
micron(镁光)
进入品牌官网Micron(镁光)成立于1978年,是全球领先的半导体存储器和存储解决方案供应商之一。主要生产DRAM、NAND闪存以及固态硬盘等产品。
Micron(镁光)成立于1978年,是全球领先的半导体存储器和存储解决方案供应商之一。主要生产DRAM、NAND闪存以及固态硬盘等产品。
描述DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。
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描述存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13.5)
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描述256-Mbit(16M x 16bit),工作电压:3.3V
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描述Micron 8Gb NAND Flash Memory,支持单次编程操作,具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作,通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。
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描述512Mb DDR2 SDRAM,支持X4, X8, X16配置,具有4n位预取架构,支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项,支持工业温度。
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描述Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备,支持异步接口,具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小,每个块包含 64 个页面,总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压,工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。
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描述256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
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描述M25P16 是一款 16Mb(2Mb x 8)串行闪存存储器件,具备先进的写保护机制,可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令,每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程
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