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微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世界級企業技術中心、博士後科研工作站,是台灣重點高新技術企業、清潔環保型企業、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位及全球半導體聯盟(GSA)成員。創新的産品和解決方案廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式産品、消費類電子與計算機3C産品等領域。企業一直秉承“客戶至上、團隊協作、坦誠守信”的理念,向顧客提供技術領先的有競争力的産品,提供周到的優質服務,不斷提高顧客滿意度;保持主業産品的品牌優勢,打造國際知名品牌

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WST3400S
  • 商品编号:C105164
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:32 mΩ @ 5A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1W N沟道.30V.5.6A.27mΩ.功能与脚位等同AO3402
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WST3400
  • 商品编号:C86883
  • 封装规格: SOT-23-3L
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28 mΩ @ 5A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1W N沟道.30V.7A.18mΩ.功能与脚位等同AO3400A
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WSF15N10
  • 商品编号:C82767
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100 mΩ @ 5A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):60W N沟道.100V.15A.80mΩ.功能与脚位等同AOD478
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WST2066
  • 商品编号:C148363
  • 封装规格: SOT-23-6
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18 mΩ @ 6.7A,4.5V 类型:2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散(Ta):1.4W 双N沟道.20V.7.2A.16mΩ
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WSD3066DN33
  • 商品编号:C148386
  • 封装规格: DFN 3.3x3.3-8
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7 mΩ @ 35A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):45W(Tc) N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
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WSF40N06
  • 商品编号:C86291
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:23 mΩ @ 20A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):3.5W N沟道.60V.50A.20mΩ.功能与脚位等同AOD442
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WST3407
  • 商品编号:C105163
  • 封装规格: SOT-23-3L
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:52 mΩ @ 3A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1W P沟道.-30V.-5.8A.41mΩ.功能与脚位等同AO3407A
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WST05N10
  • 商品编号:C148340
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:145 mΩ @ 1A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1W N沟道.100V.2.8A.135mΩ
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特惠
WST3401
  • 商品编号:C105162
  • 封装规格: SOT-23-3L
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:52 mΩ @ 3A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1W P沟道.-30V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3401A
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WSP4953
  • 商品编号:C377855
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90 mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta):1.5W(Tc) 类型:2 个 P 沟道(双) 双P沟道.-30V.5.3A.60mΩ
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WSE9968A
  • 商品编号:C148360
  • 封装规格: SOT-89(SOT-89-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:95 mΩ @ 4A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):3.5W N沟道.100V.4.4A.75mΩ
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WSF12N10
  • 商品编号:C148434
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:220 mΩ @ 5A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):60W(Tc) N沟道.100V.12A.175mΩ
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WSD3028DN
  • 商品编号:C148384
  • 封装规格: DFN 3.3x3.3-8
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25 mΩ @ 12A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):5W(Tc) N沟道.30V.19A.25mΩ
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WSP6067
  • 商品编号:C148424
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc),4.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36 mΩ @ 6.5A,10V 类型:N 和 P 沟道 最大功率耗散(Ta):3.1W(Tc) N+P双沟道.40V.7.5A.16mΩ./-40V.-5.5A.30mΩ
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WSD30100DN56
  • 商品编号:C148393
  • 封装规格: DFN 5x6-8
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4 mΩ @ 20A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):46.3W(Tc) N沟道.30V.100A.3mΩ
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WST3415
  • 商品编号:C139599
  • 封装规格: SOT-23-3L
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:54 mΩ @ 3A,4.5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1W P沟道.-20V.-5.5A.44mΩ.功能与脚位等同AO3415
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WSD2098N23
  • 商品编号:C148379
  • 封装规格: DFN 2x3
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9 mΩ @ 5.5A,4.5V 类型:2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散(Ta):1W 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ
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    ¥1.34
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WSP4805
  • 商品编号:C148416
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:19 mΩ @ 8A,10V 类型:2 个 P 沟道(双) 最大功率耗散(Ta):2.5W(Tc) 双P沟道.-30V.-8A.16mΩ.功能与脚位等同AO4805
授权代理
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    ¥1.4
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    ¥0.84
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WSP4984
  • 商品编号:C148405
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.7V @ 250uA 漏源导通电阻:20 mΩ @ 6.6A,10V 类型:2 个 N 沟道(双) 最大功率耗散(Ta):2W(Tc) 双N沟道.40V.10A.15mΩ
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WST03P06
  • 商品编号:C105166
  • 封装规格: SOT-23-3L
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:110 mΩ @ 2A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1W(Tc) P沟道.-60V.-3.5A.88mΩ
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  • 含增值税
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    ¥0.529014
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现货
特惠
WSF15P10
  • 商品编号:C148442
  • 封装规格: TO-252-2(DPAK)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190 mΩ @ 5.5A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):50W(Tc) P沟道.-100V.-13A.150mΩ
授权代理
  • 含增值税
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  • 500+:

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    ¥0.8832 ¥0.96
WSF4012
  • 商品编号:C86420
  • 封装规格: TO-252-4
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc),20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:21 mΩ @ 12A,10V;38 mΩ @ 8A,10V 类型:N 和 P 沟道 最大功率耗散(Ta):25W(Tc),31.3W(Tc) N+P双沟道.40V.30A.16mΩ/-40V.-20A.30mΩ
授权代理
  • 含增值税
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    ¥1.69
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  • 100+:

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  • 500+:

    ¥1.05
  • 1000+:

    ¥1.04
  • 2000+:

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WSP4807
  • 商品编号:C148417
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:21 mΩ @ 8.9A,10V 类型:2 个 P 沟道(双) 最大功率耗散(Ta):2.5W 双P沟道.-30V.-8.9A.15mΩ
授权代理
  • 含增值税
  • 1+:

    ¥1.07
  • 10+:

    ¥0.78
  • 30+:

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    ¥0.68
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    ¥0.65
  • 1000+:

    ¥0.64
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WST6066A
  • 商品编号:C148352
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:110 mΩ @ 2.1A,4.5V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.25W N沟道.60V.5.2A.110mΩ
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  • 含增值税
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    ¥0.81
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    ¥0.5
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WSP8205
  • 商品编号:C86872
  • 封装规格: TSSOP-8_3x4.4x065P
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27 mΩ @ 6A,10V 类型:N 沟道 最大功率耗散(Ta):1.25W 双N沟道.20V.6A.20mΩ
该链接的内容为商城用户提供,代表发帖者个人观点,仅供参考! 讨论专区: 致歉 WSP8205封装及规格书放错及单节锂电池保护板方案
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    ¥0.426644
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    ¥0.419478
WSP4620
  • 商品编号:C86340
  • 封装规格: SOP-8_150mil
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A(Tc),8.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24 mΩ @ 8A,10V;32 mΩ @ 6A,10V 类型:N 和 P 沟道 最大功率耗散(Ta):3.5W(Tc) N+P双沟道.30V.8.8A.18mΩ./-30V.-8.6A.22mΩ.功能与脚位等同AO4616L
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WSD30L120DN56
  • 商品编号:C148396
  • 封装规格: DFN 5x6-8
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6 mΩ @ 30A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):78W(Tc) P沟道.-30V.-120A.3.6mΩ
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WSTDW01
  • 商品编号:C86873
  • 封装规格: SOT-23-6
描述: 台湾微硕 DW01 SOT-23-6 锂电池保护IC
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WST4041
  • 商品编号:C148357
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:40 mΩ @ 3A,10V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1.4W P沟道.-40V.-6A.30mΩ
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  • 商品编号:C148343
  • 封装规格: SOT-23(SOT-23-3)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:130 mΩ @ 2A,4.5V 类型:P 沟道 最大功率耗散(Ta):1W P沟道.-20V.-2.9A.100mΩ
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