ETRON(钰创)
进入品牌官网钰创科技股份有限公司成立于1991年2月，位于中国台湾新竹科学园区，是一家世界级的IC无晶圆厂商，专注于利基型缓冲存储器产品与系统芯片的设计与产销。主要生产利基型缓冲存储器和系统芯片。
- 类目
- 同步动态随机存取内存(SDRAM)
- DDR SDRAM
- EEPROM
多选 - 封装
- BGA-78(8x10.5)
- BGA-84(8x12.5)
- BGA-96(9x13)
- BGA-78(7.5x10.6)
- BGA-96(7.5x13.5)
- TSOPII-54
- BGA-96(8x13)
- -
- BGA-54(8x8)
- BGA-78(7.5x10.5)
- BGA-78(9x10.5)
- TSSOP-66-10.2mm
- BGA-60(8x10)
- BGA-60(8x13)
- BGA-78(9x10.6)
- BGA-96(7.5x13)
- TSOPII-86
多选
综合排序
价格
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自营结果数72
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 时钟频率(fc)
- 166MHz
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。
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- 200MHz
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述EM63A165 是一款高速CMOS同步DRAM，包含256 Mbit，内部配置为4个4Mword x 16位的存储体。所有信号都在时钟信号CLK的上升沿注册，支持快速访问时间和高时钟速率。
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