RF混频器

ADL5801ACPZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-24(3.75x4)

类目

RF混频器

编号

C496495

增益/损耗

1.8dB

噪声系数

9.75dB

工作电压

5V

工作电流

130mA

描述高IP3、10MHz至6GHz有源混频器

ADEX-10L+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C118997

增益/损耗

7.2dB

工作电流

40mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述ADEX-10L是一款表面贴装射频混频器，适用于10到1000 MHz的频率范围。具有优秀的L-R隔离度、低转换损耗和平坦的转换损耗曲线。

ADL5350ACPZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

DFN-8-EP(2x3)

类目

RF混频器

编号

C206667

增益/损耗

6.8dB

噪声系数

6.5dB

工作电压

2.7V~3.5V

工作电流

19mA

描述低频至4GHz高线性度Y型混频器

LT5560EDD#PBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

DFN-8-EP(3x3)

类目

RF混频器

编号

C117332

增益/损耗

2.4dB

噪声系数

9.3dB

工作电压

2.7V~5.3V

工作电流

13.4mA

描述0.01MHz至4GHz低功率有源混频器

ADL5801ACPZ

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-24

类目

RF混频器

编号

C967400

增益/损耗

1.8dB

噪声系数

9.75dB

工作电压

5V

工作电流

130mA

HMC220BMS8GETR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8-EP

类目

RF混频器

编号

C662557

增益/损耗

9.5dB

噪声系数

9.5dB

工作电流

3mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述5GHz至12GHzGaAs、MMIC、基本混频器

HMC213BMS8ETR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8

类目

RF混频器

编号

C514391

增益/损耗

10dB

工作电流

9mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述1.5GHz至4.5GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器

HMC520ALC4TR-R5

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(3.9x3.9)

类目

RF混频器

编号

C662620

增益/损耗

8dB

噪声系数

8.5dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述HMC520A是一款紧凑型砷化镓（GaAs）混频器，采用金属单片微波集成电路（MMIC）工艺制造，具有90°混合电路。该设备可以在24引脚无引线陶瓷芯片载体（LCC）封装中使用，支持表面贴装制造技术。

HMC521ALC4

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(3.9x3.9)

类目

RF混频器

编号

C1526047

增益/损耗

9dB

噪声系数

14dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述HMC521ALC4 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，采用 GaAs 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。

HMC1056LP4BE

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-20-EP(4x4)

类目

RF混频器

编号

C579527

增益/损耗

11dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述HMC1056LP4BE 是一款紧凑型 I/Q MMIC 混频器，采用无铅 SMT 封装，可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。该混频器利用两个标准的 Hittite 双平衡混频器单元和一个 90 度混合器，采用 GaAs Schottky 二极管工艺制造。

HMC558ALC3BTR-R5

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

RF混频器

编号

C662633

增益/损耗

7.5dB

噪声系数

7.5dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述HMC558A是一款通用双平衡混频器，封装在无引脚RoHS合规的SMT封装中，可用作5.5 GHz至14 GHz之间的上变频器或下变频器。该混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC558A由于优化的巴伦结构，提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离，并可在低至9 dBm的LO驱动电平下工作。RoHS合规的HMC558A消除了键合线的需求，兼容高容量表面贴装制造技术。

LTC5552IUDB#TRMPBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(2x3)

类目

RF混频器

编号

C580930

噪声系数

9.8dB

工作电压

3V~3.6V

工作电流

132mA

工作温度

-40℃~+105℃

描述具宽带DC至6GHzIF的3GHz至20GHz微波混频器

LTC5562IUC#TRMPBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-10-EP(2x2)

类目

RF混频器

编号

C688676

增益/损耗

1dB

噪声系数

13.5dB

工作电压

2.7V~3.6V

工作电流

40mA

描述LTC5562 是一款多功能低功耗双平衡混频器，适用于宽带或窄带应用。它可以配置为上变频或下变频混频器，具有宽输入带宽、低失真和低LO泄漏的特点。

ADE-25MH+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C879849

工作电流

40mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述表面贴装射频混频器，具有低转换损耗和良好的隔离性能。

ADE-30+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C258836

描述ADE-30+是一款适用于200到3000MHz频率范围的射频混频器，具有低转换损耗和高隔离度的特点。

HMC219BMS8GE

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8-EP

类目

RF混频器

编号

C1526031

描述HMC219B 是一种超小型通用双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装小型轮廓封装（MINI_SO_EP），带有外露焊盘。该无源单片微波集成电路（MMIC）混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器，频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。

HMC412BMS8GE

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8-EP

类目

RF混频器

编号

C1519263

噪声系数

8dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述Double-BalancedMixer8-16GHz

ADF5904ACPZ

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-32(5x5)

类目

RF混频器

编号

C654723

增益/损耗

22dB

噪声系数

10dB

工作电压

3.3V

工作电流

170mA

描述4通道、24GHz接收机下变频器

ADL5802ACPZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-24(4x4)

类目

RF混频器

编号

C657785

增益/损耗

1.6dB

噪声系数

11dB

工作电压

5V

工作电流

220mA

描述双通道、高IP3、100MHz～6GHz有源混频器

MDB-54H+

品牌

Mini-Circuits

封装

DQ1225

类目

RF混频器

编号

C3190828

SYM-30DHW+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C3176673

ADE-12H+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C3176613

HMC787ALC3BTR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(2.9x2.9)

类目

RF混频器

编号

C662744

增益/损耗

9dB

噪声系数

9dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述GaAsMMIC基波混频器，3-11GHz

HMC8193LC4TR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(4x4)

类目

RF混频器

编号

C662757

增益/损耗

9dB

噪声系数

11.5dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述被动I/Q混频器，RF和LO范围为2.5 GHz至8.5 GHz，宽IF范围为DC至4 GHz，单端RF、LO和IF，转换损耗（下变频）为9 dB（典型值），图像抑制（下变频）为25 dBc（典型值），单边带噪声系数（下变频）为11.5 dB（典型值），输入IP3（下变频）为20 dBm（典型值），输入P1dB压缩点（下变频）为13 dBm（典型值），输入IP2（下变频）为58 dBm（典型值），RF到IF隔离（下变频）为22 dB（典型值），LO到RF隔离（下变频）为48 dB（典型值），LO到IF隔离（下变频）为38 dB（典型值），幅度平衡（下变频）为±0.5 dB（典型值），相位平衡（下变频）为±5°（典型值），RF回波损耗为13 dB（典型值），LO回波损耗为13 dB（典型值），IF回波损耗为17 dB（典型值），暴露焊盘，4 mm × 4 mm，24引脚陶瓷LCC封装