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WINSOK(微硕)

WINSOK(微硕)

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微硕半导体是一家专注于半导体封装和测试的高科技企业,多年来致力于电子元器件的开发与研究,在行业内树立了良好声誉。主要产品线包括MOSFET和稳压器。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 电池管理
    多选
  • 封装
    • TO-252
    • SOT-23(TO-236)
    • SOP-8
    • DFN-8(5x6)
    • DFN-8(3x3)
    • TO-220
    • TO-263
    • SOT-23-6
    展开
    多选
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价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数485
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

WST4041
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148357
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
6A
导通电阻
58mΩ@4.5V,1A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1810
  • 0.9839
  • 0.7733
  • 0.6705
  • 0.5787
  • 0.5183
  • 0.5032
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
26K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
WSD30L90DN56
品牌
WINSOK(微硕)
封装
PDFN-8(5.2x6.2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719076
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
90A
导通电阻
5.2mΩ@10V,25A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+
  • 3.02
  • 2.42
  • 2.16
  • 1.83
  • 1.61
  • 1.53
现货最快4小时发货
广东仓
23K+
江苏仓
9839

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2个P沟道 耐压:30V 电流:8A
WSP4805
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148416
数量
2个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
8A
导通电阻
19mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4185
  • 2.1089
  • 1.6808
  • 1.4973
  • 1.2683
  • 1.1664
  • 1.084
现货最快4小时发货
广东仓
3894
江苏仓
2490

3000/圆盘

总额0

近期成交36单

1个N沟道 耐压:40V 电流:5.8A
WST4040
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C377863
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
5.8A
导通电阻
60mΩ@4.5V
描述
N沟道.40V.5.8A.30mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2748
  • 0.9689
  • 0.7817
  • 0.6881
  • 0.6179
  • 0.5111
  • 0.4831
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
34K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
WSP4606
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C86361
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压
30V
导通电阻
18mΩ@10V,6A
阈值电压
1.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存27K+
  • 1.1311
  • 0.9043
  • 0.8071
  • 0.6857
  • 0.5663
  • 0.5338
现货最快4小时发货
广东仓
23K+
江苏仓
17K+

3000/圆盘

总额0

近期成交50单

P通道,电流:-30A,耐压:-100V
WSD40P10DN56
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(4.9x5.8)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2880523
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
30A
导通电阻
95mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+
  • 3.55
  • 2.84
  • 2.54
  • 2.16
  • 1.85
  • 1.75
现货最快4小时发货
广东仓
15K+
江苏仓
3888

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2个N沟道 耐压:60V 电流:10A
WSP6956
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719108
数量
2个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
10A
导通电阻
15mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3352
  • 1.605
  • 1.455
  • 1.386
  • 1.294
  • 1.23
  • 1.2
现货最快4小时发货
广东仓
3216
江苏仓
11K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:40V 电流:68A
WSD4070DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719095
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
68A
导通电阻
4.5mΩ@10V,7A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存53
  • 1.6674
  • 1.3314
  • 1.13
  • 1.12
  • 1.115
  • 1.1
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
12K+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
WSP4882
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C377862
数量
2个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
8A
导通电阻
26mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存642
  • 0.9239
  • 0.7415
  • 0.6503
  • 0.5819
  • 0.4758
  • 0.4484
现货最快4小时发货
广东仓
620
江苏仓
7415

3000/圆盘

总额0

近期成交90单

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
WST3078
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOT-23-6
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148370
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
3.5A
导通电阻
100mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9760
9
  • 1.26414
  • 1.01466
  • 0.90774
  • 0.77436
  • 0.62208
  • 0.58644
现货最快4小时发货
广东仓
8795
江苏仓
2125

3000/圆盘

总额0

近期成交48单

双N沟道MOSFET,电流:35A,耐压:30V
WSD3056DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2758429
数量
2个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
35A
导通电阻
13mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8626
9
  • 1.44594
  • 1.15047
  • 1.02384
  • 0.86589
  • 0.66366
  • 0.62145
现货最快4小时发货
广东仓
8585
江苏仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交63单

1个N沟道 耐压:40V 电流:38A
WSD4038DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C377860
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
38A
导通电阻
13mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8287
  • 1.7662
  • 1.4185
  • 1.2694
  • 1.0835
  • 1.0007
  • 0.8188
现货最快4小时发货
广东仓
7993
江苏仓
5

5000/圆盘

总额0

近期成交82单

P沟道MOSFET,电流:-34A,耐压:-100V
WSF50P10
品牌
WINSOK(微硕)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2758447
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
34A
导通电阻
40mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存115
  • 4.47
  • 3.65
  • 3.24
  • 2.84
  • 2.28
  • 2.15
现货最快4小时发货
广东仓
115
江苏仓
1691

2500/圆盘

总额0

近期成交66单

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
WSD40120DN56G
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(6x4.9)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C507088
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
120A
导通电阻
1.8mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存44K+
  • 5.91
  • 4.83
  • 4.29
  • 3.76
  • 2.95
  • 2.78
现货最快4小时发货
广东仓
43K+
江苏仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交28单

1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
WSD90P06DN56
品牌
WINSOK(微硕)
封装
PDFN-8(4.9x5.8)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719104
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
90A
耗散功率
96W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5625
  • 8.58
  • 7.25
  • 6.51
  • 5.69
  • 4.57
  • 4.4
现货最快4小时发货
广东仓
4778
江苏仓
52

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

2个P沟道 耐压:20V 电流:5.8A
WSP4953A
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148415
数量
2个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
5.8A
导通电阻
55mΩ@10V,5.8A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2978
9.5
  • 0.44821
  • 0.35701
  • 0.31141
  • 0.27721
  • 0.24985
  • 0.23617
现货最快4小时发货
广东仓
2860
江苏仓
12K+

3000/圆盘

总额0

近期成交37单

WSP4953A
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
批次
21+
立推售价
  • 0.15
库存
297K

3000/圆盘

总额0

2个P沟道 耐压:30V 电流:8.9A
WSP4807
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148417
数量
2个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
8.9A
导通电阻
32mΩ@4.5V,5.6A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6473
  • 1.3448
  • 1.0676
  • 0.9489
  • 0.8007
  • 0.6868
  • 0.6472
现货最快4小时发货
广东仓
5500
江苏仓
530

3000/圆盘

总额0

近期成交67单

1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
WSD30L40DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148390
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
40A
导通电阻
24mΩ@4.5V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7198
  • 1.6783
  • 1.3305
  • 1.1814
  • 0.9955
  • 0.9127
  • 0.8248
现货最快4小时发货
广东仓
6758
江苏仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
WSD3066DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148386
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
50A
导通电阻
5.7mΩ@4.5V
描述
N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7423
  • 1.7915
  • 1.4387
  • 1.2875
  • 1.0988
  • 0.8827
  • 0.8322
现货最快4小时发货
广东仓
6185
江苏仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交97单

1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
WSF15P10
品牌
WINSOK(微硕)
封装
TO-252-2(DPAK)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148442
数量
1个P沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
13A
导通电阻
190mΩ@10V,5.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5969
9
  • 2.17242
  • 1.76418
  • 1.58922
  • 1.37088
  • 1.0953
  • 1.03689
现货最快4小时发货
广东仓
5969
江苏仓
5189

2500/圆盘

总额0

近期成交32单

2个N沟道 耐压:100V 电流:12A
WSP11N10T
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5242052
数量
2个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
12A
导通电阻
70mΩ@10V,5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7030
9
  • 2.574
  • 2.079
  • 1.863
  • 1.593
  • 1.26
  • 1.188
现货最快4小时发货
广东仓
6753
江苏仓
0

3000/圆盘

总额0

近期成交25单

2个N沟道 耐压:40V 电流:22A
WSD4098DN56
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(5.2x5.5)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719105
数量
2个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
22A
导通电阻
6.8mΩ@10V,14A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6655
  • 2.75
  • 2.22
  • 2
  • 1.71
  • 1.33
  • 1.25
现货最快4小时发货
广东仓
5306
江苏仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交44单

1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
WSP16N10
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148413
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
16A
导通电阻
13mΩ@4.5V,9.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7856
  • 3.83
  • 3.1
  • 2.79
  • 2.4
  • 1.73
  • 1.63
现货最快4小时发货
广东仓
5118
江苏仓
0

3000/圆盘

总额0

近期成交44单

1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
WST3052
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOT-323-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719079
数量
1个N沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
2.5A
导通电阻
50mΩ@4.5V,2.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7640
  • 0.55
  • 0.5049
  • 0.4389
  • 0.3894
  • 0.3498
  • 0.33
现货最快4小时发货
广东仓
5960
江苏仓
3600

3000/圆盘

总额0

近期成交69单

1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
WST03P06
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C105166
数量
1个P沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
3.5A
导通电阻
110mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4150
  • 0.59
  • 0.53
  • 0.5
  • 0.47
  • 0.45
  • 0.44
现货最快4小时发货
广东仓
3925
江苏仓
4335

3000/圆盘

总额0

近期成交96单

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
WSF12N10
品牌
WINSOK(微硕)
封装
TO-252-2(DPAK)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148434
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
10A
导通电阻
310mΩ@4.5V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9976
9
  • 1.28799
  • 1.02915
  • 0.91827
  • 0.77985
  • 0.63261
  • 0.59562
现货最快4小时发货
广东仓
9905
江苏仓
1730

2500/圆盘

总额0

近期成交27单

2个N沟道 耐压:40V 电流:10A
WSP4984
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148405
数量
2个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
10A
导通电阻
21mΩ@4.5V,5.9A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7136
  • 1.8297
  • 1.4514
  • 1.2893
  • 1.087
  • 0.997
  • 0.8842
现货最快4小时发货
广东仓
6123
江苏仓
282

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近期成交64单

1个P沟道 耐压:40V 电流:16.7A
WSP4445
品牌
WINSOK(微硕)
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C719112
数量
1个P沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
16.7A
耗散功率
4.2W
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近期成交50单

1个P沟道 耐压:20V 电流:75A
WSD20L75DN33
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C148391
数量
1个P沟道
漏源电压
20V
连续漏极电流
75A
导通电阻
6mΩ@4.5V
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近期成交57单

双N沟道,电流:45A,耐压:60V
WSD6056DN56
品牌
WINSOK(微硕)
封装
DFN-8(5.2x5.5)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2758412
漏源电压
60V
连续漏极电流
45A
导通电阻
20mΩ@10V
耗散功率
45W
描述
Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26
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