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首页 > 品牌列表 > LRC(乐山无线电) >
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乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司成立于1995年,是乐山无线电股份有限公司与摩托罗拉公司共同投资的合资企业,专注于提供高质量的半导体产品及解决方案。主要产品线包括二极管、晶体管、MOSFET和IGBT。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 115mA
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.4Ω@10V,500mA
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 整流电流: 215mA
    • 反向电流(Ir): 2.5uA
    • 反向恢复时间(Trr): 6ns
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 200mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@5.0V,200mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 380mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V,500mA
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    • 广东仓: 18KK+
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
    • 钳位电压: 18.6V
    • 峰值脉冲电流(Ipp): 9.4A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 130mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V,100mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@10V,500mA
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1V
    • 直流反向耐压(Vr): 85V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 二极管配置: 独立式
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 320mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V,500mA
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    • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 130mA
    • 耗散功率(Pd): 380mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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      江苏仓: 33K+
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    • 正向压降(Vf): 560mV
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 30uA
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      江苏仓: 49K+
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    • 正向压降(Vf): 550mV
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 500mA
    • 反向电流(Ir): 10uA
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    • 广东仓: 497K+
      江苏仓: 124K+
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 246mW
    • 直流电流增益(hFE): 80@5.0mA,10V
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      江苏仓: 77K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 2uA
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    • 正向压降(Vf): 400mV
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 2uA
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      江苏仓: 79K+
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    • 击穿电压: 6V
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      江苏仓: 63K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 150mW
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    • 钳位电压: 18.6V
    • 峰值脉冲电流(Ipp): 9.4A
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      江苏仓: 16K+
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1.1V
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
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