WINSOK(微硕)
进入品牌官网微硕半导体是一家专注于半导体封装和测试的高科技企业，多年来致力于电子元器件的开发与研究，在行业内树立了良好声誉。主要产品线包括MOSFET和稳压器。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电池管理
多选 - 封装
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- SOP-8
- DFN-8(5x6)
- DFN-8(3x3)
- TO-220
- TO-263
- SOT-23-6
- TO-220F
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-252-4
- TO-252-4L
- TOLL-8L
- SOT-323(SC-70)
- SOT-523(SC-75)
- TSSOP-8
- DFN5x6-8L
- TO-251
- SOT-223
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数485
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 58mΩ@4.5V,1A
描述WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存31K+
9折
- ￥0.9839
- ￥0.7733
- ￥0.6705
- ￥0.52083
- ￥0.46647
- ￥0.45288
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 30K+
- 江苏仓
- 2535
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@10V
描述WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存43K+
9折
- ￥0.83151
- ￥0.66735
- ￥0.58527
- ￥0.52371
- ￥0.459
- ￥0.43434
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- 广东仓
- 40K+
- 江苏仓
- 3415
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交76单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@10V
描述WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2103
9折
- ￥1.89873
- ￥1.51326
- ￥1.34802
- ￥1.14192
- ￥1.05012
- ￥0.97596
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- 广东仓
- 1880
- 江苏仓
- 5272
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交37单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 68A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5mΩ@10V,7A
描述WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存11K+
- ￥1.6674
- ￥1.3314
- ￥1.13
- ￥1.12
- ￥1.115
- ￥1.1
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- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 5049
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V,5.8A
描述WSP4953A 是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4953A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
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SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存21K+
- ￥0.4718
- ￥0.3758
- ￥0.3278
- ￥0.2918
- ￥0.263
- ￥0.2486
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- 广东仓
- 21K+
- 江苏仓
- 1840
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交55单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V,2A
描述WST30P06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
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SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存15K+
- ￥0.59
- ￥0.53
- ￥0.5
- ￥0.47
- ￥0.45
- ￥0.44
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- 广东仓
- 15K+
- 江苏仓
- 455
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@4.5V
描述N沟道.40V.5.8A.30mΩ
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- 对比
SMT扩展库
9折
- ￥0.87201
- ￥0.70353
- ￥0.61929
- ￥0.55611
- ￥0.45999
- ￥0.43479
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- 广东仓
- 0
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- 28K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交78单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.2mΩ@10V,25A
描述WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，100% 保证符合 EAS 标准。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存20K+
- ￥3.02
- ￥2.42
- ￥2.16
- ￥1.83
- ￥1.61
- ￥1.53
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- 广东仓
- 20K+
- 江苏仓
- 8679
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交84单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V
描述WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
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SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存13K+
9折
- ￥3.195
- ￥2.556
- ￥2.286
- ￥1.944
- ￥1.665
- ￥1.575
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- 广东仓
- 13K+
- 江苏仓
- 1646
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 8.9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 32mΩ@4.5V,5.6A
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存9338
9折
- ￥1.2105
- ￥0.96102
- ￥0.8541
- ￥0.72072
- ￥0.61812
- ￥0.58248
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- 广东仓
- 9185
- 江苏仓
- 3150
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交51单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@10V,5.0A
描述WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存9671
9折
- ￥1.23894
- ￥0.97587
- ￥0.8631
- ￥0.72459
- ￥0.66195
- ￥0.62433
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 9085
- 江苏仓
- 225
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@10V
描述WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存15K+
9折
- ￥1.44324
- ￥1.14831
- ￥1.02195
- ￥0.86427
- ￥0.6624
- ￥0.62028
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 15K+
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交60单
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A；6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V,6A
描述WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5042
- ￥0.8209
- ￥0.7264
- ￥0.6859
- ￥0.6353
- ￥0.5473
- ￥0.5338
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4135
- 江苏仓
- 17K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交43单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 36A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V,25A
描述WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存13K+
9折
- ￥1.80477
- ￥1.45098
- ￥1.29933
- ￥1.11015
- ￥1.02591
- ￥0.8334
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 13K+
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交24单
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 45W
描述Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12K+
- ￥2.77
- ￥2.22
- ￥1.98
- ￥1.68
- ￥1.49
- ￥1.41
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 12K+
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 耗散功率(Pd)
- 96W
描述WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5617
- ￥8.58
- ￥7.24
- ￥6.51
- ￥5.69
- ￥4.56
- ￥4.4
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5463
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 24mΩ@4.5V,10A
描述WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存10K+
9折
- ￥1.51038
- ￥1.19736
- ￥1.06326
- ￥0.89586
- ￥0.82134
- ￥0.74232
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 9677
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@10V,10A
描述WSP6956是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.605
- ￥1.455
- ￥1.386
- ￥1.294
- ￥1.23
- ￥1.2
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 5749
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交83单
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@4.5V,5.9A
描述WSP4984是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSP4984符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存7315
9折
- ￥1.64556
- ￥1.30536
- ￥1.15956
- ￥0.97767
- ￥0.89667
- ￥0.79524
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6943
- 江苏仓
- 2895
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交53单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@10V,5.5A
描述WSF15P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF15P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存7485
9折
- ￥2.17242
- ￥1.76418
- ￥1.58922
- ￥1.37088
- ￥1.0953
- ￥1.03689
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 7049
- 江苏仓
- 1718
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交36单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5mΩ@10V,10A
描述WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6848
9折
- ￥3.474
- ￥2.826
- ￥2.547
- ￥2.196
- ￥1.638
- ￥1.548
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6641
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交55单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 34A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V
描述WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3978
- ￥4.47
- ￥3.65
- ￥3.24
- ￥2.84
- ￥2.28
- ￥2.15
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3879
- 江苏仓
- 306
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交54单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.8mΩ@10V,20A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存44K+
- ￥5.79
- ￥4.71
- ￥4.17
- ￥3.63
- ￥2.82
- ￥2.65
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 43K+
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 86A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V,20A
描述WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2778
9折
- ￥12.276
- ￥10.71
- ￥9.72
- ￥6.759
- ￥6.3
- ￥6.102
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1919
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交84单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 7.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@4.5V,4A
描述WST2339 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST2339 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6760
- ￥0.78
- ￥0.65
- ￥0.6
- ￥0.52
- ￥0.51
- ￥0.5
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6515
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@4.5V,4A
描述WSP6946是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6946符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
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- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6740
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近期成交43单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.7mΩ@4.5V
描述N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
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SMT补贴嘉立创库存7721
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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 75A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@4.5V
描述WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
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SMT补贴嘉立创库存5281
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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@4.5V,15A
描述WSF90P03是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSF90P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
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SMT补贴嘉立创库存4894
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- 1个N沟道
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- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 16A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@4.5V,9.5A
描述WSP16N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF16N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
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SMT补贴嘉立创库存7421
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