耐压:40V 电流:45A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430591

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述P管/-40V/-45A/15MΩ/(典型9.5MΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18K+

5+￥0.8477
50+￥0.6701
150+￥0.5813
500+￥0.5147
2500+￥0.4614
5000+￥0.4348

现货最快4小时发货

广东仓: 18K+

江苏仓: 7190

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交49单

1个N沟道耐压:60V 电流:3.2A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367399

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3.2A

导通电阻(RDS(on)): 100mΩ@10V

描述N管/60V/3.2A/100mΩ(典型86mΩ)/325pF

收藏
对比

9.5折

20+￥0.13737
200+￥0.107635
600+￥0.091105
3000+￥0.07847
9000+￥0.069825
21000+￥0.065265

现货最快4小时发货

广东仓: 41K+

江苏仓: 11K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个N沟道耐压:20V 电流:60A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416027

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@4.5V

描述N管/20V/60A/6.5MΩ/(典型4.8MΩ)/1831pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

8.8折

10+￥0.415096
100+￥0.3344
300+￥0.294096
2500+￥0.263824
5000+￥0.239624
10000+￥0.22748

现货最快4小时发货

广东仓: 16K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

1个N沟道耐压:60V 电流:30A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499179

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 21mΩ@10V

描述N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+

9.2折

5+￥0.4829
50+￥0.3948
150+￥0.3508
500+￥0.292284
2500+￥0.258612
5000+￥0.246376

现货最快4小时发货

广东仓: 27K+

江苏仓: 8555

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

1个N沟道耐压:40V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42374591

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V

描述N管/40V/50A/7.5MΩ/(典型5.7MΩ)

收藏
对比

9.6折

5+￥0.6049
50+￥0.4782
150+￥0.4148
500+￥0.352608
2500+￥0.316128
5000+￥0.297792

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广东仓: 0

江苏仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384262

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述1个N沟道/30V/100A/3MΩ/(典型2.5MΩ)/3499pF

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1575

5+￥0.6118
50+￥0.5372
150+￥0.4999
500+￥0.4719
2500+￥0.4383
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广东仓: 1545

江苏仓: 22K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

N沟道MOSFET

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48542676

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 70A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V

耗散功率(Pd): 73.5W

描述N管/30V/70A/6mΩ/(典型值4.5mΩ)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9363

9.5折

5+￥0.6488
50+￥0.5168
150+￥0.4508
500+￥0.381235
2500+￥0.343615
5000+￥0.324805

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广东仓: 9355

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416030

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 68mΩ@10V

描述P管/-60V/-20A/68MΩ/(典型60.9MΩ)/1961pF

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9.6折

5+￥0.7103
50+￥0.5634
150+￥0.49
500+￥0.417504
2500+￥0.366336
5000+￥0.345216

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广东仓: 2025

江苏仓: 6950

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

1个P沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430590

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V

描述P管/-60V/-50A/20MΩ/(典型17MΩ)

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对比

5+￥1.5592
50+￥1.22
150+￥1.0746
500+￥0.8933
2500+￥0.7923
5000+￥0.7439

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广东仓: 11K+

江苏仓: 10K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

三相半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: QFN-24-EP(4x4)

类目: 栅极驱动芯片

编号: C42386238

驱动配置: 半桥

负载类型: MOSFET；IGBT

驱动通道数: 3

灌电流(IOL): 1.5A

描述250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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1+￥2.57
10+￥2.01
30+￥1.77
100+￥1.47
500+￥1.33
1000+￥1.25

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广东仓: 5000

江苏仓: 98

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交95单

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499184

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4mΩ@10V

描述N管/30V/100A/4mΩ(典型3.3mΩ)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存619

5+￥0.6476
50+￥0.5137
150+￥0.4467
500+￥0.3965
2500+￥0.348
5000+￥0.3279

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广东仓: 510

江苏仓: 8005

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

N沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42386234

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

耗散功率(Pd): 42W

描述N管/60V/50A/13MΩ/(典型10MΩ)

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9.6折

5+￥0.763
50+￥0.6031
150+￥0.5232
500+￥0.444768
2500+￥0.398688
5000+￥0.375648

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广东仓: 9895

江苏仓: 2280

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单