RF混频器

ADL5350ACPZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

DFN-8-EP(2x3)

类目

RF混频器

编号

C206667

RF频率范围

750MHz~2.05GHz

IF频率范围

30MHz~380MHz

LO频率范围

500MHz~2GHz

P1dB

19.8dBm

描述低频至4GHz高线性度Y型混频器

ADL5801ACPZ-R7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-24(3.75x4)

类目

RF混频器

编号

C496495

增益/损耗

1.8dB

噪声系数

9.75dB

工作电压

5V

工作电流

130mA

描述高IP3、10MHz至6GHz有源混频器

HMC213BMS8ETR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8

类目

RF混频器

编号

C514391

RF频率范围

1.5GHz~4.5GHz

LO频率范围

1.5GHz~4.5GHz

P1dB

11dBm

IP3

21dBm

描述1.5GHz至4.5GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器

LT5560EDD#PBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

DFN-8-EP(3x3)

类目

RF混频器

编号

C117332

增益/损耗

2.4dB

噪声系数

9.3dB

工作电压

2.7V~5.3V

工作电流

13.4mA

描述0.01MHz至4GHz低功率有源混频器

HMC787ALC3BTR-R5

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

RF混频器

编号

C662745

RF频率范围

3GHz~10GHz

IF频率范围

0MHz~4GHz

LO频率范围

3GHz~10GHz

P1dB

17dBm

描述GaAsMMIC基波混频器，3-11GHz

LT5578IUH#PBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(5x5)

类目

RF混频器

编号

C672639

增益/损耗

1.4dB

噪声系数

8.6dB

工作电压

3.1V~3.5V

工作电流

152mA

描述LT5578是一款高性能上变频混频器，优化用于0.4GHz到2.7GHz的频率范围。单端LO输入和RF输出端口简化了电路布局并降低了系统成本。该混频器只需要-1dBm的LO功率，平衡设计导致较低的LO信号泄漏到RF输出端口。在1.95GHz操作时，LT5578提供-0.7dB的转换增益，24.3dBm的高输出IP3和-158dBm/Hz的低噪声底板。

HMC558ALC3BTR-R5

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(3x3)

类目

RF混频器

编号

C662633

RF频率范围

5.5GHz~14GHz

IF频率范围

0MHz~6GHz

LO频率范围

5.5GHz~14GHz

P1dB

11.5dBm

描述HMC558A是一款通用双平衡混频器，封装在无引脚RoHS合规的SMT封装中，可用作5.5 GHz至14 GHz之间的上变频器或下变频器。该混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC558A由于优化的巴伦结构，提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离，并可在低至9 dBm的LO驱动电平下工作。RoHS合规的HMC558A消除了键合线的需求，兼容高容量表面贴装制造技术。

MAX2682EUT+T

品牌

ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

封装

SOT-23-6

类目

RF混频器

编号

C242518

RF频率范围

400MHz~2.5GHz

IF频率范围

10MHz~500MHz

LO频率范围

400MHz~2.5GHz

IP3

+3.2dBm

HMC8191LC4

品牌

ADI(亚德诺)

封装

SMT-24(4x4)

类目

RF混频器

编号

C605693

增益/损耗

9dB

噪声系数

9dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述被动式宽带I/Q混频器，具有出色的LO到RF和LO到IF隔离，减少了LO泄漏的影响，确保信号完整性。

HMC220BMS8GETR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8-EP

类目

RF混频器

编号

C662557

增益/损耗

9.5dB

噪声系数

9.5dB

工作电流

3mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述5GHz至12GHzGaAs、MMIC、基本混频器

ADMV4630BCPZN

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-40(6x6)

类目

RF混频器

编号

C7453526

增益/损耗

19dB

工作电压

3.135V~3.465V

工作电流

381mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述ADMV4630是一款Ku波段上变频器，适用于各种卫星通信（SATCOM）用户终端，工作频率范围为14.0 GHz至14.5 GHz。内部集成的整数N合成器生成本地振荡器（LO）信号，覆盖8.7 GHz至10.7 GHz的频率范围。该芯片包括数字步进衰减器、内置ADC和功率检测器等功能。

AD8342ACPZ-REEL7

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-16(3x3)

类目

RF混频器

编号

C182567

通道数

1

P1dB

8.3dBm

IP3

22.7dBm

隔离度(L-R)

55dB

描述有源接收混频器（低频至3GHz）

ADE-1+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P,7.9x5.6mm

类目

RF混频器

编号

C2942210

工作电流

40mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述这款RF混频器具有低转换损耗、良好的L-R隔离和高IP3特性，适用于VHF/UHF频段的应用。

ADE-2+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P,7.9x5.6mm

类目

RF混频器

编号

C3176642

RF频率范围

5MHz~1GHz

IF频率范围

0MHz~1GHz

LO频率范围

5MHz~1GHz

P1dB

1dBm

描述该产品是一款表面贴装的射频混频器，适用于5到1000MHz的频率范围，具有良好的L-R隔离和低轮廓封装。

ADL5801ACPZ

品牌

ADI(亚德诺)

封装

LFCSP-24

类目

RF混频器

编号

C967400

RF频率范围

10MHz~6GHz

LO频率范围

10MHz~6GHz

P1dB

13.8dBm

IP3

28.5dBm

描述ADL5801集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振(LO)缓冲放大器，可提供10 MHz至6 GHz的宽动态范围频率转换。专有的线性化架构使混频器能在高输入电平下提供增强的IP3性能。偏置调整特性可通过单一控制引脚实现输入线性度、单边带(SSB)噪声系数以及直流电流的最优化。

ADE-30+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C258836

描述ADE-30+是一款适用于200到3000MHz频率范围的射频混频器，具有低转换损耗和高隔离度的特点。

HMC521ALC4

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(3.9x3.9)

类目

RF混频器

编号

C1526047

RF频率范围

8.5GHz~13.5GHz

IF频率范围

0MHz~3.5GHz

LO频率范围

8.5GHz~13.5GHz

P1dB

8.8dBm

描述HMC521ALC4 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，采用 GaAs 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。

MDB-54H+

品牌

Mini-Circuits

封装

MCLP-12(3x3)

类目

RF混频器

编号

C3190828

RF频率范围

20GHz~50GHz

IF频率范围

0MHz~20GHz

LO频率范围

20GHz~50GHz

P1dB

10dBm

ADE-25MH+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P

类目

RF混频器

编号

C879849

工作电流

40mA

工作温度

-40℃~+85℃

描述表面贴装射频混频器，具有低转换损耗和良好的隔离性能。

ADE-6+

品牌

Mini-Circuits

封装

SMD-6P,7.8x5.6mm

类目

RF混频器

编号

C3176578

RF频率范围

50kHz~250MHz

LO频率范围

50kHz~250MHz

增益/损耗

-4.6dB

工作温度

-40℃~+85℃

AD831APZ

品牌

ADI(亚德诺)

封装

PLCC-20(9x9)

类目

RF混频器

编号

C652692

增益/损耗

0dB

噪声系数

10.3dB

工作电压

9V~11V

工作电流

125mA

描述高性能、低失真500MHz混频器

HMC787ALC3BTR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-12-EP(2.9x2.9)

类目

RF混频器

编号

C662744

RF频率范围

3GHz~10GHz

IF频率范围

0MHz~4GHz

LO频率范围

3GHz~10GHz

P1dB

17dBm

描述GaAsMMIC基波混频器，3-11GHz

HMC8193LC4TR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

QFN-24-EP(4x4)

类目

RF混频器

编号

C662757

增益/损耗

9dB

噪声系数

11.5dB

工作温度

-40℃~+85℃

描述被动I/Q混频器，RF和LO范围为2.5 GHz至8.5 GHz，宽IF范围为DC至4 GHz，单端RF、LO和IF，转换损耗（下变频）为9 dB（典型值），图像抑制（下变频）为25 dBc（典型值），单边带噪声系数（下变频）为11.5 dB（典型值），输入IP3（下变频）为20 dBm（典型值），输入P1dB压缩点（下变频）为13 dBm（典型值），输入IP2（下变频）为58 dBm（典型值），RF到IF隔离（下变频）为22 dB（典型值），LO到RF隔离（下变频）为48 dB（典型值），LO到IF隔离（下变频）为38 dB（典型值），幅度平衡（下变频）为±0.5 dB（典型值），相位平衡（下变频）为±5°（典型值），RF回波损耗为13 dB（典型值），LO回波损耗为13 dB（典型值），IF回波损耗为17 dB（典型值），暴露焊盘，4 mm × 4 mm，24引脚陶瓷LCC封装

HMC412BMS8GETR

品牌

ADI(亚德诺)

封装

MSOP-8

类目

RF混频器

编号

C579543

RF频率范围

8GHz~16GHz

LO频率范围

8GHz~16GHz

P1dB

10dBm

IP3

19dBm

描述Double-BalancedMixer8-16GHz