
SEMTECH
进入品牌官网Semtech 成立于1960年,是一家专注于高性能模拟和混合信号半导体及先进算法的创新企业。主要生产保护器件、电源管理产品、射频组件以及专为物联网设计的LoRa技术相关解决方案。
Semtech 成立于1960年,是一家专注于高性能模拟和混合信号半导体及先进算法的创新企业。主要生产保护器件、电源管理产品、射频组件以及专为物联网设计的LoRa技术相关解决方案。
描述VBR=6V, Vc=15V ,Ipp=5A
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描述VBR=7.5V, Vc=10V, Cd=75pF 两对管
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描述8KV接触,15KV空隙放电
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描述VBR=6V, Vc=12.5V, Ipp=12A, Cd=5pF
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描述GS2972是一款多速率传输器,集成了SMPTE数字视频处理、集成电缆驱动器和嵌入式音频多路复用器。它提供2.970Gb/s, 2.970/1.001Gb/s, 1.485Gb/s, 1.485/1.001Gb/s或270Mb/s的完整传输解决方案。
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描述RClamp0512TQ专为高速端口提供二次浪涌和ESD保护而设计。RClamp0512TQ将低电容、浪涌额定转向二极管与高功率瞬态电压抑制器(TVS)集成在一起。该TVS采用回滞或“撬棒”技术,以最小化器件钳位电压,并具有20A(tp = 8/20us)的高浪涌电流能力。其ESD特性表现为高ESD耐受电压(根据IEC 61000 - 4 - 2标准为+/-30kV)和极低的动态电阻(典型值为0.075欧姆)。每个器件可保护两条工作在5伏的线路,并且符合汽车应用的AEC - Q100 1级标准(-40至+125℃)。RClamp0512TQ采用3引脚SGP1006N3T封装。其尺寸为1.0×0.6mm,标称高度仅为0.4mm。引脚采用无铅镍金镀层。直插式封装设计简化了PCB布局。
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描述12KV接触,18KV空隙放电
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描述μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备,避免其因电气过应力(EOS)、雷击、电缆放电事件(CDE)和静电放电(ESD)而损坏或发生闩锁。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流。这些器件具备出色的板级保护特性,包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压,且不会出现器件性能退化。μmxpxx71P系列采用2引脚SGP1610N2封装,尺寸为1.6×1.0 mm,标称高度为0.57 mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。它们可用于保护5V、8V、10V、12V、15V、18V、22V、26V和36V系统。其特点是具有高浪涌电流能力和低钳位电压,非常适合在恶劣的瞬态环境中使用。
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描述RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
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描述RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网(GbE)保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时,该器件能够承受高水平的浪涌电流(40A,8/20μs),同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号(LVDS)接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD工艺提供低箝位电压,并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压,可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。
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描述A钳位瞬态电压抑制(TVS)二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。与MLV相比,它们具有卓越的电气特性,如更低的钳位电压,且不会出现器件性能退化的问题。这些二极管旨在保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)、雷击、电快速瞬变(EFT)和电缆放电事件(CDE)造成的损坏或故障影响。
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描述RailClamps是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个瞬态电压抑制(TVS)二极管集成在单个封装中。在瞬态情况下,转向二极管将瞬态电流导向电源线的正极或接地。内部的TVS二极管可防止电源线上出现过电压,保护任何下游元件。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。低电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。该器件针对便携式电子设备的静电放电保护进行了优化。它们可用于满足IEC 61000-4-2标准(4级 ±15KV空气放电、±8KV接触放电)的静电放电抗扰度要求。
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描述RClamp7534P是一款高性能TVS阵列,旨在同时保护4条信号线免受由ESD、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过压事件影响。RClamp7534P的典型电容极低,仅为0.19pF,旨在保护HDMI 2.0、以太网和USB 3.0等高 速接口。RClamp7534P是一款双向器件,旨在为正、负ESD脉冲提供极低的钳位电压。RClamp7534P的典型动态电阻为1.0欧姆,在过压事件期间可快速开启,以保护敏感系统。RClamp7534P采用5引脚SGP2010N5封装,尺寸为2.0×1.0mm,标称高度为0.50mm。引脚的标称间距为0.40mm。直插式封装设计简化了PCB布局,并保持了高速线路上的信号完整性。低峰值ESD钳位、低动态电阻和创新的封装设计相结合,使该器件能够提供最高级别的ESD保护。
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描述5V,3A,Cj=0.9pF
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描述μClampTM系列瞬态电压抑制器(TVS)旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻(MLV)。与MLV相比,它们具有卓越的电气特性,如更低的钳位电压,且不会出现器件性能退化的问题。该系列产品用于保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)、雷击、电快速瞬变(EFT)和电缆放电事件(CDE)而损坏或出现故障。
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描述RClamp 0582B瞬态电压抑制器专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计,可防止其受到由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。RClamp 0582B具有高脉冲峰值电流能力(I_PP = 15A,t >= 8/20μs),适用于需要进行高浪涌抗扰度测试的应用。其最大电容仅为1.2pF(引脚1或2至引脚3)。该器件可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的静电抗扰度要求(空气放电±30kV,接触放电±25kV)。每个器件可配置为保护1条双向线路或两条单向线路。这些器件采用小型SC - 75(SOT - 523)封装,具有无铅、雾锡表面处理。它们兼容无铅和SnPb组装工艺。小尺寸、低电容和高浪涌保护水平的结合,使其成为保护USB 2.0、低压差分信号(LVDS)和视频接口的灵活解决方案。
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近期成交48单
描述SM系列瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。双结共阳极设计允许用户保护一条双向数据线或两条单向线路。低矮的SOT23封装为“拥挤”电路板的设计提供了灵活性。SM系列将满足IEC 61000 - 4 - 2(原IEC 801 - 2)4级空气和接触放电“人体模型”的浪涌要求。
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近期成交4单