HYNIX(海力士)
进入品牌官网海力士（Hynix）源于韩国，原名现代内存，2001年更名为海力士半导体。品牌成立于1983年，1996年在韩国上市，1999年收购LG半导体后从现代集团分离出来，并于2004年成为专业的存储器制造商。目前，海力士是世界第二大DRAM制造商，主要生产DRAM和NAND Flash。
- 类目
- DDR SDRAM
- 预售新品
- 动态随机存取存储器(DRAM)
- NAND FLASH
- eMMC
- 同步动态随机存取内存(SDRAM)
- 预售芯片
- 多芯片封装存储器
多选 - 封装
- BGA-96
- -
- BGA
- BGA-153
- BGA-200
- BGA-200(10x15)
- BGA-78
- BGA-78(7.5x11)
- BGA-96(7.5x13)
- BGA-153(11.5x13)
- BGA-84(7.5x12.5)
- BGA-96(9x13)
- TSOP-54
- TSOPI-48
多选
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价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数68
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 接口类型
- eMMC 5.1
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
- 工作温度
- -25℃~+85℃
- 顺序读/写
- 200/35 MB/s
描述e-NAND由NAND闪存和MMC控制器组成。e-NAND内置智能控制器，可管理接口协议、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和纠错码（ECC）。e-NAND可保护数据内容，防止主机突然断电故障
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SMT补贴嘉立创库存876
- ￥46.18
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.6GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3
- 时钟频率(fc)
- 1.066GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V
描述H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作温度
- 0℃~+95℃
描述H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。
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- ￥11.92
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作温度
- -40℃~+105℃
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- 存储容量
- 16Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样
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- 库存
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- 增量
- 1
- 最小包装
- 3000个
个
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.6GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。
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近期成交6单
- 存储器类型
- 1个FLASH
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
- Flash构架
- NAND FLASH
- Flash存储容量
- 64Gbit
描述SK hynix H26M41204HPR 是一款8GB eMMC5.1兼容的嵌入式NAND闪存，支持高速传输模式（HS400）。它集成了NAND闪存和MMC控制器，支持多种高级功能，如现场固件更新、健康报告、安全写保护等。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，控制器核心电压为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25℃至+85℃。
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SMT补贴嘉立创库存54
- ￥52.75
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近期成交17单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3
- 时钟频率(fc)
- 1.066GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V
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SMT补贴嘉立创库存18
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160个/托盘
个
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近期成交4单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM LPDDR4
- 存储容量
- 16Gbit
- 工作电压
- 1.06V~1.17V；1.7V~1.95V
- 工作温度
- -25℃~+85℃
描述LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件，内部配置有1个或2个通道。单通道由8个存储体组成，每通道密度为1 Gb至16 Gb。双通道由8个存储体组成，每通道密度为2 Gb至32 Gb
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SMT补贴嘉立创库存31
- ￥82.77
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- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.6GHz
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5AN8G4NCJR-*xxC、H5AN8G8NCJR-*xxC、H5AN8G6NCJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。它支持基于时钟信号上升沿和下降沿的全同步操作。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在其上升沿和下降沿进行采样
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SMT补贴嘉立创库存12
- ￥40.97
- ￥34.75
- ￥30.96
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- 11
160个/托盘
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近期成交2单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作电流
- 26mA
- 工作温度
- -40℃~+105℃
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SMT补贴嘉立创库存3
- ￥21.07
- ￥19.9
- ￥19.2
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- 156
160个/托盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 存储容量
- 2Gbit
- 工作电压
- 1.283V~1.45V
- 工作温度
- -40℃~+95℃
描述H5TC2G83GFR - xxA(I,L,J) 和 H5TC2G63GFR - xxA(I,L,J) 是 2Gb 低功耗双倍数据速率三代（DDR3L）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要大存储密度、高带宽且在 1.35V 下低功耗运行的主内存应用。DDR3L SDRAM 与 1 向后兼容。
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SMT补贴嘉立创库存2
- ￥52.26
- ￥44.9
- ￥38.68
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- 广东仓
- 2
1600个/托盘
个
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3L
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V；1.283V~1.45V
- 工作温度
- 0℃~+95℃
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SMT补贴嘉立创库存7
- ￥10.01
- ￥9.78
- ￥9.62
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- 7
160个/托盘
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总额￥0
近期成交1单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR3
- 时钟频率(fc)
- 1.066GHz
- 存储容量
- 4Gbit
- 工作电压
- 1.425V~1.575V
描述H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ和H5TQ4G63EFR-xxJ是一款4,294,967,296位的CMOS双数据速率三代（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均被采样
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SMT补贴嘉立创库存19
- ￥16.93
- ￥14.37
- ￥12.76
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- 17
160个/托盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 存储器构架(格式)
- SDRAM DDR4
- 时钟频率(fc)
- 1.6GHz
- 存储容量
- 8Gbit
- 工作电压
- 1.14V~1.26V
描述H5AN8G4NDJR-*xxC、H5AN8G8NDJR-*xxC、H5AN8G6NDJR-*xxC 是一款 8Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。8Gb DDR4 同步动态随机存取存储器（SDRAM）可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在其上升沿和下降沿进行采样
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120个/托盘
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- ￥151.25
- ￥146.64
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3
120个/托盘
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总额￥0