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onsemi(安森美)

onsemi(安森美)

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安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 线性稳压器(LDO)
    • 三极管(BJT)
    • 稳压二极管
    • 缓冲器/驱动器/收发器
    • 逻辑门
    • 肖特基二极管
    • 信号开关/编解码器/多路复用器
    • 触发器
    • DC-DC电源芯片
    • EEPROM
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 开发板
    • 监控和复位芯片
    • AC-DC控制器和稳压器
    • 数字晶体管
    • 晶体管输出光耦
    • 图像传感器
    • 插拔式接线端子
    • 通用二极管
    多选
  • 封装
    • -
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-252
    • TO-220
    • SOP-14
    • SOT-23-5
    • SOP-16
    • TO-92
    • TO-263
    • SOD-123
    • SOT-353
    • TSSOP-14
    • DFN-8(5x6)
    • SOP-20
    • TSSOP-20
    • TO-220F
    • DIP-8
    • TSSOP-16
    • SOT-363
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7950
放大器数
双路
最大电源宽度
32V
输入失调电压
7mV
输入失调电压温漂
10uV/℃

描述双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8

  • 收藏
  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存138K+
  • 0.5053
  • 0.3984
  • 0.3434
  • 0.2982
  • 0.2805
  • 0.2698
现货最快4小时发货
广东仓
42K+
江苏仓
194K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.2681
库存
50K

2500/圆盘

总额0

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C7955
比较器数
双路
输入失调电压
5mV
输入偏置电流
25nA
传播延迟
300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

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  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存286K+
  • 0.5886
  • 0.4759
  • 0.4179
  • 0.3702
  • 0.2959
  • 0.2846
现货最快4小时发货
广东仓
242K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.271
库存
150K

2500/圆盘

总额0

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C18229
放大器数
双路
最大电源宽度
32V
输入失调电压
2mV
输入失调电压温漂
7uV/℃
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存401K+
  • 0.6464
  • 0.5209
  • 0.4564
  • 0.4032
  • 0.3294
  • 0.3168
现货最快4小时发货
广东仓
385K+
江苏仓
8790

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.299
库存
90K

2500/圆盘

总额0

MMBT5551LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41095
晶体管类型
NPN
集电极电流
600mA
集射极击穿电压
160V
耗散功率
300mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 0.1605
  • 0.1275
  • 0.1129
  • 0.072
  • 0.0676
  • 0.0647
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
45K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5551LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.058
库存
120K

3000/圆盘

总额0

FDV301N
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C15310
数量
1个N沟道
漏源电压
25V
连续漏极电流
220mA
导通电阻
5Ω@2.7V,0.2A

描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存118K+
  • 0.2705
  • 0.2201
  • 0.1942
  • 0.1385
  • 0.1311
  • 0.126
现货最快4小时发货
广东仓
114K+
江苏仓
59K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

FDV301N
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
24+
立推售价
  • 0.124
库存
600K

3000/圆盘

总额0

极性
双向
反向截止电压
24V
钳位电压
44V
峰值脉冲电流
8A@8/20us

描述VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存58K+
  • 0.4816
  • 0.3963
  • 0.3524
  • 0.3162
  • 0.224
  • 0.2155
现货最快4小时发货
广东仓
53K+
江苏仓
169K

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NUP2105LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
25+
立推售价
  • 0.208
库存
300K

3000/圆盘

总额0

MMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C82460
晶体管类型
NPN
集电极电流
600mA
集射极击穿电压
40V
耗散功率
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 0.0889
  • 0.0665
  • 0.0566
  • 0.0491
  • 0.0461
  • 0.0441
现货最快4小时发货
广东仓
100
江苏仓
51K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C81464
晶体管类型
NPN
集电极电流
200mA
集射极击穿电压
40V
耗散功率
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存225K+
  • 0.0967
  • 0.0759
  • 0.0524
  • 0.0455
  • 0.0427
  • 0.0408
现货最快4小时发货
广东仓
211K+
江苏仓
199K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.039
库存
150K

3000/圆盘

总额0

MMBT4401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C31776
晶体管类型
NPN
集电极电流
600mA
集射极击穿电压
40V
耗散功率
225mW
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+
  • 0.1084
  • 0.0828
  • 0.061
  • 0.0525
  • 0.0491
  • 0.0468
现货最快4小时发货
广东仓
4300
江苏仓
185K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT4401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.045
库存
120K

3000/圆盘

总额0

MMSD4148T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
开关二极管
编号
C11177
二极管配置
独立式
正向压降
1V@10mA
直流反向耐压
100V
整流电流
200mA

描述此开关二极管适用于高速开关应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
  • 0.107
  • 0.0846
  • 0.0569
  • 0.0494
  • 0.0464
  • 0.0444
现货最快4小时发货
广东仓
7950
江苏仓
92K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMSD4148T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
批次
24+
立推售价
  • 0.0435
库存
600K

3000/圆盘

总额0

BAT54SLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C19726
二极管配置
1对串联式
正向压降
800mV@100mA
直流反向耐压
30V
整流电流
200mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存174K+
  • 0.1499
  • 0.1121
  • 0.0953
  • 0.0827
  • 0.0776
  • 0.0743
现货最快4小时发货
广东仓
163K+
江苏仓
272K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAT54SLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
25+
立推售价
  • 0.068
库存
600K

3000/圆盘

总额0

BSS138LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82045
数量
1个N沟道
漏源电压
50V
连续漏极电流
200mA
导通电阻
5.6Ω@2.75V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+
  • 0.2308
  • 0.1837
  • 0.1595
  • 0.1305
  • 0.1236
  • 0.1189
现货最快4小时发货
广东仓
64
江苏仓
34K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS138LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.105
库存
300K

3000/圆盘

总额0

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82079
数量
1个P沟道
漏源电压
50V
连续漏极电流
130mA
导通电阻
10Ω@5V,100mA

描述P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存96K+
  • 0.2513
  • 0.2003
  • 0.1741
  • 0.1337
  • 0.1261
  • 0.121
现货最快4小时发货
广东仓
94K+
江苏仓
368K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.115
库存
60K

3000/圆盘

总额0

MBR0540T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C21353
正向压降
510mV@500mA
直流反向耐压
40V
整流电流
500mA
反向电流
20uA@40V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存57K+
  • 0.4
  • 0.3414
  • 0.3113
  • 0.1669
  • 0.1582
  • 0.1523
现货最快4小时发货
广东仓
53K+
江苏仓
32K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MBR0540T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
批次
22+
立推售价
  • 0.15
库存
180K

3000/圆盘

总额0

MC33078DR2G
MC33078DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7299
放大器数
双路
最大电源宽度
36V
输入失调电压
150uV
输入失调电压温漂
2uV/℃

描述MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用创新高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,相位和增益裕度出色,开环高频输出阻抗低,源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料DIP和SOIC封装(后缀为P和D)。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8590
  • 1.0975
  • 0.8507
  • 0.745
  • 0.613
  • 0.5543
  • 0.519
现货最快4小时发货
广东仓
5900
江苏仓
5655

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAV99LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C82480
二极管配置
1对串联式
正向压降
1.25V@150mA
直流反向耐压
100V
整流电流
215mA

描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存125K+
  • 0.1274
  • 0.0988
  • 0.0862
  • 0.0624
  • 0.0586
  • 0.0561
现货最快4小时发货
广东仓
116K+
江苏仓
250K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAV99LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
24+
立推售价
  • 0.047
库存
600K

3000/圆盘

总额0

2N7002LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C16338
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
115mA
导通电阻
7.5Ω@10V

描述N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存87K+
  • 0.1665
  • 0.126
  • 0.108
  • 0.0886
  • 0.0832
  • 0.0796
现货最快4小时发货
广东仓
67K
江苏仓
20

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2N7002LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
22+
立推售价
  • 0.078
库存
600K

3000/圆盘

总额0

MMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C21488
晶体管类型
PNP
集电极电流
500mA
集射极击穿电压
150V
耗散功率
300mW

描述此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存35K+
  • 0.2086
  • 0.1642
  • 0.1444
  • 0.0971
  • 0.0912
  • 0.0872
现货最快4小时发货
广东仓
31K+
江苏仓
110K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0788
库存
120K

3000/圆盘

总额0

1N4148WT
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-523F
类目
开关二极管
编号
C232841
二极管配置
独立式
正向压降
1V@10mA
直流反向耐压
75V
整流电流
300mA

描述小信号二极管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存62K+
  • 0.2521
  • 0.2019
  • 0.1796
  • 0.1629
  • 0.103
  • 0.0985
现货最快4小时发货
广东仓
47K+
江苏仓
31K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

极性
双向
反向截止电压
3.3V
钳位电压
10.5V;11.5V
峰值脉冲电流
2A

描述ESD9B系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供一流的保护。因其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2876
  • 0.2276
  • 0.1968
  • 0.1713
  • 0.1261
  • 0.12
现货最快4小时发货
广东仓
60K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

ESD9B3.3ST5G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-923
批次
21+
立推售价
  • 0.092
库存
936K

8000/圆盘

总额0

MBR0520LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C23848
正向压降
385mV@500mA
直流反向耐压
20V
整流电流
500mA
反向电流
250uA@20V

描述此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MBR0520LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
批次
24+
立推售价
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库存
300K

3000/圆盘

总额0

LM324DR2G
LM324DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C63820
放大器数
四路
最大电源宽度
32V
输入失调电压
2mV
输入失调电压温漂
5uV/℃
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2500/圆盘

总额0

近期成交69单

LM324DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
24+
立推售价
  • 0.552
库存
200K

2500/圆盘

总额0

CAT24C256WI-GT3
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
EEPROM
编号
C79987
接口类型
I2C
存储容量
256Kbit
时钟频率
1MHz
工作电压
1.8V~5.5V

描述CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

CAT24C256WI-GT3
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
24+
立推售价
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库存
150K

3000/圆盘

总额0

SS14
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
肖特基二极管
编号
C83852
正向压降
500mV@1A
直流反向耐压
40V
整流电流
1A
反向电流
200uA@40V

描述该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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7500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC33202DR2G
MC33202DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C43122
放大器数
双路
最大电源宽度
13V
输入失调电压
10mV
输入失调电压温漂
2uV/℃
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2500/圆盘

总额0

近期成交60单

MC34063ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C32078
功能类型
升压型;降压型
工作电压
3V~40V
输出电压
1.25V~40V
输出电流
1.5A
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江苏仓
50K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC34063ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 1.516
库存
90K

2500/圆盘

总额0

单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器
MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C89847
放大器数
四路
最大电源宽度
36V
输入失调电压
1mV
输入失调电压温漂
2uV/℃

描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。

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2500/圆盘

总额0

近期成交65单

MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
24+
立推售价
  • 1.668
库存
30K

2500/圆盘

总额0

6N137SDM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8-2.54mm
类目
逻辑输出光耦
编号
C15825
输入类型
DC
工作电压
4.5V~5.5V
隔离电压
5kV
CMTI
10kV/us

描述6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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  • 2.13
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19K+
江苏仓
1

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

6N137SDM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8-2.54mm
批次
1.5年内
立推售价
  • 2.1
库存
18K

1000/圆盘

总额0

MRA4007T3G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
通用二极管
编号
C47921
正向压降
1.18V@2A
直流反向耐压
1kV
整流电流
1A
反向电流
10uA@1kV

描述该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

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广东仓
865
江苏仓
100K+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MRA4007T3G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.219
库存
95K

5000/圆盘

总额0

MMBFJ177LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C106763
栅源截止电压
800mV@10nA
栅源击穿电压
30V
耗散功率
225mW
导通电阻
300Ω

描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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SMT补贴嘉立创库存7061
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  • 0.3378
  • 0.3249
现货最快4小时发货
广东仓
3321
江苏仓
38K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBFJ177LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.313
库存
87K

3000/圆盘

总额0