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首页 > 品牌列表 > JTD(晶泰达) >
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深圳市晶泰达电子有限公司创立于2007年,是一家专业从事半导体集成电路(IC)设计研发、封装测试和销售于一体的高新科技民营企业。我们的产品目前已广泛应于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、物联网、工业自动化控制、汽车电子等电子整机和智能化领域 •深圳市晶泰达电子有限公司致力于开发电源管理类产品,主要有AC‐DC、DC‐DC、LDO、LED 驱动、MOS 管、三极管、肖特基、可控硅、三端精密稳压等,并为电子设备的主芯片及相关器件提供优质、稳定的电源解决方案。 • 深圳市晶泰达电子有限公司为深圳市高新技术企业、国家鼓励的集成电路封装测试高科技企业。公司在西安和上海拥有强大的设计研发团队,在惠州建有先进的全自动封装测试生产基地,在深圳拥有完善的销售网络,在团队建设、产品研发、质量控制、客户服务等诸多方面获得了极大突破。我们一贯坚持客户的需求就是公司的追求目标,竭诚为客户提供完善的产品平台和优质的技术支持。 • 我们一直紧跟半导体行业发展,坚持诚信、创新、持续改进的企业文化,致力于和客户建立互惠及长期合作的关系。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • JTDBT8929DB
  • 品牌: JTD(晶泰达)
  • 封装: DFN-8-EP(2x3)
  • 描述: 采用 ASIC 设计,集成了咪头传感检测,内部集成了 MOSFET 放电开关,具有多种保护功能
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 16A
    • 导通电阻(RDS(on)): 11.3mΩ@4.5V,10A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 16A
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    • JTDBT909DB
    • 品牌: JTD(晶泰达)
    • 封装: DFN-8-EP(2x3)
    • 描述: 采用 ASIC 设计,集成了咪头传感检测,内部集成了 MOSFET 放电开关,具有多种保护功能
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V,2.3A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 340mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@10V,500mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@4.5V,1A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 340mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω@10V,500mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 21mΩ@10V,1A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 23mΩ@4.5V,5A
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    • JTDBT911DC
    • 品牌: JTD(晶泰达)
    • 封装: SOT-23-6
    • 描述: 采用 ASIC 设计,集成了咪头传感检测,内部集成了 MOSFET 放电开关,具有多种保护功能
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    • 功能: 串行至串行或并行
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    • 芯片类型: 电池保护芯片
    • 工作电压: 1.5V~10V
    • 电池节数: 1
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@4.5V,4A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V,6A
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 70V
    • 整流电流: 200mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 31mΩ@2.5V,2A
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
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    • 晶体管类型: NPN+NPN
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 16.8mΩ@4.5V,5A
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