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首页 > 商品目录 > 存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) >
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同步动态随机存取内存(SDRAM)

”共 5147件相关商品
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5147
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • W9825G6KH-6
  • 品牌: WINBOND(华邦)
  • 封装: TSOP-54-10.2mm
  • 描述: W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM),组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置,适用于高性能应用。
  • 存储容量: 256Mbit
  • 时钟频率(fc): 166MHz
  • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 存储容量: 256Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • MT48LC16M16A2B4-6A:G
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: VFBGA-54(8x8)
    • 描述: 256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • IS42S32800J-7BLI-TR
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性,所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank,每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 存储容量: 64Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 存储容量: 256Mbit
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • IS42S32800J-6TLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TSOP-86-10.2mm
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
    • 存储容量: 256Mbit
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    • 存储容量: 256Mbit
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 时钟频率(fc): 167MHz
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    • W9864G6KH-6I
    • 品牌: WINBOND(华邦)
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM),组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用,W9864G6KH 被分为以下速度等级:-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3,trp=18ns。
    • 存储容量: 64Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • IS42S32800J-7BL
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 存储容量: 512Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 存储容量: 64Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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      ¥14.7
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    • 广东仓: 131
      江苏仓: 10
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    • 108个/托盘
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    • 近期成交15单
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    • IS42S32400F-7BLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: 128Mb Synchronous DRAM, 具有高速数据传输能力,支持管道架构。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。存储器组织为1兆x32位x4个Bank,单电源3.3V±0.3V,LVTTL接口。时钟频率为143 MHz。
  • 领券
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      ¥24.3
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    • 广东仓: 1
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    • 240个/托盘
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    • 近期成交2单
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    • IS42S32800J-6BLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: 256Mb Synchronous DRAM,支持高带宽数据传输,全同步设计,内部4个Bank,支持自动刷新和省电模式。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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    • 30+: 

      ¥33.53
    • 100+: 

      ¥30.73
    现货最快4H发
    • 广东仓: 322
      江苏仓: 0
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    • 240个/托盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交12单
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    • IS43TR16256B-125KBLI-TR
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TWBGA-96(9x13)
    • 描述: DDR3 SDRAM,512Mx8,256Mx16,4Gb存储容量,支持1.5V和1.35V供电,具有自刷新和低功耗模式,适用于商业和工业温度范围。
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    现货最快4H发
    • 广东仓: 280
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    • 存储容量: 128Mbit
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: 0℃~+70℃
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    • 10+: 

      ¥6.75
    • 30+: 

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      ¥4.6
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    • 广东仓: 414
      江苏仓: 0
    • 托盘
    • 托盘
    • 108个/托盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交45单
      已加购
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    • 存储容量: 256Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥30.96
    • 10+: 

      ¥27.11
    • 30+: 

      ¥24.81
    现货最快4H发
    • 广东仓: 60
      江苏仓: 0
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    • 圆盘
    • 2000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交32单
      已加购
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    • IS42S16160G-7BLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: BGA-54
    • 描述: IS42S16160G是一款256Mb同步动态随机存取存储器,支持多种工作模式,包括自动刷新、自刷新、电源管理等。它具有高时钟频率,可编程的突发长度和CAS延迟,适用于高性能计算和嵌入式系统。
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      ¥26.16
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    • 广东仓: 0
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    • 近期成交5单
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    • 存储容量: 64Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • MT48LC16M16A2B4-6A IT:G
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: VFBGA-54(8x8)
    • 描述: 256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • IS42S16160J-7TLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: IS42S16160J是一款256Mb同步动态随机存取存储器(SDRAM),支持166MHz和143MHz时钟频率。它具有3.3V供电,适用于工业温度范围(-40°C至+85°C)。该器件支持多种突发长度(1, 2, 4, 8, 全页)和CAS延迟(2, 3)。
    • 存储容量: 256Mbit
    • 时钟频率(fc): 143MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • IS42S32800G-6BLI
    • 品牌: ISSI(美国芯成)
    • 封装: TFBGA-90(8x13)
    • 描述: IS42S32800G 是一款 256Mb 的 Synchronous DRAM,支持 200MHz 的时钟频率,3.3V 单电源供电。具有 8M x 32 的组织结构,4 个内部bank,可编程的突发长度和 CAS 延迟。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业应用。
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • AS4C32M16SB-7TIN
    • 品牌: Alliance Memory
    • 封装: TSOPII-54-10.2mm
    • 描述: 512Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个8M字x16位的DRAM,具有完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能。适用于需要高内存带宽的应用,特别是高性能PC应用。
    • 时钟频率(fc): 143MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • MT48LC32M8A2P-6A:G
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: TSOPII-54-10.2mm
    • 描述: 256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器,包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的正沿注册)。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。
    • 时钟频率(fc): 167MHz
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    • MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: VFBGA-90(8x13)
    • 描述: 该移动SDRAM具有16兆位x32位的存储容量,支持低功耗模式,适用于工业温度范围(-40°C至+85°C)。时钟周期为6ns。
    • 存储容量: 512Mbit
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    • 工作电压: 1.7V~1.95V
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    • MT48LC4M16A2P-6A:J
    • 品牌: micron(镁光)
    • 封装: TSOPII-54-10.2mm
    • 描述: 128Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器,内部配置为四bankDRAM,具有同步接口。每个x4的33,554,432位bank组织为4096行x2048列x4位。每个x8的33,554,432位bank组织为4096行x1024列x8位。每个x16的33,554,432位bank组织为4096行x512列x16位。
    • 存储容量: 128Mbit
    • 时钟频率(fc): 167MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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