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中央半导体公司是一家专注于分立半导体生产和定制服务的公司,拥有广泛的表面安装、通孔及裸芯片等标准设备。主要生产分立半导体。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
  • 直流反向耐压(Vr): 30V
  • 整流电流: 100mA
  • 反向电流(Ir): 1uA@25V
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    • 正向压降(Vf): 550mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 50uA@30V
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    • 稳压值(标称值): 68V
    • 反向电流(Ir): 1uA@51.7V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
    • 阻抗(Zzt): 120Ω
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    • 稳压值(标称值): 24V
    • 反向电流(Ir): 1uA@18.2V
    • 耗散功率(Pd): 1.5W
    • 阻抗(Zzt): 19Ω
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    • 正向压降(Vf): 1.9V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.3kV
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 5uA@1300V
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    • 稳压值(标称值): 1.8V
    • 反向电流(Ir): 25uA@1V
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 阻抗(Zzt): 1.4kΩ
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    • 正向压降(Vf): 1V@0.2A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 500nA@25V
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    • 稳压值(标称值): 62V
    • 反向电流(Ir): 100nA@47V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
    • 阻抗(Zzt): 185Ω
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    • 正向压降(Vf): 1.1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
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    • 反向电流(Ir): 5uA@200V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 集电极截止电流(Icbo): 10nA
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    • 稳压值(标称值): 15V
    • 反向电流(Ir): 50nA
    • 稳压值(范围): 14.25V~15.75V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极截止电流(Icbo): 50nA
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    • 稳压值(标称值): 12V
    • 反向电流(Ir): 1uA@9.1V
    • 阻抗(Zzt): 30Ω
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    • 9000+: 

      ¥0.2787
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 2590
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    • 总额: ¥0
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    • 数量: 2个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 280mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V,500mA
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      ¥1.0355
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    • 广东仓: 0
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交3单
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    • 正向压降(Vf): 1V@0.2A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 200mA
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    • 5+: 

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    • 50+: 

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    • 500+: 

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    • 6000+: 

      ¥1.1539
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    • 广东仓: 100
      江苏仓: 940
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    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4V,10mA
  • 领券
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    • 5+: 

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    • 50+: 

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    • 150+: 

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      ¥0.5431
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      ¥0.5316
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    • 广东仓: 4820
      江苏仓: 0
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    • 8000个/圆盘
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 2W
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    • 广东仓: 218
      江苏仓: 0
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    • 1000个/圆盘
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 耗散功率(Pd): 3W
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    • 10+: 

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    • 100+: 

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    • 广东仓: 31
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 100mW
    • 输入电容(Ciss@Vds): 7pF
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      ¥1.2825
    • 500+: 

      ¥1.2652
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    • 圆盘
    • 8000个/圆盘
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    • 5+: 

      ¥1.3145
    • 50+: 

      ¥1.052
    • 150+: 

      ¥0.9396
    • 500+: 

      ¥0.7992
    • 2000+: 

      ¥0.7055
    • 4000+: 

      ¥0.6679
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    • 广东仓: 215
      江苏仓: 205
    • 2000个/盒
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交1单
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    • 正向压降(Vf): 370mV@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 100mA
    • 反向电流(Ir): 7uA@10V
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      ¥0.8007
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      ¥0.6868
    • 2500+: 

      ¥0.6108
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      ¥0.5803
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 120
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 8000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 1V@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 120V
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

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    • 50+: 

      ¥0.7431
    • 150+: 

      ¥0.6567
    • 500+: 

      ¥0.5489
    • 3000+: 

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    • 正向压降(Vf): 800mV@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 150V
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    • 稳压值(标称值): 6.2V
    • 反向电流(Ir): 5uA@4V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
    • 阻抗(Zzt):
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
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    • 正向压降(Vf): 220mV@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 20V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 稳压值(标称值): 62V
    • 反向电流(Ir): 1uA@47.1V
    • 耗散功率(Pd): 1.5W
    • 阻抗(Zzt): 100Ω
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