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首页 > 品牌列表 > CJ(江苏长电/长晶) >
全部商品分类
CJ(江苏长电/长晶)成立于2018年,是中国领先的半导体封装测试服务提供商之一。主要生产包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 二极管配置: 独立式
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  • 直流反向耐压(Vr): 100V
  • 整流电流: 150mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 150mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 860K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 正向压降(Vf): 600mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 近期成交100单+
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    • 正向压降(Vf): 600mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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  • SMT扩展库
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    • 21000+: 

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    • 广东仓: 213K+
      江苏仓: 52K+
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    • 3000个/圆盘
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 6000+: 

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    • 24000+: 

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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 160K+
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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  • SMT基础库
    • 50+: 

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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 耗散功率(Pd): 300mW
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    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 70V
    • 整流电流: 200mA
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    • 广东仓: 177K+
      江苏仓: 103K+
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@4.5V,4A
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  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1939
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    • 广东仓: 100K+
      江苏仓: 90K+
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    • 输出电压: 2.5V~36V
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    • 广东仓: 123K+
      江苏仓: 205K+
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