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首页 > 品牌列表 > Bestirpower(萃锦半导体) >
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萃锦半导体是浙江省高新技术企业,以Smart IDM模式,专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域,提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案,产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。公司拥有成熟量产的 SiC MOSFET 和 IGBT 超薄晶圆背面特色工艺,性能和参数对标国际产品;在芯片制造价值链上,可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案,对标国际领先技术水平,定制背面金属及减薄工艺,保证产品高性能和高性价比,提高产品竞争力。公司在宁波和上海设立总部,负责芯片设计和研发,在 上海、深圳、西安等地建有应用和销售中心,制造基地位于宁波慈溪高新区,42,000平米功率芯片制造厂房正在筹建中。
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  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 102A
  • 导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@10V,40A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 52A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 52A
    • 导通电阻(RDS(on)): 76mΩ@10V,23A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V,40A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
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    • 沟道类型: 1个N沟道
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 650mΩ@10V
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 9.6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V,4A
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 23A
    • 导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@10V
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 55A
    • 导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@23.5V
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    • 整流电流: 40A
    • 正向压降(Vf): 1.39V@40A
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    • 封装类型: 单管
    • 沟道类型: 1个N沟道
    • 漏源击穿电压(Vds): 1200V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
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    • 正向压降(Vf): 1.4V@6A
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    • 正向压降(Vf): 1.45V@10A
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    • 类型: N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@10V
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    • 正向压降(Vf): 1.45V@20A
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