
onsemi(安森美)
进入品牌官网安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。
安森美(onsemi)成立于1999年,通过收购和内部增长成为全球领先的半导体解决方案供应商之一。主要生产包括功率管理、模拟信号处理、逻辑IC、分立器件以及传感器等产品。
描述双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8
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2500个/圆盘
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描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。
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描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
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描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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描述小信号二极管
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描述VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A
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描述该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
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描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。
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描述此肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属,可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。
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描述NCx2007x系列运算放大器可实现轨到轨输出操作,带宽为3 MHz,有单通道、双通道和四通道配置可供选择。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围,同时利用3 MHz的带宽。NCx2007x可在低至2 V的电源电压下工作
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描述MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管,使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本,采用塑料 DIP 和 SOIC 封装(后缀为 P 和 D)。
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描述高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压,电力,汽车,工业,仪表用。
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描述P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
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描述VBR=6.2V, Vc=9.8V, Ipp=8A ,Cd=80pF
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描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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描述MC33178/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器产品系列,运用了创新的高性能理念,适用于优质音频和数据信号处理应用。该器件系列采用高频PNP输入晶体管,使放大器具备低输入失调电压、低噪声和低失真的特性。此外,该放大器每个放大器仅消耗420 μA的漏极电流,同时还具备高输出电流驱动能力
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描述这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。
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描述支持双角色功能,自主DRP切换,能够连接为主机或设备,基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准,集成CC引脚功能,包括连接/断开检测、电流能力指示等。
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描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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近期成交100单+
描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
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描述双路 高压运放、低功耗运放;2.1 V/μs;带宽>=1.8MHz;偏置电流:20nA;失调电压:2mV 电流:220μA;电源:3V~44V,±1.5V-±22V;-40°C-85°C SOIC8
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