ISSI(美国芯成)

IS62WV12816BLL-55TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C397872

工作电压

2.5V~3.6V

读写时间

55ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

3uA

描述IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

IS42S16160J-6BLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TFBGA-54(8x8)

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C1351289

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

IS42S32800J-7BLI-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TFBGA-90(8x13)

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C2065206

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

IS31FL3729-QFLS4-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

QFN-32-EP(4x4)

类目

LED驱动

编号

C2940549

工作电压(DC)

2.7V~5.5V

开关频率

400kHz~1MHz

通道数

16

输出电流

35mA

IS25LP016D-JNLA3

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

SOIC-8

类目

NOR FLASH

编号

C1236813

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

IS31FL3208A-QFLS4-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

QFN-28-EP(4x4)

类目

LED驱动

编号

C2940551

工作电压(DC)

2.7V~5.5V

开关频率

3.45kHz~23kHz

通道数

18

输出电流

38mA

IS25LP016D-JULA3-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

USON-8(2x3)

类目

NOR FLASH

编号

C43316710

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.3V~3.75V

描述IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存提供了一种通用的存储解决方案，在引脚数量简化的封装中具备高度灵活性和高性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

IS25LP064A-JBLE-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C2841348

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

IS61WV102416DBLL-10BLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

BGA-48(6x8)

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C1348743

存储容量

16Mbit

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

描述IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

IS31AP2005-SLS2-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

MSOP-8

类目

音频功率放大器

编号

C5362618

功放类型

D类功放

扬声器通道数

单声道

输出功率

2.95Wx1@4Ω

工作电压

2.7V~5.5V

描述IS31AP2005是一款高效的2.95W单声道D类音频功率放大器。低噪声、无滤波器的PWM架构省去了输出滤波器，减少了外部元件数量和系统成本，并简化了设计。IS31AP2005采用单5V电源供电，能够驱动4Ω扬声器负载，在总谐波失真加噪声（THD+N）为10%的情况下，连续平均输出功率可达2.95W。与典型的AB类放大器相比，IS31AP2005在驱动扬声器负载时具有更高的效率。在手机中，听筒、免提扬声器和铃声均可由IS31AP2005驱动。IS31AP2005的增益可通过外部配置，通过对各功能的信号进行求和，可实现对多个信号源的独立增益控制。IS31AP2005提供DFN - 8（3mmx3mm）和MSOP - 8封装。

IS62C256AL-45TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPI-28

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C47143

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

20uA

描述256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

IS61LV256AL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPI-28

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C412837

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

50uA

描述IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

IS25LP016D-JBLE-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C2062840

接口类型

SPI

存储容量

16Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为简化引脚封装提供了一种高度灵活且高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

IS25LP064D-JKLA3-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

WSON-8(5x6)

类目

NOR FLASH

编号

C27531352

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

IS43TR16640C-125JBLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

BGA-96(9x13)

类目

DDR SDRAM

编号

C1236847

描述128Mx8 DDR3 SDRAM，标准电压1.5V，低电压1.35V，部分自刷新，后向兼容1.5V，异步复位引脚，高速数据传输速率，8个内部bank，可编程的CAS延迟，工作温度范围：工业级-40°C至95°C

IS61WV25616BLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C53825

存储容量

4Mbit

工作电压

2.4V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

2mA

描述4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

IS61WV51216BLL-10TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOPII-44-10.2mm

类目

静态随机存取存储器(SRAM)

编号

C397874

工作电压

2.4V~3.6V

读写时间

10ns

工作温度

-40℃~+85℃

待机电流

35mA

描述IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

IS31AP2005-DLS2-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

DFN-8

类目

音频功率放大器

编号

C5362616

功放类型

D类功放

扬声器通道数

单声道

输出功率

2.95Wx1@4Ω

工作电压

2.7V~5.5V

描述IS31AP2005是一款高效的2.95W单声道D类音频功率放大器。低噪声、无滤波器的PWM架构省去了输出滤波器，减少了外部元件数量和系统成本，并简化了设计。IS31AP2005采用单5V电源供电，能够驱动4Ω扬声器负载，在总谐波失真加噪声（THD+N）为10%的情况下，连续平均输出功率可达2.95W。与典型的AB类放大器相比，IS31AP2005在驱动扬声器负载时具有更高的效率。在手机中，听筒、免提扬声器和铃声均可由IS31AP2005驱动。IS31AP2005的增益可通过外部配置，通过对各功能的信号进行求和，实现对多个信号源的独立增益控制。IS31AP2005提供DFN - 8（3mmx3mm）和MSOP - 8封装。

IS25LP040E-JYLE-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

USON-8-EP(2x3)

类目

NOR FLASH

编号

C6883832

接口类型

SPI

存储容量

4Mbit

时钟频率(fc)

104MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

IS25LP064A-JBLA3-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

SOIC-8-208mil

类目

NOR FLASH

编号

C2972290

接口类型

SPI

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

133MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP064A/032A 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该产品具有高灵活性和高性能，且采用引脚数量精简的封装。闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和片选使能 (CE#) 引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

IS42S32200L-6TLI

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TSOP-86-10.2mm

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C521294

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+85℃

描述64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位

IS25LP256D-JLLE

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

WSON-8-EP(6x8)

类目

NOR FLASH

编号

C1350139

接口类型

SPI

存储容量

256Mbit

时钟频率(fc)

166MHz

工作电压

2.3V~3.6V

描述IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

IS45S32200L-7BLA2

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

TFBGA-90(8x13)

类目

同步动态随机存取内存(SDRAM)

编号

C1352248

存储容量

64Mbit

时钟频率(fc)

143MHz

工作电压

3V~3.6V

工作温度

-40℃~+105℃

描述IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

IS31FL3216A-QFLS3-TR

品牌

ISSI(美国芯成)

封装

QFN-28-EP(4x4)

类目

LED驱动

编号

C2678726

工作电压(DC)

2.7V~5.5V

开关频率

26kHz

通道数

16

调光

PWM

描述IS31FL3216A 是一款带有音频调制模式的趣味灯光LED控制器。它可以利用内部RAM存储8帧的数据以自动播放小动画。IS31FL3216A 可以采样输入信号来调制LED的亮度，或者通过内部ADC模块控制8帧的播放。每个通道的LED电流可以通过I2C接口调整PWM占空比在256级中设置。8个通道可以用作GPIO端口。IS31FL3216A 采用QFN-28 (4 mm x 4 mm)封装。它的工作电压范围为2.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+105°C。