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onsemi(安森美)

onsemi(安森美)

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安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 线性稳压器(LDO)
    • 三极管(BJT)
    • 稳压二极管
    • 缓冲器/驱动器/收发器
    • 逻辑门
    • 肖特基二极管
    • 信号开关/编解码器/多路复用器
    • 触发器
    • DC-DC电源芯片
    • EEPROM
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 开发板
    • 监控和复位芯片
    • AC-DC控制器和稳压器
    • 数字晶体管
    • 晶体管输出光耦
    • 图像传感器
    • 插拔式接线端子
    • 通用二极管
    多选
  • 封装
    • -
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-252
    • TO-220
    • SOP-14
    • SOT-23-5
    • SOP-16
    • TO-92
    • TO-263
    • SOD-123
    • SOT-353
    • TSSOP-14
    • DFN-8(5x6)
    • SOP-20
    • TSSOP-20
    • TO-220F
    • DIP-8
    • TSSOP-16
    • SOT-363
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数1500+
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7950
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
7mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
10uV/℃

描述双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8

  • 收藏
  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存78K+
  • 0.4697
  • 0.3703
  • 0.3193
  • 0.2772
  • 0.2607
  • 0.2508
现货最快4小时发货
广东仓
36K+
江苏仓
122K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM358DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
24+
立推售价
  • 0.248
库存
150K

2500/圆盘

总额0

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C7955
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
5mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

  • 收藏
  • 对比

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存81K+
  • 0.5191
  • 0.4196
  • 0.3685
  • 0.3264
  • 0.2609
  • 0.251
现货最快4小时发货
广东仓
53K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM393DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.245
库存
150K

2500/圆盘

总额0

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C18229
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
7uV/℃
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存353K+
  • 0.6117
  • 0.4929
  • 0.4319
  • 0.3816
  • 0.3117
  • 0.2998
现货最快4小时发货
广东仓
337K+
江苏仓
6815

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM2904DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
25+
立推售价
  • 0.281
库存
100K

2500/圆盘

总额0

MMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C82460
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存118K+
  • 0.0831
  • 0.0621
  • 0.0529
  • 0.0459
  • 0.0431
  • 0.0412
现货最快4小时发货
广东仓
102K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.041
库存
120K

3000/圆盘

总额0

MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C81464
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5639
  • 0.0842
  • 0.0662
  • 0.0459
  • 0.0399
  • 0.0376
  • 0.036
现货最快4小时发货
广东仓
5600

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0342
库存
150K

3000/圆盘

总额0

MMBT4401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C31776
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存169
  • 0.1012
  • 0.0773
  • 0.057
  • 0.049
  • 0.0458
  • 0.0437
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
57K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAT54SLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C19726
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
800mV@100mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
200mA

描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+
  • 0.1174
  • 0.0881
  • 0.0751
  • 0.0654
  • 0.0615
  • 0.0589
现货最快4小时发货
广东仓
25K+
江苏仓
167K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BAT54SLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
25+
立推售价
  • 0.057
库存
288K

3000/圆盘

总额0

MMBT5551LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41095
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存99K+
  • 0.1304
  • 0.1036
  • 0.0675
  • 0.0585
  • 0.055
  • 0.0526
现货最快4小时发货
广东仓
99K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT5551LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
24+
立推售价
  • 0.052
库存
273K

3000/圆盘

总额0

BSS138LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82045
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
5.6Ω@2.75V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存58K+
  • 0.2005
  • 0.1517
  • 0.1301
  • 0.1065
  • 0.1
  • 0.0957
现货最快4小时发货
广东仓
49K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS138LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.0888
库存
30K

3000/圆盘

总额0

FDV301N
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C15310
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
25V
连续漏极电流(Id)
220mA
导通电阻(RDS(on))
5Ω@2.7V,0.2A

描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存141K+
  • 0.2415
  • 0.1876
  • 0.1636
  • 0.117
  • 0.1098
  • 0.105
现货最快4小时发货
广东仓
137K+
江苏仓
41K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

FDV301N
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
24+
立推售价
  • 0.104
库存
237K

3000/圆盘

总额0

1N4148WT
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-523F
类目
开关二极管
编号
C232841
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@10mA
直流反向耐压(Vr)
75V
整流电流
300mA

描述小信号二极管

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
  • 0.2454
  • 0.1966
  • 0.1749
  • 0.1586
  • 0.1003
  • 0.0959
现货最快4小时发货
广东仓
11K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
24V
钳位电压
44V
峰值脉冲电流(Ipp)
8A@8/20us

描述VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 0.4578
  • 0.3767
  • 0.3349
  • 0.2249
  • 0.2129
  • 0.2048
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
74K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NUP2105LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
25+
立推售价
  • 0.198
库存
132K

3000/圆盘

总额0

SS14
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
肖特基二极管
编号
C83852
正向压降(Vf)
500mV@1A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
200uA@40V

描述该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存33K+
  • 0.7231
  • 0.5878
  • 0.5183
  • 0.461
  • 0.355
  • 0.3415
现货最快4小时发货
广东仓
32K+

7500/圆盘

总额0

近期成交100单+

单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器
MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C89847
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
24MHz
输入失调电压(Vos)
1mV

描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存155
  • 3.55
  • 2.86
  • 2.51
  • 2.17
  • 1.81
  • 1.71
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
7190

2500/圆盘

总额0

近期成交45单

MC33274ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
1.5年内
立推售价
  • 1.589
库存
30K

2500/圆盘

总额0

MBR0520LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C23848
正向压降(Vf)
385mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
20V
整流电流
500mA
反向电流(Ir)
250uA@20V

描述此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100K+
  • 0.3629
  • 0.2999
  • 0.2675
  • 0.1747
  • 0.1654
  • 0.1591
现货最快4小时发货
广东仓
100K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MBR0520LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
批次
24+
立推售价
  • 0.156
库存
144K

3000/圆盘

总额0

单电源四路运算放大器
LM324DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C63820
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
5uV/℃
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存29K+
  • 1.1924
  • 0.9243
  • 0.8094
  • 0.6661
  • 0.6022
  • 0.5639
现货最快4小时发货
广东仓
29K+
江苏仓
28K+

2500/圆盘

总额0

近期成交76单

LM324DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
24+
立推售价
  • 0.552
库存
85K

2500/圆盘

总额0

轨到轨输出,3 MHz带宽运算放大器
NCS20072DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C89845
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
轨到轨
轨到轨输出
增益带宽积(GBP)
3MHz

描述NCx2007x系列运算放大器可实现轨到轨输出操作,带宽为3 MHz,有单通道、双通道和四通道配置可供选择。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围,同时利用3 MHz的带宽。NCx2007x可在低至2 V的电源电压下工作

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8638
  • 1.5992
  • 1.2547
  • 1.107
  • 0.8559
  • 0.7739
  • 0.7246
现货最快4小时发货
广东仓
8155
江苏仓
6925

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

NCS20072DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.709
库存
60K

2500/圆盘

总额0

低噪声双/四运算放大器
MC33079DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C9376
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
16MHz
输入失调电压(Vos)
150uV

描述MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料 DIP 和 SOIC 封装(后缀为 P 和 D)。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
  • 1.8876
  • 1.444
  • 1.254
  • 0.9757
  • 0.8701
  • 0.8067
现货最快4小时发货
广东仓
13K+

2500/圆盘

总额0

近期成交51单

单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器
MC33272ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8
类目
运算放大器
编号
C54559
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
24MHz
输入失调电压(Vos)
1mV

描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7772
  • 2.2721
  • 1.7862
  • 1.578
  • 1.207
  • 1.0913
  • 1.0219
现货最快4小时发货
广东仓
7750
江苏仓
5720

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC33272ADR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-8
批次
1.5年内
立推售价
  • 1.02
库存
30K

2500/圆盘

总额0

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C82079
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
130mA
导通电阻(RDS(on))
10Ω@5V,100mA

描述P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存50K+
  • 0.2197
  • 0.1714
  • 0.1465
  • 0.126
  • 0.1189
  • 0.114
现货最快4小时发货
广东仓
49K+
江苏仓
349K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS84LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.11
库存
60K

3000/圆盘

总额0

反向截止电压(Vrwm)
5V
钳位电压
12.5V
峰值脉冲电流(Ipp)
8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)
100W@8/20us

描述VBR=6.2V, Vc=9.8V, Ipp=8A ,Cd=80pF

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SMT补贴嘉立创库存33K+
  • 0.5129
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  • 0.2725
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广东仓
23K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBFJ177LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C106763
栅源截止电压(VGS(off))
800mV@10nA
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
225mW
导通电阻(RDS(on))
300Ω

描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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SMT补贴嘉立创库存51K+
  • 0.5527
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  • 0.375
  • 0.3253
  • 0.308
  • 0.2962
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广东仓
49K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

单电源四路运算放大器
LM2902DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
运算放大器
编号
C57473
放大器数
四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
32V
输入失调电压(Vos)
5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
7uV/℃
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SMT补贴嘉立创库存12K+
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  • 0.8463
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  • 0.5926
  • 0.5545
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广东仓
12K+
江苏仓
9380

2500/圆盘

总额0

近期成交44单

LM2902DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.5471
库存
60K

2500/圆盘

总额0

低功耗、低噪声运算放大器
MC33178DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C39113
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBP)
5MHz
输入失调电压(Vos)
150uV

描述MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外,该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流,同时还具备高输出电流驱动能力

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SMT补贴嘉立创库存1386
  • 1.254
  • 0.9818
  • 0.8651
  • 0.6764
  • 0.6116
  • 0.5727
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广东仓
1230
江苏仓
11K+

2500/圆盘

总额0

近期成交81单

LM339DR2G
LM339DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
类目
比较器
编号
C63821
比较器数
四路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

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SMT补贴嘉立创库存26K+
  • 1.2942
  • 0.9948
  • 0.8665
  • 0.7064
  • 0.6352
  • 0.5924
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广东仓
26K+
江苏仓
4150

2500/圆盘

总额0

近期成交78单

LM339DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-14
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.55
库存
35K

2500/圆盘

总额0

FUSB302BMPX
品牌
onsemi(安森美)
封装
WFQFN-14(2.5x2.5)
类目
USB转换芯片
编号
C132291
应用功能
控制器
工作电压
2.8V~5.5V
工作温度
-40℃~+125℃

描述支持双角色功能,自主DRP切换,能够连接为主机或设备,基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准,集成CC引脚功能,包括连接/断开检测、电流能力指示等。

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SMT补贴嘉立创库存2165
  • 4.67
  • 3.97
  • 3.47
  • 3.06
  • 2.37
  • 2.29
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广东仓
2120
江苏仓
10K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PNP 电流:200mA 电压:40V
MMBT3906LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C53444
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存48K+
  • 0.0907
  • 0.0718
  • 0.0522
  • 0.0459
  • 0.0404
  • 0.0375
现货最快4小时发货
广东仓
48K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3906LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
批次
24+25+
立推售价
  • 0.0365
库存
300K

3000/圆盘

总额0

LM2903DR2G
LM2903DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C57474
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
20nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。

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SMT补贴嘉立创库存3
  • 0.5529
  • 0.4365
  • 0.3783
  • 0.3346
  • 0.2747
  • 0.2572
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9430

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

LM2903DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
24+
立推售价
  • 0.25
库存
100K

2500/圆盘

总额0

MC7805BDTRKG
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252-2(DPAK)
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C110908
输出类型
固定
工作电压
24V
输出电压
5V
输出电流
1A
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SMT补贴嘉立创库存14K+
  • 1.2282
  • 0.9506
  • 0.8151
  • 0.6399
  • 0.6067
  • 0.5868
现货最快4小时发货
广东仓
13K+
江苏仓
940

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

MC7805BDTRKG
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252-2(DPAK)
批次
1.5年内
立推售价
  • 0.541
库存
10K

2500/圆盘

总额0

单电源3.0 V至44 V低功耗运算放大器
MC33172DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C59632
放大器数
双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)
44V
增益带宽积(GBP)
1.8MHz
输入失调电压(Vos)
4.5mV

描述双路 高压运放、低功耗运放;2.1 V/μs;带宽>=1.8MHz;偏置电流:20nA;失调电压:2mV 电流:220μA;电源:3V~44V,±1.5V-±22V;-40°C-85°C SOIC8

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SMT补贴嘉立创库存460
  • 1.2559
  • 0.9723
  • 0.8508
  • 0.6992
  • 0.6316
  • 0.5911
现货最快4小时发货
广东仓
450
江苏仓
16K+

2500/圆盘

总额0

近期成交43单