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PCB/SMT 工业品

DOINGTER(杜因特)

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深圳市杜因特半导体有限公司：致力于功率半导体的开发、生产、销售，主要产品为:MOS场效应管。公司产品广泛应用于开关电源、PD快充、光伏储能、逆变器，LED照明、电动玩具、电动车、航模、UPS、锂电保护、BMS、喷雾器、无线充、便携式多媒体、液晶电视等产品以及安防监控、医疗保健设备、仪器仪表和汽车电子等工控类产品。公司目前拥有3个芯片设计团队、5个晶圆厂流片产能、投资合作10个封装厂，整合了晶圆设计、流片、封测、应用整个产业链的资源，为广大电子设计从业者提供稳定产品供应、精准的器件选型和灵活高效的服务!产品类型丰富:Trench，sGT，Planar，super-Junction(研发中)，封装齐全，参数范围跨度大，产品能满足国内绝大部分应用 MOSFET的场合。目前公司开始布局车规级、IGBT以及第三代半导体产品(氮化镓和碳化硅)。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- DC-DC电源芯片
多选
封装
- TO-252
- SOP-8
- DFN-8(5x6)
- DFN-8(3x3)
- SOT-23(TO-236)
- TO-220
- TO-220F
- TO-251
- TO-252-4
- SOT-89
- TO-263
- DFN-8(3.3x3.3)
- DIP-14
- SOT-223
- SOT-23-6
- TOLL-8L
- DFN-6(2x2)
- SOT-523(SC-75)
- TO-263-5
- QFN-24-EP(4x4)
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数548

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:20V 电流:2A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384537

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)): 125mΩ@4.5V

描述P管/-20V/-2A/95mΩ/(典型125mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存200K+

9.2折

50+￥0.0533
500+￥0.0419
3000+￥0.035
6000+￥0.028704
24000+￥0.025668
51000+￥0.024104

现货最快4小时发货

广东仓: 199K+

江苏仓: 76K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个P沟道耐压:30V 电流:10A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367295

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存35K+

8.8折

10+￥0.372328
100+￥0.2992
300+￥0.26268
3000+￥0.230736
6000+￥0.208824
9000+￥0.197824

现货最快4小时发货

广东仓: 35K+

江苏仓: 4610

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499181

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 36mΩ@10V

描述N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24K+

9.2折

10+￥0.4669
100+￥0.3752
300+￥0.3293
2500+￥0.262568
5000+￥0.237268
10000+￥0.224572

现货最快4小时发货

广东仓: 23K+

江苏仓: 8040

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交48单

1个N沟道耐压:30V 电流:5A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384542

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

描述N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

收藏
对比

50+￥0.1033
500+￥0.0801
3000+￥0.0672
6000+￥0.0595
24000+￥0.0528
51000+￥0.0492

现货最快4小时发货

广东仓: 125K+

江苏仓: 28K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交34单

1个N沟道耐压:100V 电流:3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430600

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 280mΩ@10V

描述N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)

收藏
对比

9.5折

20+￥0.1279
200+￥0.1122
600+￥0.1034
3000+￥0.085975
9000+￥0.081605
21000+￥0.079325

现货最快4小时发货

广东仓: 62K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交31单

1个N沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499164

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

描述N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+

9.2折

10+￥0.3865
100+￥0.3078
300+￥0.2684
1000+￥0.219788
5000+￥0.198076
10000+￥0.18722

现货最快4小时发货

广东仓: 22K+

江苏仓: 1790

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交58单

1个N沟道耐压:30V 电流:9A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42374608

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

描述N管/30V/9A/10mΩ/(典型9mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存31K+

9.5折

20+￥0.2419
200+￥0.1884
600+￥0.1587
2000+￥0.133855
10000+￥0.119225
20000+￥0.11134

现货最快4小时发货

广东仓: 31K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

1个N沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416042

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

描述N管/30V/40A/10mΩ/(典型8.5mΩ)

收藏
对比

9.2折

10+￥0.4187
100+￥0.3343
300+￥0.292
1000+￥0.239476
5000+￥0.211324
10000+￥0.19964

现货最快4小时发货

广东仓: 29K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

1个N沟道耐压:60V 电流:35A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499167

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述N管/60V/35A/15mΩ(典型11mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

9.5折

5+￥0.4379
50+￥0.3845
150+￥0.3578
500+￥0.32091
2500+￥0.30571
5000+￥0.29811

现货最快4小时发货

广东仓: 13K+

江苏仓: 13K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交99单

1个P沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499166

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述P管/-30V/-30A/15mΩ(典型12mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+

9.2折

5+￥0.518
50+￥0.4134
150+￥0.3611
500+￥0.296056
2500+￥0.267168
5000+￥0.252816

现货最快4小时发货

广东仓: 14K+

江苏仓: 2070

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交68单

1个P沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499177

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

描述P管/-30V/-40A/15mΩ(典型12mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+

9.2折

5+￥0.6237
50+￥0.498
150+￥0.4351
500+￥0.356868
2500+￥0.311512
5000+￥0.294124

现货最快4小时发货

广东仓: 25K+

江苏仓: 4740

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

三相半桥MOSFET/IGBT栅极驱动器

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: QFN-24-EP(4x4)

类目: 栅极驱动芯片

编号: C42386238

驱动配置: 半桥

负载类型: MOSFET；IGBT

驱动通道数: 3

灌电流(IOL): 1.5A

描述250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

收藏
对比

1+￥2.57
10+￥2.01
30+￥1.77
100+￥1.47
500+￥1.33
1000+￥1.25

现货最快4小时发货

广东仓: 4967

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6.3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8D

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367287

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@10V

描述N+P管/30V/6.3A/24mΩ(典型值18mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3702

9折

10+￥0.34011
100+￥0.27144
300+￥0.23706
3000+￥0.21132
6000+￥0.19071
9000+￥0.18036

现货最快4小时发货

广东仓: 3410

江苏仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6.7A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499172

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 6.7A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

描述N+P管/40V/6A/35mΩ(典型28mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9291

9.2折

10+￥0.3667
100+￥0.2942
300+￥0.258
3000+￥0.205436
6000+￥0.18538
9000+￥0.175444

现货最快4小时发货

广东仓: 9170

江苏仓: 4820

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交63单

1个N沟道耐压:60V 电流:30A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499179

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 21mΩ@10V

描述N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

8.8折

5+￥0.415976
50+￥0.338448
150+￥0.299728
500+￥0.2706
2500+￥0.238392
5000+￥0.226688

现货最快4小时发货

广东仓: 26K+

江苏仓: 8330

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交39单

1个P沟道耐压:60V 电流:13A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430593

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V

描述P管/-60V/-13A/90mΩ/(典型80mΩ)

收藏
对比

8.8折

5+￥0.66924
50+￥0.537856
150+￥0.472208
500+￥0.422928
2500+￥0.37532
5000+￥0.355608

现货最快4小时发货

广东仓: 9595

江苏仓: 15K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41430602

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

描述N管/100V/45A/16mΩ/(典型13.9mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+

返10%

5+￥1.6422
50+￥1.2886
150+￥1.1482
500+￥0.973
2500+￥0.895
5000+￥0.8482

现货最快4小时发货

广东仓: 19K+

50个/管

个

总额￥0

近期成交100单+

1个N沟道耐压:20V 电流:2.8A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384540

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.8A

导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@4.5V

描述N管/20V/2.8A/55mΩ/(典型45mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存165K+

返10%

100+￥0.0517
1000+￥0.0409
3000+￥0.0349
9000+￥0.0313
51000+￥0.0282
99000+￥0.0265

现货最快4小时发货

广东仓: 164K+

江苏仓: 94K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交88单

1个N沟道耐压:60V 电流:3.2A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41367399

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3.2A

导通电阻(RDS(on)): 100mΩ@10V

描述N管/60V/3.2A/100mΩ(典型86mΩ)

收藏
对比

9.4折

20+￥0.135924
200+￥0.106502
600+￥0.090146
3000+￥0.077644
9000+￥0.06909
21000+￥0.064578

现货最快4小时发货

广东仓: 37K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

1个N沟道耐压:20V 电流:60A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416027

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@4.5V

描述N管/20V/60A/6.5mΩ/(典型4.8mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

8.8折

10+￥0.415096
100+￥0.3344
300+￥0.294096
2500+￥0.263824
5000+￥0.239624
10000+￥0.22748

现货最快4小时发货

广东仓: 16K+

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

1个N沟道耐压:100V 电流:11.3A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499182

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 11.3A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V

描述N管/100V/12A/120mΩ(典型86mΩ)

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

5+￥0.472
50+￥0.3732
150+￥0.3237
500+￥0.2866
2500+￥0.2508
5000+￥0.236

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

江苏仓: 155

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交61单

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41416030

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 68mΩ@10V

描述P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型60.9mΩ)

收藏
对比

9.5折

5+￥0.7103
50+￥0.5634
150+￥0.49
500+￥0.413155
2500+￥0.36252
5000+￥0.34162

现货最快4小时发货

广东仓: 1970

江苏仓: 6920

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

P沟道MOSFET

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42420924

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V

描述P管/-30V/-60A/7mΩ/(典型5.5mΩ）

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8933

9.5折

5+￥0.8775
50+￥0.6937
150+￥0.6017
500+￥0.50616
2500+￥0.453815
5000+￥0.427595

现货最快4小时发货

广东仓: 8910

江苏仓: 110

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交55单

采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道+P沟道MOSFET

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8D

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47018562

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@4.5V,4A

耗散功率(Pd): 20.8W

描述N+P管/20V/20A/20mΩ/(典型13mΩ）

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近期成交2单

N沟道耐压:60V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42386234

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

耗散功率(Pd): 42W

描述N管/60V/50A/13mΩ/(典型10mΩ)

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江苏仓: 2270

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近期成交11单

1个P沟道耐压:40V 电流:45A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42386235

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@4.5V

描述P管/-40V/-45A/13mΩ/(典型9mΩ)

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江苏仓: 2130

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近期成交14单

1个N沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499168

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@4.5V

描述N管/30V/40A/10mΩ(典型7.1mΩ)

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江苏仓: 880

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近期成交5单

1个N沟道耐压:30V 电流:50A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C36499165

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@10V；10mΩ@4.5V

描述N管/30V/50A/7.5mΩ(典型5.8mΩ)

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江苏仓: 2000

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近期成交18单

1个N沟道耐压:100V 电流:10A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42374594

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 125mΩ@10V

描述N管/100V/10A/125mΩ/(典型92mΩ)

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

品牌: DOINGTER(杜因特)

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41384262

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述N管/30V/100A/3mΩ/(典型2.5mΩ)

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