HYNIX(海力士)

海力士（Hynix）源于韩国，原名现代内存，2001年更名为海力士半导体。品牌成立于1983年，1996年在韩国上市，1999年收购LG半导体后从现代集团分离出来，并于2004年成为专业的存储器制造商。目前，海力士是世界第二大DRAM制造商，主要生产DRAM和NAND Flash。

类目
- DDR SDRAM
- 预售新品
- 动态随机存取存储器(DRAM)
- NAND FLASH
- eMMC
- 同步动态随机存取内存(SDRAM)
- 预售芯片
- 多芯片封装存储器
多选
封装
- BGA-96
- -
- BGA
- BGA-153
- BGA-78
- BGA-200
- BGA-200(10x15)
- BGA-153(11.5x13)
- BGA-78(7.5x11)
- BGA-84(7.5x12.5)
- BGA-96(7.5x11)
- BGA-96(7.5x13)
- BGA-96(9x13)
- TSOP-54
- TSOPI-48
多选

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价格

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数据手册

自营结果数63

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

H5AN4G6NBJR-UHI

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C46552766

收藏
对比

1+￥35.04
10+￥29.81
30+￥26.71
160+￥23.56
480+￥22.12
960+￥21.46

现货最快4小时发货

广东仓: 4000

160个/托盘

个

总额￥0

近期成交1单

H5TQ4G63EFR-RDC

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2803259

存储器构架: SDRAM DDR3

工作电压: 1.425V~1.575V

工作温度: 0℃~+95℃

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1859

1+￥19.25
10+￥16.41
30+￥14.63
160+￥11.69
480+￥10.86
960+￥10.5

现货最快4小时发货

广东仓: 1759

160个/托盘

个

总额￥0

近期成交53单

H5ANAG6NCJR-XNC

品牌: HYNIX(海力士)

封装: -

类目: 动态随机存取存储器(DRAM)

编号: C2960662

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存99

5+￥169.38
50+￥163.86
160+￥154.31

现货最快4小时发货

广东仓: 95

160个/托盘

个

总额￥0

近期成交3单

H5AN4G6NBJR-VKC

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C2849414

存储器构架: SDRAM DDR4

工作电压: 1.14V~1.26V

工作电流: 38mA

工作温度: -40℃~+95℃

描述H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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对比

SMT扩展库

1+￥23.58
10+￥22.26
30+￥21.49
100+￥20.7
500+￥20.33

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广东仓: 0

江苏仓: 979

1600个/托盘

个

总额￥0

近期成交9单

H5TC4G63EFR-RDAR

品牌: HYNIX(海力士)

封装: FBGA-96

类目: DDR SDRAM

编号: C37953994

存储器构架: SDRAM DDR3L

工作电压: 1.283V~1.45V

描述H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。