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首页 > 品牌列表 > ISSI(美国芯成) >
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ISSI(美国芯成)成立于1988年,是一家专注于高性能集成电路设计与销售的企业。主要生产DRAM、SRAM、NOR闪存以及模拟和混合信号产品。
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    • IS31FL3236A-QFLS2-TR
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: QFN-44-EP(5x5)
    • 描述: 此芯片可支持12颗RGB灯或36颗单色LED,已在百度DUER OS、京东叮咚MINI智能音箱及其他人工智能设备上使用;
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    • IS42S32800J-6TLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TSOP-86-10.2mm
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
    • 存储容量: 256Mbit
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    • 时钟频率(fc): 133MHz
    • 工作电压: 2.3V~3.6V
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    • IS42S32800J-7BLI-TR
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性,所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank,每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
    • 存储容量: 256Mbit
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    • IS43TR16640C-125JBLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: BGA-96(9x13)
    • 描述: 128Mx8 DDR3 SDRAM,标准电压1.5V,低电压1.35V,部分自刷新,后向兼容1.5V,异步复位引脚,高速数据传输速率,8个内部bank,可编程的CAS延迟,工作温度范围:工业级-40°C至95°C
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    • 接口类型: SPI
    • 存储容量: 128Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
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    • IS43TR16128DL-125KBLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: BGA-96(9x13)
    • 描述: IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM,支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率,系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作,具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。
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