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RF衰减器

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3175
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  • 频率范围: 100MHz~6GHz
  • 功率: 560mW
  • 阻抗: 50Ω
  • 衰减值: 31.5dB
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    • PE4312C-Z
    • 品牌: pSemi(游隼半导体)
    • 封装: QFN-20-EP(4x4)
    • 描述: 6位,31.5 dB,1 MHz-4 GHz的RF数字步进衰减器,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。
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    • 功率: 40mW
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    • PE4314B-Z
    • 品牌: pSemi(游隼半导体)
    • 封装: VFQFN-20-EP
    • 描述: PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器,支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换,并支持1.8V控制电压和高达+105°C的扩展工作温度范围,适用于多种有线宽带应用。
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    • PAT1220-C-6DB-T5
    • 品牌: SUSUMU
    • 封装: -
    • 描述: 高精度芯片衰减器,适用于广泛的频率范围,具有与普通芯片电阻相似的端子设计,易于安装,提供多种尺寸以实现设备小型化。
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    • 频率范围: 100MHz~6GHz
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 31.5dB
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    • 频率范围: 0Hz~4GHz
    • 功率: 560mW
    • 阻抗: 50Ω
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    • ADRF5731BCCZN-R7
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: LGA-16(2.5x2.5)
    • 描述: 4位数字衰减器,提供30 dB的衰减范围,步进为2 dB。工作频率范围为100 MHz至40 GHz,具有低插入损耗和高线性度。
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    • 频率范围: 0Hz~3.8GHz
    • 功率: 560mW
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    • ADRF5720BCCZN-R7
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: LGA-24(4x4)
    • 描述: ADRF5720是一款6位数字RF衰减器,提供31.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB。工作频率范围为9 kHz至40 GHz,具有低插入损耗和高精度衰减控制。
    • 频率范围: 9kHz~40GHz
    • 功率: 500mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 0.5dB~31.5dB
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    • ADRF5721BCCZN-R7
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: LGA-16(2.5x2.5)
    • 描述: ADRF5721BCCZN-R7是一款4位数字衰减器,具有30 dB的衰减控制范围,步进为2 dB。该设备的工作频率范围为9 kHz至40 GHz,插入损耗小于3.4 dB。
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    • 频率范围: 100MHz~6GHz
    • 功率: 310mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 31.75dB
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    • PE7436
    • 品牌: PASTERNACK
    • 封装: -
    • 描述: 连续可调衰减器,频率范围从2到18GHz,带有N型母头连接器,提供卓越的RF性能特性。
    • 频率范围: 2GHz~18GHz
    • 功率: 10W
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 0dB~40dB
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      ¥8012.85
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    • 广东仓: 0
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    • MAAD-007084-000100
    • 品牌: MACOM
    • 封装: SOIC-16-300mil
    • 描述: MAAD-007084-000100 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器,内置 TTL 驱动器。步进大小为 0.5 dB,总衰减范围为 15.5 dB。该器件采用 SOW-16 塑料表面贴装封装。
    • 频率范围: 0Hz~2GHz
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 0.5dB~15.5dB
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    • 广东仓: 45
      江苏仓: 0
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    • 频率范围: 100MHz~3GHz
    • 功率: 500mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 31dB
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    • 频率范围: 0Hz~10GHz
    • 功率: 840mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 20dB
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      江苏仓: 0
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    • 频率范围: 0Hz~10GHz
    • 功率: 880mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 45dB
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    • HMC973ALP3ETR
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: QFN-16-EP(3x3)
    • 描述: HMC973ALP3E 是一种吸收型电压可变衰减器 (VVA),工作频率范围为 0.5 至 5 GHz,适用于需要模拟 DC 控制信号来控制 RF 信号电平的设计。
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    • 频率范围: 0Hz~18GHz
    • 功率: 2W
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 30dB
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      ¥301.88
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      江苏仓: 11
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    • YAT-3A+
    • 品牌: Mini-Circuits
    • 封装: SMD-6P
    • 描述: YAT-3A+ (RoHS合规) 是一种固定值吸收式MMIC衰减器,使用高度重复的IPD工艺技术在GaAs基板上制造,具有薄膜电阻。设计中通过晶圆通孔金属化实现低热阻和宽带操作,同时在整个工作带宽内保持稳定的衰减精度和平坦度。YAT-A系列衰减器提供0到10dB(1dB步进)以及12、15、20和30dB的标称衰减值。封装在小巧的2 x 2 mm MCLP™封装中,适用于紧凑的板布局。也可提供裸片形式。
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      ¥16.22
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    • 近期成交9单
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      ¥48.19
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    • 500个/圆盘
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    • 频率范围: 0Hz~6GHz
    • 功率: 657mW
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 7dB
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    • 第二阶梯8.5
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    • 第一阶梯8.9
    • 第二阶梯8.9
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    • HMC346ALP3E
    • 品牌: ADI(亚德诺)
    • 封装: VFQFN-16-EP
    • 描述: HMC346ALP3E 是一种在低成本无引脚表面贴装塑料封装中的吸收式电压可变衰减器,工作频率范围为 DC 至 14 GHz。它具有片上参考衰减器,用于与外部运放配合提供简单的单电压控制。
    • 频率范围: 0Hz~14GHz
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 30dB
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    • YAT-20A+
    • 品牌: Mini-Circuits
    • 封装: VDFN-6-EP
    • 描述: YAT-20A+是一款固定值吸收式MMIC衰减器,采用高度重复的IPD工艺技术制造,具有薄膜电阻器和GaAs基板。设计中采用了贯穿晶圆的金属化通孔,实现了低热阻和宽带操作,同时在整个工作带宽内保持了出色的衰减精度和平坦度。YAT-A系列衰减器提供0到10 dB(每1 dB步进)和12、15、20、30 dB的标称衰减值。封装在2 x 2 mm的MCLPTM封装中,适用于空间有限的电路布局。也可提供裸片形式。
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    • 频率范围: 1MHz~3GHz
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 33dB
    • 工作温度: -40℃~+105℃
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    • 频率范围: 0Hz~7GHz
    • 功率: 1W
    • 阻抗: 50Ω
    • 衰减值: 5dB
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      ¥35.3358
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    • 频率范围: 100MHz~3GHz
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