Bestirpower(萃锦半导体)

萃锦半导体是浙江省高新技术企业，以Smart IDM模式，专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。公司拥有成熟量产的 SiC MOSFET 和 IGBT 超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际产品；在芯片制造价值链上，可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺，保证产品高性能和高性价比，提高产品竞争力。公司在宁波和上海设立总部，负责芯片设计和研发，在上海、深圳、西安等地建有应用和销售中心，制造基地位于宁波慈溪高新区，42,000平米功率芯片制造厂房正在筹建中。

类目
- 碳化硅二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
多选
封装
- TO-247
- TO-220-2
- TO-252
- TO-220F
- TO-263
- TO-247-2
- TO-220F-2
- TO-247-4
- TO-263-7
- DFN-8(8x8)
- DFN-8(5x6)
- 螺栓安装
- SOT-227
- TO-220-3
- TO-263-3
- TOLL-8L
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数106

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

BCW120N160W1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3L

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C42401700

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 22A

耗散功率(Pd): 126W

描述bestirpower 沟道类型N，SIC MOSFET管，Vds=1200V,Rds(on)max=160mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存378

1+￥16.88
10+￥14.39
30+￥12.15
90+￥10.55

现货最快4小时发货

广东仓: 378

30个/管

个

总额￥0

近期成交7单

BCZ120N160W1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-4L

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C42401701

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 22A

耗散功率(Pd): 126W

描述bestirpower 沟道类型N，SIC MOSFETE管，Vds=1200V, Rdson max:160mΩ,TO247-4封装,通孔安装,4个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存369

1+￥15.08
10+￥12.8
30+￥10.75
90+￥9.28

现货最快4小时发货

广东仓: 369

30个/管

个

总额￥0

近期成交4单

BCH65S04D5

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C49270470

整流电流: 4A

正向压降(Vf): 1.7V@4A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 70nA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=4A,TO220-2封装，通孔安装，2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3727

5+￥2.1656
50+￥1.712
150+￥1.5176
500+￥1.275
2500+￥1.167

现货最快4小时发货

广东仓: 3725

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

BCA120S40D2

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C42401694

整流电流: 40A

正向压降(Vf): 1.39V@40A

直流反向耐压(Vr): 1.2kV

反向电流(Ir): 10uA@1200V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=1200V, ID(A)@150℃=40A,TO247-2封装,通孔安装,2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存148

1+￥20.65
10+￥17.79
30+￥15.12
90+￥13.41

现货最快4小时发货

广东仓: 148

30个/管

个

总额￥0

近期成交3单

BCS65S04D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472726

整流电流: 4A

正向压降(Vf): 1.35V@4A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 1uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=4A,DFN5*6封装,贴片安装,8个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存955

5+￥2.3821
50+￥1.8832
150+￥1.6693
500+￥1.4025

现货最快4小时发货

广东仓: 955

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

BCM65S10D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-252NC

类目: 碳化硅二极管

编号: C46538041

整流电流: 10A

正向压降(Vf): 1.45V@10A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=10A,DPAK封装，贴片安装,2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存492

1+￥4.93
10+￥3.99
30+￥3.52
100+￥3.06

现货最快4小时发货

广东仓: 492

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

BCH65S08D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472734

整流电流: 8A

正向压降(Vf): 1.45V@8A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=8A,TO220封装，通孔安装，2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存636

1+￥4.55
10+￥3.68
50+￥3.25
100+￥2.82
500+￥2.56

现货最快4小时发货

广东仓: 636

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

BCM120S02D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-252NC

类目: 碳化硅二极管

编号: C47994746

整流电流: 2A

正向压降(Vf): 1.35V@2A

直流反向耐压(Vr): 1.2kV

反向电流(Ir): 2uA@1200V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC diode管，Vds=1200V, ID(A)@25℃=2A,To252-2封装,贴片安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存775

1+￥2.51
10+￥1.98
30+￥1.76
100+￥1.48
500+￥1.35

现货最快4小时发货

广东仓: 775

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

BCS65S06D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472729

整流电流: 6A

正向压降(Vf): 1.4V@6A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=6A,DFN5*6封装，贴片安装,8个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存550

1+￥3.45
10+￥2.73
50+￥2.42
100+￥2.03
500+￥1.86

现货最快4小时发货

广东仓: 550

50个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

BCW120N40M1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C42401697

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 60A

耗散功率(Pd): 375W

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=1200V,Rds(On)max=40mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存162

1+￥22.66
10+￥19.44
30+￥16.43
90+￥14.5

现货最快4小时发货

广东仓: 162

30个/管

个

总额￥0

近期成交2单

BMW60N026UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42401702

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 102A

导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=600V,Rds(On)=26mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存62

1+￥31.4
10+￥26.98
30+￥22.55

现货最快4小时发货

广东仓: 62

30个/管

个

总额￥0

近期成交10单

BCD120S10D2

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: DPAK

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472743

整流电流: 10A

正向压降(Vf): 1.43V@10A

直流反向耐压(Vr): 1.2kV

反向电流(Ir): 2uA@1200V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=1200V, ID(A)@150℃=10A,DPAK封装，贴片安装,2个引脚

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存300

1+￥6.41
10+￥5.33
50+￥4.73
100+￥4.06

现货最快4小时发货

广东仓: 300

50个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

BCH65S06D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C42401689

整流电流: 6A

正向压降(Vf): 1.4V@6A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=6A,TO220-2封装,通孔安装,2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存443

1+￥4.03
10+￥3.27
50+￥2.77
100+￥2.39

现货最快4小时发货

广东仓: 443

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

BCL65S08D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: DFN-8(8x8)

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472732

整流电流: 8A

正向压降(Vf): 1.45V@8A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=8A,DFN8*8封装，贴片安装,4个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存336

1+￥5.17
10+￥4.19
30+￥3.7
100+￥3.21

现货最快4小时发货

广东仓: 336

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

BMW60N076UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42401703

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 52A

导通电阻(RDS(on)): 76mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=600V,Rds(On)=76mΩ,,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存145

1+￥15.83
10+￥13.48
30+￥11.3
90+￥9.79

现货最快4小时发货

广东仓: 145

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

BMW65N040UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO247-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C50153972

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFET管，Vds=650V, Rdson max:40mΩ,TO247-3封装，通孔安装，3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存150

1+￥21.91
10+￥18.83
30+￥17
90+￥15.15

现货最快4小时发货

广东仓: 150

30个/管

个

总额￥0

BCH120S10D2

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472744

整流电流: 10A

正向压降(Vf): 1.43V@10A

直流反向耐压(Vr): 1.2kV

反向电流(Ir): 2uA@1200V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=1200V, ID(A)@150℃=10A,TO220封装，通孔安装，2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存272

1+￥3.86
10+￥3.13
50+￥2.76
100+￥2.4

现货最快4小时发货

广东仓: 272

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

BMB65N380E1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-263-2L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42401707

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 9.6A

导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=650V,Rds(On)=380mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存652

1+￥4.4
10+￥3.58
50+￥3.01
100+￥2.6
500+￥2.35

现货最快4小时发货

广东仓: 652

50个/管

个

总额￥0

近期成交5单

BMF60N190C1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C46472749

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFET管，Vds=600V, Rdson max:190mΩ,TO220F封装，通孔安装，2个引脚

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存504

1+￥6.35
10+￥5.15
50+￥4.55
100+￥3.96
500+￥3.6

现货最快4小时发货

广东仓: 504

50个/管

个

总额￥0

近期成交11单

BCA65S30D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C42401690

整流电流: 30A

正向压降(Vf): 1.45V@30A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=30 A,TO220F-2封装,通孔安装,2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存171

1+￥8.66
10+￥7.22
30+￥6.1
90+￥5.21

现货最快4小时发货

广东仓: 171

30个/管

个

总额￥0

近期成交3单

BMW65N028UA1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C47715873

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=650V,Rds(On)=280mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存150

1+￥24.02
10+￥20.64
30+￥18.64
90+￥16.61

现货最快4小时发货

广东仓: 150

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

BCBF120N40M1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-263-7L

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C49164815

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 60A

耗散功率(Pd): 375W

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=1200V,Rds(On)max=40mΩ,TO263-7封装,通孔安装,3个引脚

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存90

1+￥26.62
10+￥22.84
50+￥20.6

现货最快4小时发货

广东仓: 90

50个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

BCH65S10D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472737

整流电流: 10A

正向压降(Vf): 1.45V@10A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=10A,TO220封装，通孔安装，2个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存235

1+￥4.66
10+￥3.77
50+￥3.33
100+￥2.89

现货最快4小时发货

广东仓: 235

50个/管

个

总额￥0

近期成交1单

BCL65S10D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: DFN-8(8x8)

类目: 碳化硅二极管

编号: C46472735

整流电流: 10A

正向压降(Vf): 1.45V@10A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=8A,DFN8*8封装，贴片安装,4个引脚

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存168

1+￥5.75
10+￥4.66
30+￥4.11
100+￥3.57

现货最快4小时发货

广东仓: 168

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

BMB65N100UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: D2PAK

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C50153974

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 100mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFET管，Vds=650V, Rdson max:100mΩ,TO263-3封装，贴片安装

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存300

1+￥10.39
10+￥8.85
30+￥7.88
300+￥6.9

现货最快4小时发货

广东仓: 300

300个/圆盘

个

总额￥0

BCZ120N40M1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-4L

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C47715865

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 60A

耗散功率(Pd): 375W

描述bestirpower 沟道类型N，SIC MOSFETE管，Vds=1200V, Rdson max:40mΩ,TO247-4封装,通孔安装,4个引脚

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存352

1+￥26.06
10+￥22.36
30+￥20.16
90+￥17.94

现货最快4小时发货

广东仓: 352

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

BMF65N100UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C50198507

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 100mΩ@10V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFET管，Vds=650V, Rdson max:100mΩ,TO220F封装，3个引脚

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SMT补贴嘉立创库存198

1+￥9.26
10+￥7.71
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广东仓: 198

50个/管

个

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近期成交1单

BCA65S20D3

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-2

类目: 碳化硅二极管

编号: C42401691

整流电流: 20A

正向压降(Vf): 1.45V@20A

直流反向耐压(Vr): 650V

反向电流(Ir): 2uA@650V

描述bestirpower 沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=20A,TO247-2封装,通孔安装,2个引脚

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SMT补贴嘉立创库存170

1+￥10.35
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90+￥6.22

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广东仓: 170

30个/管

个

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近期成交1单

BMT65N065UC1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C46472753

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@23.5V

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFET管，Vds=650V, Rdson max:65mΩ,TOLL封装，贴片安装，8个引脚

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SMT补贴嘉立创库存79

1+￥10.66
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近期成交5单

BCW120N80M1

品牌: Bestirpower(萃锦半导体)

封装: TO-247-3

类目: 碳化硅场效应管(MOSFET)

编号: C49164814

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 30A

耗散功率(Pd): 150W

描述bestirpower 沟道类型N，SJ MOSFETE管，Vds=1200V,Rds(On)max=80mΩ,TO247-3封装,通孔安装,3个引脚

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SMT补贴嘉立创库存150

1+￥15.69
10+￥13.34
30+￥11.87
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Bestirpower(萃锦半导体)

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