
Sillumin(数明半导体)
进入品牌官网数明半导体成立于2013年,专注于研发高性能、高可靠的模拟芯片和系统解决方案,拥有自主知识产权并通过了ISO9001:2015和国家知识产权体系认证。主要产品线包括驱动芯片、电源管理及智能光伏芯片、接口与信号链芯片。
数明半导体成立于2013年,专注于研发高性能、高可靠的模拟芯片和系统解决方案,拥有自主知识产权并通过了ISO9001:2015和国家知识产权体系认证。主要产品线包括驱动芯片、电源管理及智能光伏芯片、接口与信号链芯片。
描述600V半桥,不带互锁,Vo:7-20V,HI/LI负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:170/170ns,DT:NA,MT:35ns
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描述120V高低边驱动,不带互锁,VDD:8-17V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA,MT:30ns
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描述120V高低边驱动,不带互锁,VDD:8-17V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA,MT:30ns
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描述600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:170/170ns,DT:NA,MT:35ns
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描述600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS
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描述SLM343是一款光兼容单通道隔离式栅极驱动器,适用于IGBT和MOSFET,源极峰值输出电流为4.0A,灌电流峰值输出电流为6.0A,具备5kVRMS增强隔离等级。SLM343可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,其关键特性显著提升了性能和可靠性,同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。输入级为模拟二极管,与传统LED相比,具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用拉伸型SO6封装,爬电距离和电气间隙>8.5mm。模塑料属于材料组I,相比漏电起痕指数(CTI)>600V。SLM343的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。
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描述SLM2752x 系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用的设计从本质上降低了直通电流,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,传播延迟极短,典型值为 13 ns。
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描述SLM8833是一款单片式热电制冷器(TEC)控制器,集成了TEC控制功能。它具备线性功率级和脉冲宽度调制(PWM)功率级。线性控制器与PWM驱动器协同工作,以H桥配置控制内部功率MOSFET
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描述600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
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描述SiLM8263/64/65隔离驱动器系列是具有不同配置的隔离式双通道栅极驱动器。SiLM8263/64配置为高端/低端驱动器,而SiLM8265配置为双驱动器。它可提供10A的源极和10A的灌极峰值输出电流
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描述SLM8835是一款集成了热电制冷器(TEC)控制器的单片TEC控制器。它具备线性功率级、脉宽调制(PWM)功率级,以及两个零漂移、轨到轨运算放大器。线性控制器与PWM驱动器协同工作,以H桥配置控制内部功率MOSFET
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描述SLM6240是一款高性能、固定频率、电流模式PWM升压DC-DC转换器,内置80mΩ功率MOSFET,支持最高4A峰值电流,可提供高达24V的输出电压。该器件采用峰值电流控制拓扑,轻载条件下工作在脉冲频率调制模式以提高效率。
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描述SLM5418是一款单片负电荷泵,内置可调负线性稳压器。其输入范围为2.3V至5.5V,可提供与负输入电压相等的非稳压输出。SLM5418还能提供介于0V和负输入电压之间的稳压输出
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描述SLMi823x隔离驱动器系列是具有不同配置的隔离式双通道栅极驱动器。SLMi8230/1/3/4配置为高端/低端驱动器,而SLMi8232/5配置为双驱动器
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描述SLMi332隔离驱动器是一款先进的光兼容单通道隔离IGBT栅极驱动器,具备有源保护功能,如去饱和检测、欠压锁定(UVLO)、隔离故障检测和有源密勒钳位。SLMi332可提供2.5A的峰值输出电流。对于无后缀H的器件,默认去饱和阈值为6.5V;对于有后缀H的器件,默认去饱和阈值为9V
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描述160V半桥,Vo:10-20V,HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护
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描述SLM27517系列单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用从本质上最大限度减少直通电流的设计,SLM27517系列产品能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,传播延迟极小,典型值为18ns。在12V VDD电源下,SLM27517可提供4A的源极、5A的漏极峰值驱动电流能力
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描述600V半桥,不互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:180/200 ns, DT:NA; MT:35ns
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描述SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时,SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A
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描述200V半桥,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V,低边5V欠压保护
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描述600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA, MT:30ns
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描述600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正,SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS
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描述SLM8834是一款集成式热电制冷器(TEC)控制器,为单芯片解决方案。它具备线性功率级、脉宽调制(PWM)功率级,以及两个零漂移、轨到轨运算放大器。线性控制器与PWM驱动器协同工作,以H桥配置控制内部功率MOSFET
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描述600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns
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描述160V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns,DT:270ns,MT:40ns,MDT:25ns
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描述600V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:400/380ns,DT:290ns,MT:40ns,MDT:25ns
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描述SLM21364 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
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描述SLM2752x 系列器件是双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用了一种从本质上可将直通电流降至最低的设计,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,且传播延迟极小,典型值为 18 ns。在 12V VDD 电源供电时,SLM2752x 可提供 4.5A 的源极峰值驱动电流和 5.5A 的漏极峰值驱动电流
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