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栅极驱动芯片

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    • 负载类型: IGBT;MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 负载类型: IGBT;MOSFET
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    • 负载类型: IGBT;MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 负载类型: IGBT;MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET
    • 工作电压: 4.5V~25V
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    • 负载类型: MOSFET
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    • 工作电压: 4.5V~25V
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    • EG3112
    • 品牌: EG(屹晶微)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 600V,IO+1A/-1.5A,大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 工作电压: 2.8V~20V
    • 下降时间: 80ns
    • 工作温度: -45℃~+125℃
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    • 广东仓: 5841
      江苏仓: 3769
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    • 4000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: IGBT;MOSFET
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 270mA
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 1864
    • 圆盘
    • 圆盘
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    • 近期成交100单+
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    • TF2183M-TAH
    • 品牌: TFSS(德律风根)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 驱动配置:半桥 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:2.3A 峰值拉电流:1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 2.3A
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      ¥8.41
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    • 广东仓: 216
      江苏仓: 3690
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    • 2500个/圆盘
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    • 近期成交21单
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 工作电压: 4.5V~30V
    • 下降时间: 200ns
    • 工作温度: -45℃~+125℃
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    • 50+: 

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    • 150+: 

      ¥0.928
    • 500+: 

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    • 负载类型: MOSFET
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    • SLM2186CA-DG
    • 品牌: Sillumin(数明半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:170/170ns,DT:NA,MT:35ns
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
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    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: IGBT;MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET
    • 灌电流(IOL): 55A
    • 拉电流(IOH): 55A
    • 工作电压: 8V~18V
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    • 封装:  SOT23-5
      描述: 栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相, 高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 工作温度: -45℃~+125℃
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