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首页 > 品牌列表 > Infineon(英飞凌) >
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英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、移动性和安全性,为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年(截止到2011年9月份),公司实现销售额39.97亿欧元。

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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 33A
  • 导通电阻(RDS(on)): 44mΩ@10V,16A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 55V
    • 连续漏极电流(Id): 49A
    • 导通电阻(RDS(on)): 17.5mΩ@10V,25A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 55V
    • 连续漏极电流(Id): 110A
    • 导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,62A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 23A
    • 导通电阻(RDS(on)): 117mΩ@10V,11A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 75V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.34mΩ@10V,46A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@10V,28A
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    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 360mA
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 55V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 175mΩ@10V,6.6A
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
    • 导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V,11A
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 9950
    • 50个/管
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    • 5000+: 

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        45000
    • 总额: ¥5150
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@4.5V,2.8A
    • 耗散功率(Pd): 2.5W
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