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微碩半導體專注于半導體封裝、測試，多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立，成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業，現已擁有地區、世界級企業技術中心、博士後科研工作站，是台灣重點高新技術企業、清潔環保型企業、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位及全球半導體聯盟（GSA）成員。創新的産品和解決方案廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式産品、消費類電子與計算機3C産品等領域。企業一直秉承“客戶至上、團隊協作、坦誠守信”的理念，向顧客提供技術領先的有競争力的産品，提供周到的優質服務，不斷提高顧客滿意度；保持主業産品的品牌優勢，打造國際知名品牌

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WST3400S
MOS(场效应管)/ WST3400S
  • 商品编号：C105164
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：32 mΩ @ 5A,4.5V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W N沟道.30V.5.6A.27mΩ.功能与脚位等同AO3402
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WST3400
MOS(场效应管)/ WST3400
  • 商品编号：C86883
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：28 mΩ @ 5A,4.5V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W N沟道.30V.7A.18mΩ.功能与脚位等同AO3400A
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WSF15N10
MOS(场效应管)/ WSF15N10
  • 商品编号：C82767
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100 mΩ @ 5A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：60W N沟道.100V.15A.80mΩ.功能与脚位等同AOD478
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WST2066
MOS(场效应管)/ WST2066
  • 商品编号：C148363
  • 封装规格： SOT-23-6
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18 mΩ @ 6.7A,4.5V 类型：2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散（Ta）：1.4W 双N沟道.20V.7.2A.16mΩ
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WSD3066DN33
MOS(场效应管)/ WSD3066DN33
  • 商品编号：C148386
  • 封装规格： DFN 3.3x3.3-8
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7 mΩ @ 35A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：45W(Tc) N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
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WSF40N06
MOS(场效应管)/ WSF40N06
  • 商品编号：C86291
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：23 mΩ @ 20A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：3.5W N沟道.60V.50A.20mΩ.功能与脚位等同AOD442
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WST3407
MOS(场效应管)/ WST3407
  • 商品编号：C105163
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：52 mΩ @ 3A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W P沟道.-30V.-5.8A.41mΩ.功能与脚位等同AO3407A
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WST05N10
MOS(场效应管)/ WST05N10
  • 商品编号：C148340
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：145 mΩ @ 1A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W N沟道.100V.2.8A.135mΩ
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WST3401
MOS(场效应管)/ WST3401
  • 商品编号：C105162
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：52 mΩ @ 3A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W P沟道.-30V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3401A
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WSP4953
MOS(场效应管)/ WSP4953
  • 商品编号：C377855
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90 mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta）：1.5W(Tc) 类型：2 个 P 沟道(双) 双P沟道.-30V.5.3A.60mΩ
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WSE9968A
MOS(场效应管)/ WSE9968A
  • 商品编号：C148360
  • 封装规格： SOT-89(SOT-89-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：95 mΩ @ 4A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：3.5W N沟道.100V.4.4A.75mΩ
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WSF12N10
MOS(场效应管)/ WSF12N10
  • 商品编号：C148434
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：220 mΩ @ 5A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：60W(Tc) N沟道.100V.12A.175mΩ
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WSD3028DN
MOS(场效应管)/ WSD3028DN
  • 商品编号：C148384
  • 封装规格： DFN 3.3x3.3-8
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25 mΩ @ 12A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：5W(Tc) N沟道.30V.19A.25mΩ
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WSP6067
MOS(场效应管)/ WSP6067
  • 商品编号：C148424
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A(Tc),4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：36 mΩ @ 6.5A,10V 类型：N 和 P 沟道 最大功率耗散（Ta）：3.1W(Tc) N+P双沟道.40V.7.5A.16mΩ./-40V.-5.5A.30mΩ
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WSD30100DN56
MOS(场效应管)/ WSD30100DN56
  • 商品编号：C148393
  • 封装规格： DFN 5x6-8
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4 mΩ @ 20A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：46.3W(Tc) N沟道.30V.100A.3mΩ
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WST3415
MOS(场效应管)/ WST3415
  • 商品编号：C139599
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：54 mΩ @ 3A,4.5V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W P沟道.-20V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3415
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WSD2098N23
MOS(场效应管)/ WSD2098N23
  • 商品编号：C148379
  • 封装规格： DFN 2x3
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9 mΩ @ 5.5A,4.5V 类型：2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散（Ta）：1W 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ
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WSP4805
MOS(场效应管)/ WSP4805
  • 商品编号：C148416
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：19 mΩ @ 8A,10V 类型：2 个 P 沟道(双) 最大功率耗散（Ta）：2.5W(Tc) 双P沟道.-30V.-8A.16mΩ.功能与脚位等同AO4805
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WSP4984
MOS(场效应管)/ WSP4984
  • 商品编号：C148405
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：20 mΩ @ 6.6A,10V 类型：2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散（Ta）：2W(Tc) 双N沟道.40V.10A.15mΩ
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WST03P06
MOS(场效应管)/ WST03P06
  • 商品编号：C105166
  • 封装规格： SOT-23-3L
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：110 mΩ @ 2A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W(Tc) P沟道.-60V.-3.5A.88mΩ
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WSF15P10
MOS(场效应管)/ WSF15P10
  • 商品编号：C148442
  • 封装规格： TO-252-2(DPAK)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190 mΩ @ 5.5A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：50W(Tc) P沟道.-100V.-13A.150mΩ
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WSF4012
MOS(场效应管)/ WSF4012
  • 商品编号：C86420
  • 封装规格： TO-252-4
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc),20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：21 mΩ @ 12A,10V;38 mΩ @ 8A,10V 类型：N 和 P 沟道 最大功率耗散（Ta）：25W(Tc),31.3W(Tc) N+P双沟道.40V.30A.16mΩ/-40V.-20A.30mΩ
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WSP4807
MOS(场效应管)/ WSP4807
  • 商品编号：C148417
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：21 mΩ @ 8.9A,10V 类型：2 个 P 沟道(双) 最大功率耗散（Ta）：2.5W 双P沟道.-30V.-8.9A.15mΩ
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WST6066A
MOS(场效应管)/ WST6066A
  • 商品编号：C148352
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：110 mΩ @ 2.1A,4.5V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：1.25W N沟道.60V.5.2A.110mΩ
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WSP8205
MOS(场效应管)/ WSP8205
  • 商品编号：C86872
  • 封装规格： TSSOP-8_3x4.4x065P
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：27 mΩ @ 6A,10V 类型：N 沟道 最大功率耗散（Ta）：1.25W 双N沟道.20V.6A.20mΩ
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WSP4620
MOS(场效应管)/ WSP4620
  • 商品编号：C86340
  • 封装规格： SOP-8_150mil
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A(Tc),8.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：24 mΩ @ 8A,10V;32 mΩ @ 6A,10V 类型：N 和 P 沟道 最大功率耗散（Ta）：3.5W(Tc) N+P双沟道.30V.8.8A.18mΩ./-30V.-8.6A.22mΩ.功能与脚位等同AO4616L
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WSD30L120DN56
MOS(场效应管)/ WSD30L120DN56
  • 商品编号：C148396
  • 封装规格： DFN 5x6-8
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6 mΩ @ 30A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：78W(Tc) P沟道.-30V.-120A.3.6mΩ
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WSTDW01
电池保护芯片/ WSTDW01
  • 商品编号：C86873
  • 封装规格： SOT-23-6
描述： 台湾微硕 DW01 SOT-23-6 锂电池保护IC
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WST4041
MOS(场效应管)/ WST4041
  • 商品编号：C148357
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：40 mΩ @ 3A,10V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1.4W P沟道.-40V.-6A.30mΩ
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WST3423
MOS(场效应管)/ WST3423
  • 商品编号：C148343
  • 封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：130 mΩ @ 2A,4.5V 类型：P 沟道 最大功率耗散（Ta）：1W P沟道.-20V.-2.9A.100mΩ
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