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首页 > 品牌列表 > onsemi(安森美) >
全部商品分类
安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。
类目:
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42597
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • LM358DR2G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: 双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8
  • 放大器数: 双路
  • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 32V
  • 输入失调电压(Vos): 7mV
  • 输入失调电压温漂(Vos TC): 10uV/℃
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    • 放大器数: 双路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 32V
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    • 极性: 双向
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    • 钳位电压: 44V
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    • 广东仓: 21K+
      江苏仓: 56K+
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    • MMBT5551LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 广东仓: 374K+
      江苏仓: 6240
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
        • 距结束剩
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    • 总额: ¥1035
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    • MMBT2222ALT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • MMBT3904LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 3.3V
    • 钳位电压: 11.5V
    • 峰值脉冲电流(Ipp): 2A
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    • FDV301N
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 25V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 5Ω@2.7V,0.2A
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      ¥0.2975
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    • 3000+: 

      ¥0.1567
    • 6000+: 

      ¥0.1488
    • 9000+: 

      ¥0.1434
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    • 广东仓: 79K+
      江苏仓: 44K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOT-23
      描述: 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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          涂标
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      ¥0.141
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      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥2115
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
  • 领券
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  • SMT扩展库
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      ¥0.1179
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    • 3000+: 

      ¥0.0683
    • 6000+: 

      ¥0.0591
    • 24000+: 

      ¥0.0554
    • 51000+: 

      ¥0.053
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 63K+
      江苏仓: 121K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 立推售价
    • 15000+: 

      ¥0.048
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      • 剩余库存: 
        150000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥720
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    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@10V,500mA
  • 领券
    包邮券
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  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1673
    • 200+: 

      ¥0.1268
    • 600+: 

      ¥0.1088
    • 3000+: 

      ¥0.0931
    • 9000+: 

      ¥0.0877
    • 21000+: 

      ¥0.0841
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 91K+
      江苏仓: 42K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 12000+: 

      ¥0.079
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        285000
      • 批次: 
        22+
    • 圆盘
    • 总额: ¥948
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    • 数量: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 200mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 5.6Ω@2.75V
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.2726
    • 100+: 

      ¥0.217
    • 300+: 

      ¥0.1884
    • 3000+: 

      ¥0.1542
    • 6000+: 

      ¥0.1459
    • 9000+: 

      ¥0.1404
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 108K+
      江苏仓: 86K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 9000+: 

      ¥0.118
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        300000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1062
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    • 比较器数: 双路
    • 输入失调电压(Vos): 5mV
    • 输入偏置电流(Ib): 25nA
    • 传播延迟(tpd): 300ns
  • 领券
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  • SMT基础库
    • 5+: 

      ¥0.6275
    • 50+: 

      ¥0.5073
    • 150+: 

      ¥0.4455
    • 500+: 

      ¥0.3946
    • 2500+: 

      ¥0.3263
    • 5000+: 

      ¥0.3143
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 155K+
      江苏仓: 0
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 15000+: 

      ¥0.31
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        150000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥4650
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    • 正向压降(Vf): 510mV@500mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 500mA
    • 反向电流(Ir): 20uA@40V
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.415
    • 100+: 

      ¥0.3551
    • 300+: 

      ¥0.3243
    • 3000+: 

      ¥0.1766
    • 6000+: 

      ¥0.1677
    • 9000+: 

      ¥0.1617
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 39K+
      江苏仓: 40K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 12000+: 

      ¥0.155
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        282000
      • 批次: 
        22+23+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1860
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    • CAT24C256WI-GT3
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 256Kbit
    • 时钟频率(fc): 1MHz
    • 工作电压: 1.8V~5.5V
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥3.38
    • 10+: 

      ¥2.75
    • 30+: 

      ¥2.44
    • 100+: 

      ¥2.16
    • 500+: 

      ¥1.53
    • 1000+: 

      ¥1.48
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 9476
      江苏仓: 11K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOIC-8
      描述: CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。
        • 距结束剩
          000小时 0000
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    • 立推售价
    • 6000+: 

      ¥1.43
    支付后4-6工作日
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        60000
    • 圆盘
    • 总额: ¥8580
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    • MMBT4403LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1853
    • 200+: 

      ¥0.1439
    • 600+: 

      ¥0.1255
    • 3000+: 

      ¥0.099
    • 9000+: 

      ¥0.0935
    • 21000+: 

      ¥0.0898
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 47K+
      江苏仓: 2080
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOT-23
      描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 30000+: 

      ¥0.03
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        600000
      • 批次: 
        20+
    • 圆盘
    • 总额: ¥900
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    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 130mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V,100mA
  • 领券
    包邮券
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.3897
    • 100+: 

      ¥0.3075
    • 300+: 

      ¥0.2665
    • 3000+: 

      ¥0.2086
    • 6000+: 

      ¥0.1839
    • 9000+: 

      ¥0.1716
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 108K+
      江苏仓: 124K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOT-23
      描述: P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
        • 距结束剩
          000小时 0000
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    • 立推售价
    • 12000+: 

      ¥0.165
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        90000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1980
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    • 功能类型: 升压型;降压型
    • 输出类型: 可调
    • 工作电压: 3V~40V
    • 输出电压: 1.25V~40V
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥3.1
    • 10+: 

      ¥2.58
    • 30+: 

      ¥2.22
    • 100+: 

      ¥1.92
    • 500+: 

      ¥1.8
    • 1000+: 

      ¥1.74
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 20K+
      江苏仓: 6228
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 5000+: 

      ¥1.66
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        45000
      • 批次: 
        25+
    • 圆盘
    • 总额: ¥8300
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    • BAV99LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 215mA
  • 领券
    包邮券
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  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1377
    • 200+: 

      ¥0.1069
    • 600+: 

      ¥0.0932
    • 3000+: 

      ¥0.0808
    • 9000+: 

      ¥0.0767
    • 21000+: 

      ¥0.0739
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 186K+
      江苏仓: 154K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOT-23
      描述: 此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 15000+: 

      ¥0.061
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        120000
      • 批次: 
        1.5年内
    • 圆盘
    • 总额: ¥915
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 200mA
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1385
    • 200+: 

      ¥0.1094
    • 600+: 

      ¥0.0964
    • 3000+: 

      ¥0.0636
    • 9000+: 

      ¥0.0598
    • 21000+: 

      ¥0.0572
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 113K+
      江苏仓: 28K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 30000+: 

      ¥0.054
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        300000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1620
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    • 正向压降(Vf): 500mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
    • 反向电流(Ir): 30uA@10V
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.1406
    • 200+: 

      ¥0.1062
    • 600+: 

      ¥0.0909
    • 3000+: 

      ¥0.0672
    • 9000+: 

      ¥0.0626
    • 21000+: 

      ¥0.0595
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 0
      江苏仓: 261K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
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    • 放大器数: 双路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V
    • 输入失调电压(Vos): 150uV
    • 输入失调电压温漂(Vos TC): 2uV/℃
  • 领券
    包邮券
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥1.2113
    • 50+: 

      ¥0.946
    • 150+: 

      ¥0.8324
    • 500+: 

      ¥0.6905
    • 2500+: 

      ¥0.6274
    • 5000+: 

      ¥0.5895
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 30K+
      江苏仓: 11K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 2500+: 

      ¥0.56
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        50000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1400
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    • MMBT3906LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23(TO-236)
    • 描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 50+: 

      ¥0.1276
    • 500+: 

      ¥0.1011
    • 3000+: 

      ¥0.0736
    • 6000+: 

      ¥0.0648
    • 24000+: 

      ¥0.0571
    • 51000+: 

      ¥0.053
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 109K+
      江苏仓: 59K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
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    • MBR0520LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。
    • 正向压降(Vf): 385mV@500mA
    • 直流反向耐压(Vr): 20V
    • 整流电流: 500mA
    • 反向电流(Ir): 250uA@20V
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.4372
    • 100+: 

      ¥0.3639
    • 300+: 

      ¥0.3262
    • 3000+: 

      ¥0.2182
    • 6000+: 

      ¥0.2074
    • 9000+: 

      ¥0.2
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 38K+
      江苏仓: 24K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOD-123
      描述: 此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 9000+: 

      ¥0.195
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        150000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥1755
    查看更多渠道点击收起
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 800mV@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 300Ω
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥0.6801
    • 10+: 

      ¥0.5385
    • 30+: 

      ¥0.4658
    • 100+: 

      ¥0.4058
    • 500+: 

      ¥0.3849
    • 1000+: 

      ¥0.3707
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 35K+
      江苏仓: 51K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 3000+: 

      ¥0.36
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        30000
      • 批次: 
        1.5年内
    • 圆盘
    • 总额: ¥1080
    查看更多渠道点击收起
    • SS14
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SMA(DO-214AC)
    • 描述: 该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
    • 正向压降(Vf): 500mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 200uA@40V
  • 领券
    包邮券
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥0.8819
    • 50+: 

      ¥0.7169
    • 150+: 

      ¥0.632
    • 500+: 

      ¥0.5622
    • 2500+: 

      ¥0.433
    • 7500+: 

      ¥0.4165
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 25K+
      江苏仓: 28K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 7500个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SMA(DO-214AC)
      描述: 该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 7500+: 

      ¥0.409
    支付后4-6工作日
      • 剩余库存: 
        60000
      • 批次: 
        1.5年内
    • 圆盘
    • 总额: ¥3067.5
    查看更多渠道点击收起
    • 放大器数: 双路
    • 最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V
    • 输入失调电压(Vos): 4mV
    • 输入失调电压温漂(Vos TC): 2uV/℃
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥2.0104
    • 50+: 

      ¥1.5846
    • 150+: 

      ¥1.4021
    • 500+: 

      ¥1.0917
    • 2500+: 

      ¥0.9903
    • 5000+: 

      ¥0.9294
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 8020
      江苏仓: 4640
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
    查看更多渠道点击收起
    • 工作电压: 10V~36V
    • 开关频率: 500kHz
    • 最大占空比: 48%
    • 拓扑结构: 反激式;升压式
  • 领券
    包邮券
    立即领取
  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥2.81
    • 10+: 

      ¥2.23
    • 30+: 

      ¥1.94
    • 100+: 

      ¥1.69
    • 500+: 

      ¥1.32
    • 1000+: 

      ¥1.27
    现货最快4小时发
    • 广东仓: 21K+
      江苏仓: 2123
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 流程: 查看详情
    • 立推售价
    • 5000+: 

      ¥1.15
    支付后29-31工作日
      • 剩余库存: 
        80000
      • 批次: 
        24+
    • 圆盘
    • 总额: ¥5750
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    • FDS4435BZ
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 8.8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V,8.8A
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 300mA
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