栅极驱动芯片

UCC27517DBVR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOT-23-5

类目

栅极驱动芯片

编号

C99395

驱动配置

低边

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

1

灌电流(IOL)

4A

描述UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

IR2103STRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2957

驱动配置

半桥

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

270mA

描述600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

IR2101STRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2956

驱动配置

半桥

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

270mA

描述600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

MCP1416T-E/OT

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOT-23-5

类目

栅极驱动芯片

编号

C83775

驱动配置

低边

负载类型

MOSFET

驱动通道数

1

灌电流(IOL)

1.5A

描述MCP1415/16器件是能够提供1.5A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制（3V到18V）。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色，使它非常适合高开关频率应用。

JSM6288Q

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

QFN-24

类目

栅极驱动芯片

编号

C19077370

驱动配置

高边；低边；三相

负载类型

MOSFET

灌电流(IOL)

1.8A

拉电流(IOH)

1.5A

描述三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护

IRS21867STRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C52290

驱动配置

高边；低边

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

4A

描述IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

UCC27324DR

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C46427

驱动配置

低边

负载类型

MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

4A

描述UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

BTN8962TAAUMA1

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

TO-263-7

类目

栅极驱动芯片

编号

C112630

驱动配置

半桥

负载类型

MOSFET

工作电压

8V~18V

上升时间(tr)

250ns

描述高电流 PN 半桥驱动IC

IR2110STRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOIC-16-300mil

类目

栅极驱动芯片

编号

C2968

驱动配置

半桥

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

2A

描述600V，单通道驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

MCP1407T-E/SN

品牌

MICROCHIP(美国微芯)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C622950

负载类型

MOSFET

驱动通道数

1

灌电流(IOL)

6A

拉电流(IOH)

6A

描述MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

EG2132

品牌

EG(屹晶微)

封装

SOP-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C480660

驱动配置

低边；高边

负载类型

MOSFET；IGBT

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

1.5A

描述EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2132高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力|O+/-| 1.0A/1.5A，采用SOP8封装。

EG2131

品牌

EG(屹晶微)

封装

SOP-8-150mil

类目

栅极驱动芯片

编号

C5240691

负载类型

MOSFET；IGBT

灌电流(IOL)

1.5A

拉电流(IOH)

1A

工作电压

11V~20V

描述EG2131是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2131高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽11V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 1/1.5A，采用SOP8封装。

FD2606S

品牌

Fortior Tech(峰岹)

封装

SOP-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2909830

驱动配置

半桥

负载类型

MOSFET；IGBT

工作电压

10V~20V

上升时间(tr)

100ns

描述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。

UCC27282DRCR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSON-10-EP(3x3)

类目

栅极驱动芯片

编号

C2677035

驱动配置

半桥

负载类型

MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

3A

描述可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

COS4427SR

品牌

COSINE(科山芯创)

封装

SOP-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2685358

负载类型

MOSFET

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

1.5A

拉电流(IOH)

1.5A

描述1.5A,4.5V-25V,双同相， 双高速低功耗MOSFET低边驱动器

JSM6288T

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

TSSOP-20

类目

栅极驱动芯片

编号

C19077358

驱动配置

低边；高边

负载类型

MOSFET

灌电流(IOL)

1.5A

拉电流(IOH)

1.8A

描述三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护

SLM21867CA-DG

品牌

Sillumin(数明半导体)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C496627

负载类型

MOSFET；IGBT

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

2.5A

拉电流(IOH)

3A

描述600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

FD6288T

品牌

Fortior Tech(峰岹)

封装

TSSOP-20

类目

栅极驱动芯片

编号

C97683

驱动配置

半桥

负载类型

MOSFET；IGBT

工作电压

4.8V~20V

上升时间(tr)

12ns

描述三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片

LTC4412ES6#TRPBF

品牌

ADI(亚德诺)

封装

TSOT-23-6

类目

栅极驱动芯片

编号

C514442

负载类型

MOSFET

工作电压

2.5V~28V

上升时间(tr)

110us

下降时间(tf)

13us

描述采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

XJNG2103

品牌

NCE(无锡新洁能)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2887735

驱动配置

半桥

负载类型

MOSFET

驱动通道数

2

工作电压

9V~20V

描述XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

EG2134

品牌

EG(屹晶微)

封装

TSSOP-20

类目

栅极驱动芯片

编号

C480661

驱动配置

三相；半桥

负载类型

MOSFET；IGBT

灌电流(IOL)

1.4A

拉电流(IOH)

1.2A

描述EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

EG3113

品牌

EG(屹晶微)

封装

SOP-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C480666

驱动配置

低边；高边

负载类型

MOSFET；IGBT

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

2.5A

描述EG3113是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3113高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V，静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Ω2/2.5A，采用SOP8封装。

EG3116D

品牌

EG(屹晶微)

封装

SOP-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C2929098

驱动配置

低边；高边

负载类型

MOSFET；IGBT

驱动通道数

2

灌电流(IOL)

2.5A

描述大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

IR2127STRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOIC-8

类目

栅极驱动芯片

编号

C371089

驱动配置

低边；高边

负载类型

IGBT；MOSFET

驱动通道数

1

灌电流(IOL)

420mA

描述IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V