
EG(屹晶微)
进入品牌官网屹晶微电子是一家专注于集成电路设计的高科技公司,拥有深厚的技术积累,特别是在数字和模拟设计领域。主要生产电源管理、电机控制、逆变电源以及RFID等类型的集成电路。
屹晶微电子是一家专注于集成电路设计的高科技公司,拥有深厚的技术积累,特别是在数字和模拟设计领域。主要生产电源管理、电机控制、逆变电源以及RFID等类型的集成电路。
描述600V,IO+1A/-1.5A,大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC
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描述EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2132高端的工作电压可达300V,低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V,静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力|O+/-| 1.0A/1.5A,采用SOP8封装。
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描述EG2131是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131高端的工作电压可达300V,低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 1/1.5A,采用SOP8封装。
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描述EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+1.2A/-1.4A,采用TSSOP20和QFN24封装。
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描述EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了上拉5V高电位,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A,采用SOP8封装。
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描述大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
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描述单通道功率MOSFET驱动芯片,电压范围:3.0V to 30V
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描述EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。
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描述EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD(overline)内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A,采用SOP8封装。
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描述EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片,配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A,采用TSSOP20封装。
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描述EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
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描述带SD功能双路驱动芯片 EG27324是一款高性价比、带SD功能的双路独立驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路,用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。 EG27324的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA。
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描述EG1192L是一款宽电压范围降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压使用。
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描述EG1198是一款宽电压范围降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成功率MOS管、使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压使用。带使能控制,可以大大节省外围器件,更加适合电池场合使用,具有很高的方案性价比。
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描述EG8546是一款低工作电流、单电源供电、6MHz带宽及高速轨到轨输入与输出的双路运放。轨到轨输入与输出便于设计人员在单电源系统中实现ASIC缓冲。EG8546经过优化设计,可以在较低电源电压时保持高增益,因而能够用于有源滤波器和增益级。
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描述EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V,低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻,LIN 内建了一个250K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-4/4A,采用SOP8 封装。
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描述EG1162是一款高压大电流降压型同步整流DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合大电流场合应用,尤其5V输出场合。
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描述3W单声道无滤波器D类音频放大器。高PSRR(电源电压抑制比),差分输入抑制噪声和射频干扰。90%的效率,极小的PCB面积使得成为手持设备应用的典范,无噗噗声的1ms的快速启动时间也使得成为掌上电脑应用的理想选择。
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近期成交55单
描述EG2104S是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD(overline)内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±1.0 A/1.5A,采用SOP8封装。
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描述EG1192H是一款宽电压范围降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成使能开关控制、基准电源、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能,非常适合宽电压输入降压使用。零功耗使能控制,可以大大节省外围器件,更加适合电池场合使用,具有很高的方案性价比。
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描述EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合高压大电流场合应用,配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。
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近期成交100单+
描述EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
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近期成交53单
描述EG1164是一款高压大电流升压型同步整流DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器等功能。适用于电池供电设备、电动自行车转换器、高压模拟/数字系统、工业控制系统、电信电源系统、便携式移动设备、逆变器系统等。
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近期成交87单
描述EG44273单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。
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