WILLSEMI(韦尔)

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上海韦尔半导体有限公司成立于2007年5月，总部位于上海张江高科技园区。主要生产半导体器件，涵盖模拟芯片、功率器件等产品。

类目
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 运算放大器
- 肖特基二极管
- 功率电子开关
- MEMS麦克风
- 预售新品
- 模拟开关/多路复用器
- DC-DC电源芯片
- 射频开关
- 射频低噪声放大器
- 半导体放电管(TSS)
- 电池管理
- 音频功率放大器
- 电荷泵
- 三极管(BJT)
- 电流感应放大器
- LED驱动
- 缓冲器/驱动器/收发器
多选
封装
- SOT-23-5
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOT-23(TO-236)
- SOP-8
- DFN-4(1x1)
- DFN1006-3(SOT-883)
- SOD-323(SC-90)
- SOT-23-6
- DFN-6(2x2)
- MSOP-8
- DFN1610-2
- DFN0603-2
- DFN-3(2x2)
- SOD-523(SC-79)
- -
- DFN-8(5x6)
- SMB(DO-214AA)
- DFN-8(2x2)
- DFN-8(3.3x3.3)
- SMA(DO-214AC)
多选

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自营结果数634

型号/品牌/封装/类目
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ESD5451N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239604

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 8A@8/20us

描述ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5451N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品不含铅和卤素。

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SMT补贴嘉立创库存148K+

50+￥0.0939
500+￥0.0745
1500+￥0.0637
10000+￥0.0572
20000+￥0.0516
50000+￥0.0485

现货最快4小时发货

广东仓: 142K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

ESD5451X-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: FBP-02C

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239558

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 8A@8/20us

描述ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT补贴嘉立创库存170K+

50+￥0.0977
500+￥0.0784
1500+￥0.0677
10000+￥0.0581
20000+￥0.0526
50000+￥0.0495

现货最快4小时发货

广东仓: 168K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

ESD5311N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C153721

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 21V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT补贴嘉立创库存109K+

20+￥0.1433
200+￥0.1122
600+￥0.0949
2000+￥0.0846
10000+￥0.0756

现货最快4小时发货

广东仓: 106K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WNM6002-3/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C501342

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 1.7Ω@4.5V,0.2A

描述WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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SMT补贴嘉立创库存34K+

20+￥0.2142
200+￥0.1743
600+￥0.1521
3000+￥0.1388
9000+￥0.1272
21000+￥0.121

现货最快4小时发货

广东仓: 33K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

ESD5341N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239773

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 15V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述ESD5341N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5341N集成了一对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5341N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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SMT补贴嘉立创库存56K+

20+￥0.2509
200+￥0.2061
600+￥0.1737
2000+￥0.1469
10000+￥0.1423
20000+￥0.14

现货最快4小时发货

广东仓: 55K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WNM2021-3/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C239556

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 890mA

导通电阻(RDS(on)): 320mΩ@1.8V

描述WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29K+

10+￥0.5595
100+￥0.4596
300+￥0.3872
1000+￥0.3275
5000+￥0.3173
10000+￥0.3123

现货最快4小时发货

广东仓: 28K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

ESD5471X-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: FBP-02C

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239631

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 6A@8/20us

描述ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5471X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30KV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5471X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40K+

50+￥0.1562
500+￥0.1248
1500+￥0.1073
5000+￥0.095

现货最快4小时发货

广东仓: 40K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交97单

WS74285M-8/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: MSOP-8

类目: 电流感应放大器

编号: C16197400

放大器数: 双路

共模电压: 2.7V~76V

描述运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3854

1+￥5.72
10+￥4.55
30+￥3.97
100+￥3.39
500+￥3.05
1000+￥2.87

现货最快4小时发货

广东仓: 3849

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

ESD5651N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239784

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 4.5V

钳位电压: 6.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 35A@8/20us

描述ESD5651N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止其受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5651N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达35A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5651N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存26K+

20+￥0.1992
200+￥0.1611
600+￥0.1334
2000+￥0.1107
10000+￥0.1068
20000+￥0.1049

现货最快4小时发货

广东仓: 25K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交73单

ESD5304D-10/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN2510-10L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C153722

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

描述ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5304D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5304D可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5304D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT补贴嘉立创库存15K+

8.5折

10+￥0.30855
100+￥0.247265
300+￥0.21658
3000+￥0.193545
6000+￥0.175185
9000+￥0.166005

现货最快4小时发货

广东仓: 14K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WPM3407-3/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C167139

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.4A

导通电阻(RDS(on)): 66mΩ@4.5V

描述P沟道，-30V，-4.4A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18K+

5+￥0.7916
50+￥0.6503
150+￥0.5478
500+￥0.4633
2500+￥0.4489
5000+￥0.4418

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WS72551EA-5/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23-5L

类目: 运算放大器

编号: C717863

放大器数: 单路

输入失调电压(Vos): 14uV

输入失调电压温漂(Vos TC): 8nV/℃

压摆率(SR): 1.2V/us

描述该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2801

5+￥1.6717
50+￥1.3517
150+￥1.1197
500+￥0.9283
2500+￥0.8957

现货最快4小时发货

广东仓: 2630

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

ESD5431N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C239673

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 3.3V

钳位电压: 10V

峰值脉冲电流(Ipp): 10A@8/20us

描述ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21K+

50+￥0.1523
500+￥0.1235
1500+￥0.1075
5000+￥0.0979

现货最快4小时发货

广东仓: 21K+

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WS72324Q-16/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: QFN3x3-16

类目: 运算放大器

编号: C16197394

放大器数: 四路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 5.5V

轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出

增益带宽积(GBP): 1.5MHz

描述运算放大器通道数:4 功耗:48μA/通道 GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3372

5+￥1.4066
50+￥1.0934
150+￥0.9592
500+￥0.7917

现货最快4小时发货

广东仓: 2865

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

ESD56151W05-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C915918

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 7.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 145A@8/20us

描述ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8227

10+￥0.4083
100+￥0.3222
300+￥0.2791
3000+￥0.2468
6000+￥0.221

现货最快4小时发货

广东仓: 8140

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

WL2815D33-4/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: XDFN-4-EP(1x1)

类目: 线性稳压器(LDO)

编号: C506126

输出类型: 固定

工作电压: 5.5V

输出电压: 3.3V

输出电流: 300mA

描述WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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SMT补贴嘉立创库存7955

10+￥0.4956
100+￥0.439
300+￥0.4107
1000+￥0.3895
5000+￥0.3726

现货最快4小时发货

广东仓: 7620

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

WL2803E33-5/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23-5L

类目: 线性稳压器(LDO)

编号: C192928

输出类型: 固定

工作电压: 5.5V

输出电压: 3.3V

输出电流: 500mA

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7398

10+￥0.7278
100+￥0.5979
300+￥0.5037
1000+￥0.426
5000+￥0.4127

现货最快4小时发货

广东仓: 7390

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WSB5546N-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1006-2L

类目: 肖特基二极管

编号: C240197

正向压降(Vf): 600mV@200mA

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 200mA

反向电流(Ir): 1uA@40V

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SMT补贴嘉立创库存8739

9.5折

20+￥0.224105
200+￥0.17537
600+￥0.148295
2000+￥0.13205
10000+￥0.11799
20000+￥0.11039

现货最快4小时发货

广东仓: 8720

10000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交53单

SPD9105W-2/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C150545

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 18V

峰值脉冲电流(Ipp): 20A@8/20us

描述SPD9105W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9105W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9105W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9105W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

10+￥0.391
100+￥0.3039
300+￥0.2603
3000+￥0.2276
6000+￥0.2015
9000+￥0.1884

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

WNM2016A-3/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C601105

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.7A

导通电阻(RDS(on)): 33mΩ@4.5V,4.7A

描述WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8659

10+￥0.4217
100+￥0.3464
300+￥0.2918
1000+￥0.2468
5000+￥0.2391

现货最快4小时发货

广东仓: 8650

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交53单

WPM2341-3/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C167138

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.3A

导通电阻(RDS(on)): 61mΩ@4.5V,3.3A

描述P沟道，-20V，-4.3A

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WS72551E-5/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: SOT-23-5L

类目: 运算放大器

编号: C717864

放大器数: 单路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 9V

轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出

增益带宽积(GBP): 1.8MHz

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近期成交34单

WS72358D-8/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN-8-EP(2x2)

类目: 运算放大器

编号: C2943885

放大器数: 双路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 5.5V

轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出

增益带宽积(GBP): 1.5MHz

描述通用运算放大器 WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包括地，使该器件可用于低端电流分流测量。

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WS72321D-4/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: DFN1x1-4

类目: 运算放大器

编号: C16197393

放大器数: 单路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 5.5V

轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出

增益带宽积(GBP): 1.5MHz

描述运算放大器通道数:1 功耗:48μA GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

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近期成交18单

WS72552M-8/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: MSOP-8

类目: 运算放大器

编号: C717866

放大器数: 双路

最大电源宽度(Vdd-Vss): 9V

轨到轨: 轨到轨输入,轨到轨输出

增益带宽积(GBP): 1.7MHz

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WS742128DM-10/TR

品牌: WILLSEMI(韦尔)

封装: EMSOP-10L

类目: 音频功率放大器

编号: C16197399

扬声器通道数: 双声道

工作电压: 3V~5.5V

总谐波失真+噪声(THD+N): 0.001%

静态电流(Iq): 12.8mA

描述音频功率放大器@@THD+N:＞100dB,SNR＞112dB,Voltage Output at 600Ω Load:2Vrms with 3.3V supply voltage/3Vrms with 5.0V supply voltage,No Pop/Clicks Noise when Power ON/OFF,Optimized Frequency Response between 20Hz~20kHz,No Need Output DC-Blocking Capacitors