
拓朴微
进入品牌官网无锡拓朴微电子成立于2016年,座落在无锡新吴区,是集设计,研发,制造,销售及技术服务,技术咨询,技术转让为一体的集成电路的专业实体企业,公司一直坚持科技创新和技术的自主研发,拥有多项技术专利,公司的产品以高品质和高可靠性为特点,得到了用户的一致好评,形成了良好的社会效益和经济效益。
无锡拓朴微电子成立于2016年,座落在无锡新吴区,是集设计,研发,制造,销售及技术服务,技术咨询,技术转让为一体的集成电路的专业实体企业,公司一直坚持科技创新和技术的自主研发,拥有多项技术专利,公司的产品以高品质和高可靠性为特点,得到了用户的一致好评,形成了良好的社会效益和经济效益。
描述M54133是一款带有时间延迟的高速漏电检测电路,主要用于塑壳断路器中。能抗电压冲击及具有抑制逆变器噪声等特性。可直接替换进口产品M54133。显著改抗击因雷击导致的意外脱扣的能力,改善雷击时无误动作的能力,高稳定性,对电网波动及温度变化不敏感,改进因高频和高次谐波干扰导致的误动作。
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描述TAQY214S 光电继电器由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻,具有良好的性价比。采用四引脚封装。
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描述M54123L漏电保护器专用电路是用于高速对地漏电保护器的半导体集成电路,该电路内部由差分放大器、锁存器和稳压器组成,输入灵敏度高、可靠性强。其主要功能机理是:零电流互感器(ZCT)检测漏电,其次级输出作为差分放大器的输入,差分放大器与一个外接电容相结合,将信号放大,并连接到锁存器的输入端。在输入电压达到规定值前,锁存器输出一直保持低电平;当漏电电流大于规定值,输出变高,触发与锁存器电路相连的可控硅。
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描述6N135,6N136 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。
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描述6N137 光耦合器由一个 850nm 的 AlGaAS LED 组成,其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门,可快速输出。
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描述6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。
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