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微碩半導體專注于半導體封裝、測試，多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立，成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業，現已擁有地區、世界級企業技術中心、博士後科研工作站，是台灣重點高新技術企業、清潔環保型企業、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位及全球半導體聯盟（GSA）成員。創新的産品和解決方案廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式産品、消費類電子與計算機3C産品等領域。企業一直秉承“客戶至上、團隊協作、坦誠守信”的理念，向顧客提供技術領先的有競争力的産品，提供周到的優質服務，不斷提高顧客滿意度；保持主業産品的品牌優勢，打造國際知名品牌

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WST3400
WST3400 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C86883
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.30V.7A.18mΩ.功能与脚位等同AO3400A
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WST3407
WST3407 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C105163
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-5.8A.41mΩ.功能与脚位等同AO3407A
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WSF70P03
WSF70P03 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148439
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：57A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52.1W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-30V.-65A.7.5mΩ.功能与脚位等同AOD403
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WST2066
WST2066 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148363
  • 封装规格： SOT-23-6
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.7.2A.16mΩ
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WST03P06
WST03P06 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C105166
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-60V.-3.5A.88mΩ
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WSD3066DN33
WSD3066DN33 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148386
  • 封装规格： DFN 3.3x3.3-8
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
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WST3401
WST3401 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C105162
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3401A
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WSF15N10
WSF15N10 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C82767
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道 N沟道.100V.15A.80mΩ.功能与脚位等同AOD478
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WST2N7002
WST2N7002 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C86936
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250mW 类型：N沟道 N沟道.60V.0.18A.2Ω
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WSD30L120DN56
WSD30L120DN56 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148396
  • 封装规格： DFN 5x6-8
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-30V.-120A.3.6mΩ
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WSF3040
WSF3040 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148427
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.43A.10mΩ
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WSF40N06
WSF40N06 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C86291
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道.60V.50A.20mΩ.功能与脚位等同AOD442
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    ￥0.76518 ￥0.8502

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WSP4807
WSP4807 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148417
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.9A 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 8.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道 双P沟道.-30V.-8.9A.15mΩ
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WSF09N20
WSF09N20 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148438
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.200V.9A.210mΩ
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    ￥1.10511 ￥1.2279

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    ￥1.08873 ￥1.2097
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WST05N10
WST05N10 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148340
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：145mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.100V.2.8A.135mΩ
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    ￥0.355522 ￥0.395024

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    ￥0.34524 ￥0.3836

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    ￥0.34016 ￥0.377956
WSE9968A
WSE9968A MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148360
  • 封装规格： SOT-89(SOT-89-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 N沟道.100V.4.4A.75mΩ
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    ￥1.53

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    ￥1.51
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WST3415
WST3415 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C139599
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：54mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道.-20V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3415
数据手册
券满5000减100 8.5折
  • 含增值税

  • 5+：

    ￥0.42097

  • 50+：

    ￥0.316011

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    ￥0.296733

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    ￥0.235837 ￥0.277455

  • 2500+：

    ￥0.228554 ￥0.268887

  • 5000+：

    ￥0.224955 ￥0.264653
WST4041
WST4041 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148357
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 P沟道.-40V.-6A.30mΩ
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  • 含增值税

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WSD3028DN
WSD3028DN MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148384
  • 封装规格： DFN 3.3x3.3-8
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.19A.25mΩ
数据手册
券满5000减100 8折
  • 含增值税

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    ￥1.3

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    ￥0.9751

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    ￥0.9155

  • 100+：

    ￥0.68464 ￥0.8558

  • 500+：

    ￥0.66344 ￥0.8293

  • 1000+：

    ￥0.65296 ￥0.8162
WSP4953A
WSP4953A MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148415
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：双P沟道 双P沟道.-20V.-5.8A.40mΩ
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WSD2098N23
WSD2098N23 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148379
  • 封装规格： DFN 2x3
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ
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WSD20L75DN
WSD20L75DN MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148391
  • 封装规格： DFN 3x3-8
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：P沟道 P沟道.-20V.-75A.4.8mΩ.功能与脚位等同AON7421
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现货
特惠
WSF4012
WSF4012 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C86420
  • 封装规格： TO-252-4
描述： 漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc),20A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 12A,10V;38mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc),31.3W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P双沟道.40V.30A.16mΩ/-40V.-20A.30mΩ
数据手册
券满5000减100 9折
  • 含增值税

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    ￥1.8175

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    ￥1.04625 ￥1.1625
现货
特惠
WSP4884
WSP4884 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148402
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 双N沟道.30V.8.8A.18.5mΩ.功能与脚位等同AO4800
数据手册
券满5000减100 8.5折
  • 含增值税

  • 1+：

    ￥1.1443

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    ￥0.8594

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    ￥0.621775 ￥0.7315

  • 1000+：

    ￥0.612 ￥0.72
WSD2050DN
WSD2050DN MOS(场效应管)
  • 商品编号：C377874
  • 封装规格： DFN-8
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.20V 40A 14mΩ@10V,28mΩ@1.8V(最大)
数据手册
券满5000减100
  • 含增值税

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    ￥1.3354

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    ￥0.9212

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    ￥0.857

  • 500+：

    ￥0.8284

  • 1000+：

    ￥0.8143
WSP4984
WSP4984 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148405
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：双N沟道 双N沟道.40V.10A.15mΩ
数据手册
券满5000减100
  • 含增值税

  • 1+：

    ￥1.7003

  • 10+：

    ￥1.2754

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    ￥1.1974

  • 100+：

    ￥1.1194

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    ￥1.0847

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    ￥1.0675
现货
特惠
WST3400S
WST3400S MOS(场效应管)
  • 商品编号：C105164
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道.30V.5.6A.27mΩ.功能与脚位等同AO3402
数据手册
券满5000减100 9折
  • 含增值税

  • 10+：

    ￥0.306631

  • 100+：

    ￥0.231661

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  • 5000+：

    ￥0.178201 ￥0.198001

  • 10000+：

    ￥0.175479 ￥0.194977
WST6066A
WST6066A MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148352
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道.60V.5.2A.110mΩ
数据手册
券满5000减100
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  • 1+：

    ￥0.8261

  • 10+：

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    ￥0.5317

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    ￥0.5054
现货
特惠
WST2339
WST2339 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148354
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.1A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 P沟道.-20V.-7.1A./19mΩ
数据手册
券满5000减100 9折
  • 含增值税

  • 5+：

    ￥0.661028

  • 50+：

    ￥0.491096

  • 150+：

    ￥0.459884

  • 500+：

    ￥0.385805 ￥0.428672

  • 2500+：

    ￥0.37332 ￥0.4148

  • 5000+：

    ￥0.367151 ￥0.407946
现货
特惠
WSP4406
WSP4406 MOS(场效应管)
  • 商品编号：C148400
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道.30V.12A.9.5mΩ.功能与脚位等同AO4406
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    ￥1.1491

  • 10+：

    ￥0.8504

  • 30+：

    ￥0.7956

  • 100+：

    ￥0.651816 ￥0.7407

  • 500+：

    ￥0.630432 ￥0.7164

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