
onsemi(安森美)
进入品牌官网安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。
安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。
描述双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8
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描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。
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描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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描述VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A
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描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述此开关二极管适用于高速开关应用。
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描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
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描述P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
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描述MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用创新高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,相位和增益裕度出色,开环高频输出阻抗低,源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料DIP和SOIC封装(后缀为P和D)。
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描述此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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描述N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
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描述此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述ESD9B系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供一流的保护。因其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。
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描述此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。
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描述CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。
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描述该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
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描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。
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描述6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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描述该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。
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描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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