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DOINGTER(杜因特)

网址： http://www.doingter.cn/

深圳市杜因特半导体有限公司：致力于功率半导体的开发、生产、销售，主要产品为:MOS场效应管。公司产品广泛应用于开关电源、PD快充、光伏储能、逆变器，LED照明、电动玩具、电动车、航模、UPS、锂电保护、BMS、喷雾器、无线充、便携式多媒体、液晶电视等产品以及安防监控、医疗保健设备、仪器仪表和汽车电子等工控类产品。公司目前拥有3个芯片设计团队、5个晶圆厂流片产能、投资合作10个封装厂，整合了晶圆设计、流片、封测、应用整个产业链的资源，为广大电子设计从业者提供稳定产品供应、精准的器件选型和灵活高效的服务!产品类型丰富:Trench，sGT，Planar，super-Junction(研发中)，封装齐全，参数范围跨度大，产品能满足国内绝大部分应用 MOSFET的场合。目前公司开始布局车规级、IGBT以及第三代半导体产品(氮化镓和碳化硅)。

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类目：

封装：

TO-252 (51)

SOP-8 (24)

DFN-8(3x3) (18)

SOT-23(TO-236) (16)

TO-220 (12)

SOT-23-3L (11)

DFN-8(5x6) (9)

TO-263 (3)

包装：

编带 (134)

管装 (13)

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DOZ40P02 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(3x3) 描述: 1个P沟道/-20V/-40A/9MΩ/(典型7MΩ)/2697pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@4.5V,40A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384257 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 5+: ￥0.5455 50+: ￥0.4451 150+: ￥0.3949 500+: ￥0.3572 2500+: ￥0.3271 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4010 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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DO2301E-Q 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道/-20V/-2A/95MΩ/(典型125MΩ)/150pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@4.5V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384537 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 100+: ￥0.0413 1000+: ￥0.0332 3000+: ￥0.0287 9000+: ￥0.026 51000+: ￥0.0237 99000+: ￥0.0224 现货最快4H发广东仓: 141K 江苏仓: 1700 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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2N7002K 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: N管/60V/0.3A/2300mΩ(典型1800mΩ) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 300mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.3Ω@10V,0.3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499173 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0528 500+: ￥0.0424 3000+: ￥0.0367 6000+: ￥0.0332 24000+: ￥0.0302 51000+: ￥0.0286 现货最快4H发广东仓: 64K+ 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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DO2302E-Q 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道/20V/2.8A/55MΩ/(典型45MΩ)/180pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@4.5V,2.8A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384540 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 100+: ￥0.039 1000+: ￥0.0314 3000+: ￥0.0271 9000+: ￥0.0246 现货最快4H发广东仓: 39K 江苏仓: 900 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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DOD20N06 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: TO-252 描述: N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,10A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499181 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 10+: ￥0.4151 100+: ￥0.3387 300+: ￥0.3005 2500+: ￥0.2718 5000+: ￥0.2489 现货最快4H发广东仓: 5000 江苏仓: 1050 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购


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DO2310DA 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23-3 描述: N管/60V/3.2A/100mΩ(典型86mΩ)/325pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367399 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.076 200+: ￥0.0744 600+: ￥0.0733 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1100 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交21单已加购


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DO3404BA 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23-3 描述: N管/30V/5.8A/24mΩ(典型16mΩ)/477pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367398 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.0865 200+: ￥0.0846 600+: ￥0.0834 2000+: ￥0.0821 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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DO2310D 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: N管/60V/3A/100mΩ(典型86mΩ)/325pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367407 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0642 500+: ￥0.0628 1500+: ￥0.0619 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2100 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


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DO3400D 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道/30V/5A/30MΩ/(典型25MΩ)/660pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,4A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384542 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0986 500+: ￥0.0793 3000+: ￥0.0685 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2150 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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DO3N10SA 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23-3 描述: N管/100V/3A/286mΩ(典型220mΩ)/320pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 286mΩ@10V,2A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367400 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.076 200+: ￥0.0744 600+: ￥0.0733 2000+: ￥0.0721 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2040 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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DOD40P03 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: TO-252 描述: P管/-30V/-40A/15mΩ(典型12mΩ) 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ@10V,10A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499177 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.5694 50+: ￥0.4646 150+: ￥0.4122 500+: ￥0.3729 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2290 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


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DOP15N10 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道/100V/15A/90MΩ/(典型75MΩ)/1030pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,7A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384274 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥1.0671 50+: ￥0.8659 150+: ￥0.7797 500+: ￥0.6721 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 640 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购


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9折 DON130N06 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(5x6) 描述: SGT工艺/1个N沟道/60V/130A/3MΩ/(典型2.4MΩ)/5377pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 130A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,20A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384267 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 9 折订单数量按照以下: 第一阶梯9折第二阶梯9折第三阶梯9折第四阶梯9折第五阶梯9折第六阶梯9折 9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥2.349 ￥1.908 ￥1.719 ￥1.485 ￥1.377 ￥1.314 原价￥2.61 ￥2.12 ￥1.91 ￥1.65 ￥1.53 ￥1.46 1+: ￥2.349 10+: ￥1.908 30+: ￥1.719 100+: ￥1.485 500+: ￥1.377 1000+: ￥1.314 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4690 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交61单已加购


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DON70N04 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 1个N沟道/40V/70A/8.5MΩ/(典型6.5MΩ)/1278pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,15A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384264 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.6693 50+: ￥0.5461 150+: ￥0.4845 500+: ￥0.4383 2500+: ￥0.4014 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4475 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交33单已加购


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ZC010DNG 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8D(3x3) 描述: N+N管/30V/35A/11mΩ(典型9.2mΩ) 类型: 2个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 35A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,20A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499170 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.4911 50+: ￥0.4007 150+: ￥0.3555 500+: ￥0.3216 2500+: ￥0.2945 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4800 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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DO3404B 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: N管/30V/5.8A/25mΩ(典型18mΩ)/489pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,5.5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367406 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.076 200+: ￥0.0744 600+: ￥0.0733 2000+: ￥0.0721 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2420 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购


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DO2300B 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: N管/20V/5.2A/25mΩ(典型21mΩ)/630pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 5.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,6A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367404 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0511 500+: ￥0.05 1500+: ￥0.0493 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2550 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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DO3407B 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道/-30V/-4.1A/55MΩ/(典型37MΩ)/575pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,4A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384538 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.1445 200+: ￥0.1162 600+: ￥0.1004 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2580 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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DO2301B 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: P管/-20V/-3A/55mΩ(典型43mΩ)/477pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@4.5V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367403 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0616 500+: ￥0.0603 1500+: ￥0.0594 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2650 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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DO3402A 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: N管/30V/4A/42mΩ(典型35mΩ)/434pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10V,4A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367405 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.0511 500+: ￥0.05 1500+: ￥0.0493 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2650 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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DO3401B 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道/-30V/-4.2A/52MΩ/(典型40MΩ)/670pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 52mΩ@10V,4.3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384539 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.1399 200+: ￥0.1125 600+: ￥0.0972 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2640 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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DO3407BA 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23-3 描述: P管/-30V/-4.3A/55mΩ(典型37mΩ)/580pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,4.1A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41367402 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 20+: ￥0.0944 200+: ￥0.0923 600+: ￥0.0909 2000+: ￥0.0895 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2800 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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DO2302D-Q 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道/20V/3A/42MΩ/(典型32MΩ)/220pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@4.5V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384541 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 50+: ￥0.062 500+: ￥0.0498 3000+: ￥0.0431 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2950 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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DOD30N06 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: TO-252 描述: N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,15A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499179 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.4433 50+: ￥0.3617 150+: ￥0.3209 500+: ￥0.2903 2500+: ￥0.2659 5000+: ￥0.2536 现货最快4H发广东仓: 25K 江苏仓: 2130 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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DOS4614S 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: SOP-8 描述: N+P管/40V/6A/35mΩ(典型28mΩ) 类型: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499172 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 10+: ￥0.3282 100+: ￥0.2678 300+: ￥0.2376 3000+: ￥0.2149 6000+: ￥0.1968 9000+: ￥0.1877 现货最快4H发广东仓: 15K 江苏仓: 2530 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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DOZ30N03 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(3x3) 描述: N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ) 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,10A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C36499164 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 10+: ￥0.3564 100+: ￥0.2908 300+: ￥0.258 1000+: ￥0.2334 5000+: ￥0.2137 10000+: ￥0.2039 现货最快4H发广东仓: 9930 江苏仓: 4870 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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DOZ40P03 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(3x3) 描述: 1个P沟道/-30V/-40A/11MΩ/(典型8.5MΩ)/1779pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,12A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384256 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.5629 50+: ￥0.4593 150+: ￥0.4075 500+: ￥0.3686 2500+: ￥0.3375 5000+: ￥0.322 现货最快4H发广东仓: 10K 江苏仓: 2955 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交23单已加购


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DOZ100N03 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(3x3) 描述: 1个N沟道/30V/100A/3MΩ/(典型2.5MΩ)/3499pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,30A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384262 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.8106 50+: ￥0.6614 150+: ￥0.5868 500+: ￥0.5308 2500+: ￥0.4861 5000+: ￥0.4637 现货最快4H发广东仓: 5000 江苏仓: 4420 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交32单已加购


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DOP10P10 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: TO-220 描述: 1个P沟道/-100V/-10A/300MΩ/(典型260MΩ)/1198pF 类型: 1个P沟道漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 300mΩ@10V,3A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384271 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥1.1495 50+: ￥0.9328 150+: ￥0.8399 500+: ￥0.724 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 990 个个管个个管个个管 50个/管总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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DON60N03 品牌: DOINGTER(杜因特) 封装: DFN-8(5x6) 描述: 1个N沟道/30V/60A/7MΩ/(典型5.5MΩ)/1115pF 类型: 1个N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,20A 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: C41384266 详细: 数据手册领券 16-15 立即领取 5+: ￥0.5802 50+: ￥0.4734 150+: ￥0.42 500+: ￥0.38 2500+: ￥0.3479 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4600 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 5000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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