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PCB/SMT 工业品面板定制

XNRUSEMI(新锐)

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新锐半导体成立于2015年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司坐落于中国深圳。拥有实力强大的研发团队、热忱的业务服务团队、高效率的后勤支持团队。

类目
- 场效应管(MOSFET)
封装
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- SOP-8
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-220
- TO-263
- SOT-89
- TO-247
- SOT-23-6
- TOLL-8L
- TO-220F
- TO-252-4L
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(3x3)
- SOT-223
- SOT-523(SC-75)
- TO-251
- TSSOP-8
- DFN-8(2x2)
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数据手册

自营结果数522

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

P沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457005

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 70mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

9折

5+￥0.59454
50+￥0.47358
150+￥0.4131
500+￥0.36774
2500+￥0.33138
5000+￥0.31329

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

备注: 流动库存，下单前请提前咨询

批次: 24+

立推售价

10000+￥0.3105

支付后6-8工作日

库存: 250K

5000个/圆盘

个

总额￥0

N沟道100V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457066

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9967

9折

1+￥2.403
10+￥1.908
30+￥1.692
100+￥1.422
500+￥1.305
1000+￥1.233

现货最快4小时发货

广东仓: 9967

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

备注: 流动库存，下单前请提前咨询

批次: 24+

立推售价

10000+￥1.188

支付后6-8工作日

库存: 50K

5000个/圆盘

个

总额￥0

N沟道和P沟道快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457192

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

耗散功率(Pd): 21.3W

收藏
对比

9折

5+￥1.09107
50+￥0.86427
150+￥0.76707
500+￥0.64575
2500+￥0.59175
5000+￥0.55935

现货最快4小时发货

广东仓: 5775

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

备注: 流动库存，下单前请提前咨询

批次: 24+

立推售价

10000+￥0.54

支付后6-8工作日

库存: 350K

5000个/圆盘

个

总额￥0

P沟道20V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456927

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 2.2mΩ@4.5V,30A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9433

9折

5+￥1.85778
50+￥1.47159
150+￥1.30608
500+￥1.09962
2500+￥1.00764
5000+￥0.95247

现货最快4小时发货

广东仓: 9430

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

P沟道，30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456937

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 10.3mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8956

9折

5+￥0.531
50+￥0.42291
150+￥0.36891
500+￥0.32841
2500+￥0.29601
5000+￥0.27981

现货最快4小时发货

广东仓: 8955

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

双N沟道40V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456814

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V,8A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥0.67941
50+￥0.54117
150+￥0.47205
500+￥0.42021
2500+￥0.37872
5000+￥0.35802

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

P沟道20V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456904

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@4.5V,19A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥0.87291
50+￥0.69147
150+￥0.61371
500+￥0.51669
2500+￥0.47349
5000+￥0.44757

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

P沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457121

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V

耗散功率(Pd): 95W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4596

9折

5+￥1.30923
50+￥1.03707
150+￥0.92043
500+￥0.7749
2500+￥0.7101
5000+￥0.67122

现货最快4小时发货

广东仓: 4595

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

P沟道/N沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457120

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V

耗散功率(Pd): 114W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2515

9折

5+￥2.187
50+￥1.737
150+￥1.539
500+￥1.296
2500+￥1.188
5000+￥1.125

现货最快4小时发货

广东仓: 2515

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

备注: 流动库存，下单前请提前咨询

批次: 24+

立推售价

10000+￥1.08

支付后6-8工作日

库存: 30K

5000个/圆盘

个

总额￥0

P沟道，40V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456983

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V,13A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4510

1+￥2.91
10+￥2.31
30+￥2.05
100+￥1.73
500+￥1.58
1000+￥1.5

现货最快4小时发货

广东仓: 4510

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

备注: 流动库存，下单前请提前咨询

批次: 24+

立推售价

10000+￥1.296

支付后6-8工作日

库存: 100K

5000个/圆盘

个

总额￥0

N沟道30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456733

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V,30A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9599

9折

5+￥0.51336
50+￥0.40887
150+￥0.35667
500+￥0.31752
2500+￥0.2862
5000+￥0.27054

现货最快4小时发货

广东仓: 9595

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

P沟道，30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: TO-252-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456973

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V,20A

收藏
对比

9折

5+￥1.04814
50+￥0.83025
150+￥0.73683
500+￥0.62037
2500+￥0.56853
5000+￥0.53739

现货最快4小时发货

广东仓: 4990

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

P沟道，30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456940

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,12A

收藏
对比

9折

5+￥1.04931
50+￥0.83124
150+￥0.73773
500+￥0.62109
2500+￥0.56916
5000+￥0.53802

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

N沟道和P沟道快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457193

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V；8.7mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥1.30959
50+￥1.03734
150+￥0.9207
500+￥0.77508
2500+￥0.71028
5000+￥0.6714

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

N沟道100V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457062

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥1.4184
50+￥1.12356
150+￥0.9972
500+￥0.83952
2500+￥0.76932
5000+￥0.7272

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

P沟道，40V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456985

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 8.2mΩ@10V

耗散功率(Pd): 81.16W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4555

9折

5+￥1.52748
50+￥1.20996
150+￥1.07388
500+￥0.90405
2500+￥0.82845
5000+￥0.78309

现货最快4小时发货

广东仓: 4485

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

P沟道，30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456948

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V,30A

描述高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥1.64097
50+￥1.29987
150+￥1.15362
500+￥0.97128
2500+￥0.89001
5000+￥0.84132

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

N沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457038

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4mΩ@10V,21A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9500

9折

5+￥1.65708
50+￥1.31265
150+￥1.16496
500+￥0.98082
2500+￥0.89883
5000+￥0.8496

现货最快4小时发货

广东仓: 9500

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交79单

N沟道100V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457069

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V

耗散功率(Pd): 67.5W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5570

9折

5+￥1.74609
50+￥1.38312
150+￥1.2276
500+￥1.03347
2500+￥0.94707
5000+￥0.89523

现货最快4小时发货

广东仓: 5570

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457068

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V

耗散功率(Pd): 131.6W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4921

9折

1+￥3.096
10+￥2.511
30+￥2.223
100+￥1.926
500+￥1.755
1000+￥1.665

现货最快4小时发货

广东仓: 4921

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

N沟道150V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456677

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 6.3mΩ

耗散功率(Pd): 298W

收藏
对比

9折

1+￥8.181
10+￥6.813
30+￥6.066
100+￥5.211
500+￥4.842
1000+￥4.671

现货最快4小时发货

广东仓: 3856

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

双N沟道20V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: TSSOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456727

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@4.5V,3.5A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥0.48843
50+￥0.38898
150+￥0.3393
500+￥0.30204
2500+￥0.27225
5000+￥0.2574

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

P沟道，30V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456954

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 14.5mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1230

9折

5+￥0.50958
50+￥0.4059
150+￥0.35406
500+￥0.31518
3000+￥0.28404
6000+￥0.26856

现货最快4小时发货

广东仓: 1230

江苏仓: 8815

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

N沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN3333-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456818

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V；25mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6329

9折

5+￥0.59454
50+￥0.47358
150+￥0.4131
500+￥0.36774
2500+￥0.33147
5000+￥0.31329

现货最快4小时发货

广东仓: 6325

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

N沟道40V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456795

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4.9mΩ@10V

收藏
对比

9折

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近期成交3单

双N沟道60V MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: DFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457041

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

耗散功率(Pd): 60W

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SMT补贴嘉立创库存4955

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广东仓: 4955

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近期成交5单

N沟道和P沟道快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457195

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@10V

耗散功率(Pd): 3.5W

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广东仓: 4930

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近期成交1单

N沟道60V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456821

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 6.6mΩ@10V

耗散功率(Pd): 108W

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广东仓: 4875

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近期成交10单

双N沟道60V MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457040

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V,20A

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广东仓: 10K+

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近期成交13单

P沟道，40V快速开关MOSFET

品牌: XNRUSEMI(新锐)

封装: PDFN5060-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42456984

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ@10V,20A

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广东仓: 4850

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近期成交10单