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中央半导体公司是一家专注于分立半导体生产和定制服务的公司,拥有广泛的表面安装、通孔及裸芯片等标准设备。主要生产分立半导体。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 正向压降(Vf): 1V@0.2A
  • 直流反向耐压(Vr): 40V
  • 整流电流: 200mA
  • 反向电流(Ir): 500nA@25V
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    • 稳压值(标称值): 24V
    • 反向电流(Ir): 1uA@18.2V
    • 耗散功率(Pd): 1.5W
    • 阻抗: 19Ω
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    • 正向压降(Vf): 1.9V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1.3kV
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 5uA@1300V
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    • 稳压值(标称值): 1.8V
    • 反向电流(Ir): 25uA@1V
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 阻抗: 1.4kΩ
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    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 100mA
    • 反向电流(Ir): 1uA@25V
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    • 稳压值(标称值): 62V
    • 反向电流(Ir): 100nA@47V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
    • 阻抗: 185Ω
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    • 类型: 2个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 280mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V,500mA
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    • 稳压值(标称值): 68V
    • 反向电流(Ir): 1uA@51.7V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
    • 阻抗: 120Ω
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 3Ω@4V,10mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 2W
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    • 稳压值(标称值): 15V
    • 反向电流(Ir): 50nA
    • 稳压值(范围): 14.25V~15.75V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 集电极截止电流(Icbo): 10nA
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    • 正向压降(Vf): 1.1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 5uA@200V
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    • 3000+: 

      ¥0.5103
    • 6000+: 

      ¥0.4968
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 2515
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极截止电流(Icbo): 50nA
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    • 广东仓: 1000
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    • 稳压值(标称值): 12V
    • 反向电流(Ir): 1uA@9.1V
    • 阻抗: 30Ω
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      ¥0.2587
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 2590
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 耗散功率(Pd): 100mW
    • 输入电容(Ciss@Vds): 7pF
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    • 正向压降(Vf): 550mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 50uA@30V
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    • 正向压降(Vf): 1V@0.2A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 200mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 耗散功率(Pd): 3W
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      江苏仓: 120
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    • 总额: ¥0
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      ¥0.6534
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      ¥0.6158
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    • 广东仓: 215
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    • 正向压降(Vf): 370mV@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 100mA
    • 反向电流(Ir): 7uA@10V
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    • 2500+: 

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    • 5000+: 

      ¥0.538
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    • 广东仓: 0
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
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      ¥1.66
    • 500+: 

      ¥1.52
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      ¥1.44
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 860mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@4.5V,0.95A
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 1V@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 120V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
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    • 稳压值(标称值): 6.2V
    • 反向电流(Ir): 5uA@4V
    • 耗散功率(Pd): 500mW
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极截止电流(Icbo): 50nA
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    • 正向压降(Vf): 220mV@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 20V
    • 整流电流: 500mA
    • 反向电流(Ir): 8uA@10V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 直流电流增益(hFE): 150@2mA,4.5V
    • 特征频率(fT): 120MHz
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