WINSOK(微硕)

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微硕半导体是一家专注于半导体封装和测试的高科技企业，多年来致力于电子元器件的开发与研究，在行业内树立了良好声誉。主要产品线包括MOSFET和稳压器。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电池管理
多选
封装
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- SOP-8
- DFN-8(5x6)
- DFN-8(3x3)
- TO-220
- TO-263
- SOT-23-6
- TO-220F
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-252-4
- TO-252-4L
- TOLL-8L
- SOT-323(SC-70)
- SOT-523(SC-75)
- TSSOP-8
- DFN5x6-8L
- TO-251
- SOT-223
多选

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自营结果数495

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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WST4041

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C148357

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 58mΩ@4.5V,1A

描述WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力。

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SMT补贴嘉立创库存63K+

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对比

5+￥0.9839
50+￥0.7733
150+￥0.6705
500+￥0.5787
3000+￥0.5183
6000+￥0.5032

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广东仓: 63K+

3000个/圆盘

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近期成交100单+

WSP4882

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C377862

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@10V

描述WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存108K+

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对比

5+￥0.9239
50+￥0.7415
150+￥0.6503
500+￥0.5819
3000+￥0.51
6000+￥0.4826

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广东仓: 106K+

江苏仓: 2650

3000个/圆盘

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近期成交89单

WST03P06

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C105166

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 3.5A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V,2A

描述WST30P06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存31K+

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对比

5+￥0.59
50+￥0.53
150+￥0.5
500+￥0.47
3000+￥0.45
6000+￥0.44

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广东仓: 31K+

江苏仓: 125

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近期成交94单

WST3401A

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758407

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 57mΩ@10V

耗散功率(Pd): 1W

描述WST3401A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST3401A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存17K+

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10+￥0.3138
100+￥0.2562
300+￥0.2274
3000+￥0.1713
6000+￥0.154
9000+￥0.1453

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广东仓: 17K+

江苏仓: 660

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近期成交29单

WST4040

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C377863

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 5.8A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@4.5V

描述N沟道.40V.5.8A.30mΩ

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对比

9折

5+￥0.87201
50+￥0.70353
150+￥0.61929
500+￥0.55611
3000+￥0.45999
6000+￥0.43479

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广东仓: 0

江苏仓: 24K+

3000个/圆盘

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近期成交61单

WSE3099

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-89

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C148359

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@10V,5.0A

描述WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存11K+

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对比

9折

5+￥1.23894
50+￥0.97587
150+￥0.8631
1000+￥0.72459
2000+￥0.66195
5000+￥0.62433

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广东仓: 11K+

江苏仓: 90

1000个/圆盘

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近期成交100单+

WSD30L90DN56

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN5X6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C719076

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@10V,25A

描述WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100% 保证符合 EAS 标准。

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SMT补贴嘉立创库存14K+

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对比

1+￥3.02
10+￥2.42
30+￥2.16
100+￥1.83
500+￥1.61
1000+￥1.53

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广东仓: 14K+

江苏仓: 8220

5000个/圆盘

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总额￥0

近期成交74单

WSD3056DN33

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758429

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V

描述WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。

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SMT补贴嘉立创库存14K+

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对比

9折

5+￥1.44324
50+￥1.14831
150+￥1.02195
500+￥0.86427
2500+￥0.6624
5000+￥0.62028

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广东仓: 14K+

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个

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近期成交48单

WSP6956

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C719108

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 10A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,10A

描述WSP6956是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。

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SMT补贴嘉立创库存8983

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对比

1+￥1.605
10+￥1.455
30+￥1.386
100+￥1.294
500+￥1.23
1000+￥1.2

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广东仓: 8978

江苏仓: 2395

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交91单

WSD4070DN33

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C719095

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 68A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,7A

描述WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存6046

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对比

1+￥1.6674
10+￥1.3314
30+￥1.13
100+￥1.12
500+￥1.115
1000+￥1.1

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广东仓: 6046

江苏仓: 4689

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WSF15P10

品牌: WINSOK(微硕)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C148442

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 190mΩ@10V,5.5A

描述WSF15P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF15P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存12K+

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对比

9折

1+￥2.17242
10+￥1.76418
30+￥1.58922
100+￥1.37088
500+￥1.0953
1000+￥1.03689

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广东仓: 11K+

江苏仓: 1168

2500个/圆盘

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总额￥0

近期成交36单

WSD60N10GDN56

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C719101

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V,10A

描述WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存9789

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对比

1+￥3.86
10+￥3.14
30+￥2.83
100+￥2.44
500+￥1.82
1000+￥1.72

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广东仓: 9652

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交47单

WST3400

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C86883

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@4.5V

描述WST3400是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3400符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

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SMT补贴嘉立创库存10K+

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对比

5+￥0.4226
50+￥0.3398
150+￥0.2984
500+￥0.2673
3000+￥0.2425
6000+￥0.23

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 450

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交78单

WSP4606

品牌: WINSOK(微硕)

封装: SOP-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C86361

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 7A；6A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,6A

描述WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。

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SMT补贴嘉立创库存37K+

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对比

5+￥1.131
50+￥0.9041
150+￥0.8069
500+￥0.6856
3000+￥0.5662
6000+￥0.5338

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广东仓: 36K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交41单

WSD30L40DN33

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C148390

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@4.5V,10A

描述WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。

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SMT补贴嘉立创库存8381

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对比

9折

1+￥1.51038
10+￥1.19736
30+￥1.06326
100+￥0.89586
500+￥0.82134
1000+￥0.74232

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广东仓: 8177

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

WSD6040DN56

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN-8-EP(6.1x5.2)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C719102

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 36A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@10V,25A

描述WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。

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SMT补贴嘉立创库存8740

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对比

1+￥2.0053
10+￥1.6122
30+￥1.4437
100+￥1.2335
500+￥1.1399
1000+￥0.926

现货最快4小时发货

广东仓: 8740

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

WSD6056DN56

品牌: WINSOK(微硕)

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2758412

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V

耗散功率(Pd): 45W

描述Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

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SMT补贴嘉立创库存12K+