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Infineon(英飞凌)

Infineon(英飞凌)

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Infineon(英飞凌)成立于1999年,是从西门子集团的半导体部门独立出来的,总部位于德国。该公司是全球领先的半导体解决方案提供商之一。主要生产功率半导体、传感器、微控制器以及安全IC等。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 单片机(MCU/MPU/SOC)
    • IGBT管/模块
    • NOR FLASH
    • 栅极驱动芯片
    • 预售晶体管
    • 功率电子开关
    • 三极管(BJT)
    • 晶闸管(可控硅)/模块
    • 线性稳压器(LDO)
    • 其他模块
    • 电信接口IC
    • 触摸屏控制器
    • nvSRAM(掉电保持)
    • 通用二极管
    • 时钟发生器/频率合成器/PLL
    • 智能功率模块(IPM)
    • 肖特基二极管
    • 开发板
    • 其他接口
    多选
  • 封装
    • -
    • SOP-8
    • TO-220
    • TO-252
    • TO-247
    • TO-263
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-8
    • LQFP-64(10x10)
    • BGA-24(6x8)
    • LQFP-100(14x14)
    • TO-263-3
    • SOT-223
    • TO-263-7
    • DFN-8(5x6)
    • TO-262
    • QFN-40(6x6)
    • TO-220F
    • SOP-16
    • BGA-24(8x8)
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

BSS169H6327
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C83053
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
170mA
导通电阻(RDS(on))
12Ω@10V,0.17A

描述N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存354K+
9.5
  • 0.621
  • 0.4971
  • 0.4333
  • 0.36176
  • 0.344375
  • 0.3325
现货最快4小时发货
广东仓
346K+
江苏仓
2735

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

IRFZ44NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2586
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
49A
导通电阻(RDS(on))
17.5mΩ@10V

描述N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存126K+
9.8
  • 1.8216
  • 1.2946
  • 1.1
  • 0.907872
  • 0.861126
  • 0.833
现货最快4小时发货
广东仓
126K+

50/

总额0

近期成交100单+

IRFZ44NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
批次
25+
立推售价
  • 0.73
库存
100K

50/

总额0

IR2104STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2960
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41K+
9.7
  • 3.12
  • 2.46
  • 2.14
  • 1.8042
  • 1.455
  • 1.4065
现货最快4小时发货
广东仓
40K+
江苏仓
8448

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

IR2103STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2957
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+
  • 2.8
  • 2.15
  • 1.83
  • 1.55
  • 1.47
  • 1.42
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
3422

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

IRF540NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2566
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
44mΩ@10V

描述N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29K+
  • 1.7828
  • 1.3451
  • 1.1398
  • 0.9566
  • 0.9063
  • 0.8761
现货最快4小时发货
广东仓
28K+
江苏仓
50

50/

总额0

近期成交100单+

IRF540NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
批次
2年内
立推售价
  • 0.81
库存
90K

50/

总额0

IR2101STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2956
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
270mA

描述600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 3.12
  • 2.62
  • 2.28
  • 1.99
  • 1.71
  • 1.65
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
9297

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

IRF640NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2568
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
150mΩ@10V

描述N沟道,200V,18A,150mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21K+
  • 1.8223
  • 1.3863
  • 1.1734
  • 0.9835
  • 0.9314
  • 0.9
现货最快4小时发货
广东仓
21K+

50/

总额0

近期成交100单+

IRF640NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
批次
25+
立推售价
  • 0.83
库存
30K

50/

总额0

IRS21867STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C52290
驱动配置
高边;低边
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6330
9.7
  • 3.87
  • 3.29
  • 2.87
  • 2.4638
  • 1.9691
  • 1.9109
现货最快4小时发货
广东仓
6062
江苏仓
2029

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

BTS724G
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
DSO-20-300mil
类目
功率电子开关
编号
C82656
类型
高侧开关
通道数
4
输入控制逻辑
高电平有效
最大连续电流
7.3A

描述英飞凌智能高边开关 5.5~40V 90毫欧 4通道 可并联

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3371
  • 16.01
  • 13.83
  • 12.28
  • 10.96
  • 10.31
  • 10.04
现货最快4小时发货
广东仓
2018
江苏仓
5306

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BTS724G
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
DSO-20-300mil
批次
25+
立推售价
  • 9.8
库存
20K

1000/圆盘

总额0

IRFB3607PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2647
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
75V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V

描述N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存51K+
9.6
  • 2.0044
  • 1.5021
  • 1.2758
  • 1.030848
  • 0.977568
  • 0.9456
现货最快4小时发货
广东仓
50K+
江苏仓
68K+

50/

总额0

近期成交100单+

IRF3205PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2561
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V

描述先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计(这是HEXFET功率MOSFET闻名之处),为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用,在功耗水平约达50瓦时,TO - 220封装是普遍首选

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+
  • 2.28
  • 1.74
  • 1.47
  • 1.24
  • 1.17
  • 1.13
现货最快4小时发货
广东仓
23K+

50/

总额0

近期成交100单+

IRF3205PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
批次
25+
立推售价
  • 1.1
库存
50K

50/

总额0

数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@4.5V

描述P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
9.8
  • 2.44
  • 1.87
  • 1.6
  • 1.323
  • 1.2642
  • 1.2152
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
8989

4000/圆盘

总额0

近期成交100单+

数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@10V

描述P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
  • 5.95
  • 5.06
  • 4.43
  • 3.91
  • 3.05
  • 2.95
现货最快4小时发货
广东仓
14K+
江苏仓
2928

800/圆盘

总额0

近期成交100单+

IRF4905PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2564
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
74A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@10V

描述P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7529
9.8
  • 3.44
  • 2.86
  • 2.52
  • 2.1364
  • 2.0286
  • 1.96
现货最快4小时发货
广东仓
7418

50/

总额0

近期成交100单+

40V电机驱动芯片
BTN8962TAAUMA1
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-263-7
类目
栅极驱动芯片
编号
C112630
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET
工作电压
8V~18V
上升时间(tr)
250ns

描述高电流 PN 半桥驱动IC

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 17.22
  • 14.47
  • 12.75
  • 10.99
  • 10.2
  • 9.85
现货最快4小时发货
广东仓
9209

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

IRF3710PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2562
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
57A
导通电阻(RDS(on))
23mΩ@10V

描述N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存22K+
  • 2.78
  • 2.14
  • 1.84
  • 1.56
  • 1.48
  • 1.43
现货最快4小时发货
广东仓
21K+
江苏仓
3664

50/

总额0

近期成交100单+

BSC0702LS
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TDSON-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C501503
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
84A
导通电阻(RDS(on))
2.7mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9230
  • 3.38
  • 2.79
  • 2.38
  • 2.05
  • 2.02
  • 1.96
现货最快4小时发货
广东仓
4259

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

IR2110STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-16-300mil
类目
栅极驱动芯片
编号
C2968
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
2A

描述600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1728
  • 5.59
  • 4.88
  • 4.21
  • 3.71
  • 3.51
  • 3.41
现货最快4小时发货
广东仓
949
江苏仓
2930

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

P沟道 耐压:60V 电流:0.33A
BSS83PH6327
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2932927
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
330mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@4.5V
耗散功率(Pd)
360mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存146K+
  • 0.5019
  • 0.394
  • 0.3401
  • 0.2996
  • 0.2673
  • 0.2511
现货最快4小时发货
广东仓
145K+
江苏仓
35K+

3000/圆盘

总额0

近期成交68单

IRFP250NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247AC
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2580
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
75mΩ@10V

描述N沟道,200V,30A,75mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+
  • 4.66
  • 4
  • 2.77
  • 2.38
  • 2.26
  • 2.18
现货最快4小时发货
广东仓
15K+
江苏仓
1

25/

总额0

近期成交100单+

IPT015N10N5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
HSOF-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C108964
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
300A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@6V,75A

描述N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
  • 9
  • 7.95
  • 6.15
  • 5.41
  • 5.11
  • 4.96
现货最快4小时发货
广东仓
12K+

2000/圆盘

总额0

近期成交100单+

IPT015N10N5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
HSOF-8
立推售价
  • 4.8
库存
18K

2000/圆盘

总额0

描述采用巨磁电阻的角度传感器

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+
  • 14.32
  • 12.63
  • 11.43
  • 8.71
  • 8.21
  • 8
现货最快4小时发货
广东仓
19K+
江苏仓
30

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

TLE5012BE1000
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SO-8
批次
25+
立推售价
  • 7.8
库存
30K

2500/圆盘

总额0

1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
4.3A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@4.5V,4.3A

描述P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
9.8
  • 0.5089
  • 0.4033
  • 0.3505
  • 0.304682
  • 0.252742
  • 0.23716
现货最快4小时发货
广东仓
27K+
江苏仓
20

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSC030N08NS5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TDSON-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C501507
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
3mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3515
  • 5.56
  • 4.63
  • 3.97
  • 3.43
  • 3.26
  • 3.16
现货最快4小时发货
广东仓
2748

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSC030N08NS5
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TDSON-8(5x6)
批次
25+
立推售价
  • 3
库存
10K

5000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:200V 电流:84A
IPB117N20NFD
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-263-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C536540
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
84A
导通电阻(RDS(on))
11.7mΩ@10V,84A
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1000/圆盘

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近期成交14单

IRF530NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2565
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@10V

描述N沟道,100V,17A,90mΩ@10V

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近期成交100单+

IRFB4227PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2652
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
65A
导通电阻(RDS(on))
24mΩ@10V

描述N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V

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近期成交100单+

IRFB4115PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2651
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
104A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@10V

描述N沟道,150V,104A,11mΩ@10V

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近期成交90单

IRFP260NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247AC-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2678
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
40mΩ@10V

描述N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

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自激振荡半桥驱动器
IR2153STRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C79666
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET
驱动通道数
2
工作电压
10V~15.6V
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