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栅极驱动IC

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品牌/产地

  • ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特)
  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • AVAGO(安华高)
  • AWINIC(艾为)
  • chipown(芯朋微电子)
  • COSINE(科山芯创)
  • CYPRESS(赛普拉斯)
  • Dialog Semiconductor
  • DIODES(美台)
  • EG(屹晶微)

封装/规格

  • -
  • 30.9x106.4x61.4mm
  • CDIP-8
  • CERDIP-8
  • DFN-10
  • DFN-10(2x3)
  • DFN-10(3x2)
  • DFN-10(3x3)
  • DFN-10-EP(2x3)
  • DFN-10-EP(3x3)

驱动配置

  • -
  • 三相/半桥
  • 低边
  • 全桥
  • 半桥
  • 双低边
  • 高低边
  • 高边

驱动通道数

~
  • -
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 6

负载类型

  • -
  • FET
  • IGBT
  • MOSFET

是否隔离

  • -
  • 隔离
  • 非隔离

电源电压

~
  • -
  • -10V~25V
  • 0V~18V
  • 0V~16V
  • 0V~25V
  • 0V~35V
  • 0V~5V
  • 0V~6V
  • 300mV~60V
  • 1.71V~1.98V

峰值灌电流

~
  • -
  • 24uA
  • 32uA
  • 1.2mA
  • 16mA
  • 20mA
  • 50mA
  • 60mA
  • 90mA
  • 100mA

峰值拉电流

~
  • -
  • 400uA
  • 1.2mA
  • 2.2mA
  • 14mA
  • 15mA
  • 100mA
  • 130mA
  • 180mA
  • 200mA

上升时间

~
  • -
  • 375ps
  • 500ps
  • 650ps
  • 900ps
  • 2.5ns
  • 3ns
  • 4ns
  • 5ns
  • 5.3ns

下降时间

~
  • -
  • 350ps
  • 500ps
  • 850ps
  • 900ps
  • 1.5ns
  • 2ns
  • 2.5ns
  • 3ns
  • 3.5ns

传播延迟 tpLH

~
  • -
  • 10ns
  • 12ns
  • 16ns
  • 18ns
  • 25ns
  • 30ns
  • 35ns
  • 40ns
  • 45ns

传播延迟 tpHL

~
  • -
  • 8ns
  • 10ns
  • 12ns
  • 13ns
  • 15ns
  • 16ns
  • 18ns
  • 20ns
  • 22ns

特性

  • -
  • 欠压保护(UVP)
  • 短路保护(SCP)
  • 过压保护(OVP)
  • 过流保护(OCP)
  • 过热保护(OPT)

工作温度

~
  • -
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+115℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Ta)
  • -45℃~+125℃@(Ta)

商品标签

  • mos驱动
  • igbt驱动
  • 门驱动器
  • aec-q100
  • 车规级
  • nmos
  • 高侧开关
  • 高速
  • 高电磁免疫力

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

参考封装

  • SOP-8/SOIC-8
  • DIP-16
  • SOP-16/SOIC-16
  • SOP-14/SOIC-14
  • SOT-23-6
  • SOT-23-5
  • DIP-8
  • DFN-8
  • DFN-10
  • DIP-14

嘉立创SMT

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符合条件商品:共 5124
  • 型号: L6388ED013TR
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:17V 峰值灌电流:400mA 峰值拉电流:650mA 高电压(600V),高低侧驱动IC
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  • 型号: MCP1416T-E/OT
  • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.5A 峰值拉电流:1.5A The MCP1415/16 devices are small(Tiny) footprint Low-Side MOSFET drivers capable of supplying 1.5 A peak output current in a SOT23 5L package. The MCP1415 is an inverting low side driver meaning that when the input signal is high, the output is low. The MCP1416 is a non-inverting low side driver meaning that when the input signal is high, the output signal is also high. Although the name of the device is MOSFET driver, these devices have other applications besides driving the gate of a MOSFET. These devices are also used to direct drive a small DC motor, act as buffers for high speed data lines, and level translators to interface low voltage to high voltage.
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  • 封装: SOT-23-5
    型号:
    MCP1416T-E/OT
    描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.5A 峰值拉电流:1.5A The MCP1415/16 devices are small(Tiny) footprint Low-Side MOSFET drivers capable of supplying 1.5 A peak output current in a SOT23 5L package. The MCP1415 is an inverting low side driver meaning that when the input signal is high, the output is low. The MCP1416 is a non-inverting low side driver meaning that when the input signal is high, the output signal is also high. Although the name of the device is MOSFET driver, these devices have other applications besides driving the gate of a MOSFET. These devices are also used to direct drive a small DC motor, act as buffers for high speed data lines, and level translators to interface low voltage to high voltage.
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    说明:
    无条件成团
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    进度:
    剩余可拼库存:30000
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  • 型号: MCP1402T-E/OT
  • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:500mA 峰值拉电流:500mA The MCP1401/02 are high-speed MOSFET drivers capable of providing 500 mA of peak current. The inverting or non-inverting single channel output is directly controlled from either TTL or CMOS (3 V to 18 V). These devices also feature low shoot-through current, matched rise/fall times and propagation delays which make them ideal for high switching frequency applications.The MCP1401/02 devices operate from a single 4.5 V to 18 V power supply and can easily charge and discharge 470 pF gate capacitance in under 19 ns(typical). They provide low enough impedances in both the On and Off states to ensure the MOSFET’s intended state will not be affected, even by large transients.These devices are highly latch-up resistant under any conditions within their power and voltage ratings. They are not subject to damage when up to 5 V of noise spiking (of either polarity) occurs on the Ground pin. They can accept, without damage or logic upset, up to 500 mA of reverse current being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against Electrostatic Discharge (ESD) up to 1 kV (HBM) and 300 V (MM).
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  • 型号: IR2110STRPBF
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: SOIC-16-300mil
  • 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:3.3V~20V 峰值灌电流:2A 峰值拉电流:2A 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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FD6288T 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
  • 型号: FD6288T
  • 品牌: Fortior Tech(峰岹)
  • 封装: TSSOP-20
  • 描述: 三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片
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  • 型号: UCC27517DBVR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器
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  • 型号: TC4427AEOA713
  • 品牌: MICROCHIP(美国微芯)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.5A 峰值拉电流:1.5A The TC4426A/4427A/4428A are improved versions of the earlier TC426/427/428 family of buffer/gate drivers (with which they are pin compatible). They will not latch up under any conditions within their power and voltage ratings. They are not subject to damage when up to 5 V of noise spiking (of either polarity) occurs on the ground pin. They can accept, without damage or logic upset, up to 500 mA of reverse current (of either polarity) being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against up to 4 kV of electrostatic discharge. As MOSFET gate drivers, the TC4426A/4427A/4428A can easily switch 1,000 pF gate capacitances in under 30 ns, and provide low enough impedances in both the ON and OFF states to ensure the MOSFET's intended state will not be affected, even by large transients.
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  • 型号: IR2104STRPBF
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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MOSFET 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
  • 型号: COS4428SR
  • 品牌: COSINE(科山芯创)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~25V 1.5A,4.5V-25V,同反相, 双高速低功耗MOSFET低边驱动器
  • 编号:C2685359
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  • 型号: IR2103STRPBF
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:210mA 峰值拉电流:360mA 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 型号: TF0216-USQ
  • 品牌: TFSS(德律风根)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 是否隔离:非隔离 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.9A 峰值拉电流:1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围:4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • 型号: TF0211C-USQ
  • 品牌: TFSS(德律风根)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 是否隔离:非隔离 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.9A 峰值拉电流:1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围:4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • 型号: COS4426SR
  • 品牌: COSINE(科山芯创)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:负载类型:MOSFET 是否隔离:非隔离 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:2A 峰值拉电流:2A 特性:过热保护(OPT) 1.5A,4.5V-25V,双反相, 双高速低功耗 MOSFET低边驱动器
  • 编号:C2685357
  • 数据手册
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  • 型号: IR2136STRPBF
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: SOIC-28-300mil
  • 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:200mA 峰值拉电流:350mA 600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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MOSFET 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
  • 型号: COS4427SR
  • 品牌: COSINE(科山芯创)
  • 封装: SOP-8
  • 描述:负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~25V 1.5A,4.5V-25V,双同相, 双高速低功耗MOSFET低边驱动器
  • 编号:C2685358
  • 数据手册
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  • 型号: IR2101STRPBF
  • 品牌: Infineon(英飞凌)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:210mA 峰值拉电流:360mA 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 型号: NCP81071BDR2G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~20V 峰值灌电流:5A 峰值拉电流:5A 高速 5A 双低压侧 MOSFET 驱动器 NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
  • 编号:C411209
  • 数据手册
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    2000-100
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    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
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    • 第五阶梯9.9
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  • 型号: FAN73711MX
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOP-8-4.0mm
  • 描述:625V,3.3/5V 输入逻辑,可兼容 4/4A 接收/源电流,高压侧门极驱动集成电路 FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。
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EG3113 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
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FD6288Q 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
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SL27517 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
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  • 型号: TF0211E-USQ
  • 品牌: TFSS(德律风根)
  • 封装: TSOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 是否隔离:非隔离 电源电压:4.5V~18V 峰值灌电流:1.9A 峰值拉电流:1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围:4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱
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EG2133 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
  • 型号: EG2133
  • 品牌: EG(屹晶微)
  • 封装: TSSOP-20
  • 描述: EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片,配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。
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  • 型号: TF2104M-TAH
  • 品牌: TFSS(德律风根)
  • 封装: SOIC-8
  • 描述:驱动配置:半桥 是否隔离:非隔离 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:290mA 峰值拉电流:600mA 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • 型号: TPS2829DBVR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述:驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4V~14V 峰值灌电流:2A 峰值拉电流:2A TPS2829 同向高速 MOSFET 驱动器
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FD2606S 栅极驱动IC
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SL27524 栅极驱动IC
“SMT扩展库”
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