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江苏长晶科技股份有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司,公司成立于2018年11月,总部坐落于江苏南京江北新区研创园,在深圳、上海、北京、香港、中国台湾等地设立子公司、分公司及办事处。公司主营二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等产品的研发、设计和销售,拥有15000多个产品系列和型号,产品广泛应用于各消费类、工业类电子领域。 公司前身为江苏长电股份科技有限公司(600584)分立器件部门。长电科技成立于1972年, 2003年在上交所主板成功上市。长电科技为全球知名的集成电路封装测试企业,面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务,并拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。 江苏长晶科技有限公司专注于中国半导体产业的创新与发展,目标创造世界一流的半导体品牌!
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4219
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 115mA
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@10V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 340mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3Ω@4.5V
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 150mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@4.5V,4A
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    • 近期成交100单+
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 150mA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 142mΩ@2.5V,2.0A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6Ω@4.5V,0.22A
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    • 广东仓: 10K+
      江苏仓: 131K+
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5.8A
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      江苏仓: 95K+
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 555K+
      江苏仓: 11K+
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 368K+
      江苏仓: 618K+
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    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8Ω@4V,10mA
  • 领券
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    • 广东仓: 92K+
      江苏仓: 49K+
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    • 近期成交100单+
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
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      江苏仓: 67K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 正向压降(Vf): 600mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
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    • 广东仓: 2580
      江苏仓: 152K+
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    • 3000个/圆盘
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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      ¥0.0486
    现货最快4H发
    • 广东仓: 95K+
      江苏仓: 64K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 功率(Pd): 500mW
  • 领券
    9元运费券
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  • SMT扩展库
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    • 连续漏极电流(Id): 70A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.2mΩ@4.5V,10A
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    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 200mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
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    • 反向电流(Ir): 2uA@2V
    • 稳压值(范围): 4.8V~5.4V
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