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当前“

结型场效应管(JFET)

”共 65件相关商品

品牌/产地

  • onsemi(安森美)
  • TOSHIBA(东芝)
  • UTC(友顺)
  • XINGUAN(芯冠)

封装/规格

  • CPH-3
  • CPH3
  • DFN(8x8mm)
  • MCPH-3
  • MCPH-5
  • SC-59
  • SOT-23
  • SOT-23(SOT-23-3)
  • SOT-23-3L
  • SOT-723

FET类型

  • -

栅源击穿电压(V(BR)GSS)

~
  • -

栅源截止电压(VGS(off)@ID)

~
  • -

饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)

~
  • -

漏源导通电阻(RDS(on))

~
  • -

输入电容(Ciss@Vds)

~
  • -

功率(Pd)

~
  • -

工作温度(最小值)

~
  • -

工作温度(最大值)

~
  • -

参考封装

  • SOT-23(SOT-23-3)
  • TO-92(TO-92-3)P=1.27mm
  • TO-220
  • TO-247
  • TO-263-3
  • TO-92(TO-92-3)P=2.57mm

商品标签

  • 无铅

包装/方式

  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

  • smt扩展库
  • smt推荐库
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筛选结果: 65

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符合条件商品:共 65
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TF2123G-E5-AQ3-R
  • 封装: SOT-723
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 型号: TF2123G-E5-AQ3-R
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,类型: JFET
  • 编号:C127046
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  • 20+:

    ¥0.117832
  • 200+:

    ¥0.09064
  • 香港(美元)
    $0.013115 (约¥0.083852)
    $0.012751 (约¥0.081525)
    $0.012508 (约¥0.079971)
  • 1+:

    $0.013115
  • 48000+:

    $0.012751
  • 88000+:

    $0.012508
  • 江苏仓库存: 6720
    广东仓库存: 120120
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  • 近期成交:13单
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2SK209-GR(TE85L,F)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 型号: 2SK209-GR(TE85L,F)
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,10V,0.014A,150mW
  • 编号:C61792
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥0.9727
  • 10+:

    ¥0.7135
  • 30+:

    ¥0.6658
  • 100+:

    ¥0.6182
  • 500+:

    ¥0.5971
  • 1000+:

    ¥0.5866
  • 香港(美元)
    $0.084869 (约¥0.542618)
    $0.082512 (约¥0.527549)
    $0.08094 (约¥0.517498)
  • 1+:

    $0.084869
  • 18000+:

    $0.082512
  • 33000+:

    $0.08094
  • 江苏仓库存: 26815
    广东仓库存: 9397
  • 3000只/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 圆盘
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2SK208-Y(TE85L,F)
  • 封装: SC-59
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 型号: 2SK208-Y(TE85L,F)
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C112988
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  • 内地(含税价)
  • 5+:

    ¥0.704686
  • 50+:

    ¥0.510773
  • 150+:

    ¥0.475156
  • 500+:

    ¥0.439539
  • 2500+:

    ¥0.42371
  • 5000+:

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    $0.060171 (约¥0.384709)
    $0.058499 (约¥0.374019)
    $0.057385 (约¥0.366897)
  • 1+:

    $0.060171
  • 18000+:

    $0.058499
  • 33000+:

    $0.057385
  • 江苏仓库存: 12855
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MMBF4392LT1G
  • 封装: SOT-23
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBF4392LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET,N沟道
  • 编号:C259802
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥1.4973
  • 10+:

    ¥1.1565
  • 30+:

    ¥1.0939
  • 100+:

    ¥1.0313
  • 500+:

    ¥1.0034
  • 1000+:

    ¥0.9897
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  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 2217
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J111
  • 封装: TO-92-3L
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: J111
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET N 沟道 35V
  • 编号:C274642
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥0.8646
  • 10+:

    ¥0.6457
  • 30+:

    ¥0.6055
  • 100+:

    ¥0.5653
  • 500+:

    ¥0.5474
  • 1000+:

    ¥0.5386
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
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  • - -
  • - -
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  • 江苏仓库存: 4640
    广东仓库存: 6
  • 1000个/袋
  • 近期成交:23单
  • 总额:¥0
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  • 已加购
MMBFJ112
  • 封装: SOT-23-3L
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ112
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C258195
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    ¥1.3062
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    ¥0.8838
  • 100+:

    ¥0.8183
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    ¥0.7891
  • 1000+:

    ¥0.7747
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  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
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  • 江苏仓库存: 0
    广东仓库存: 110
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:25单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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TF2123G-E3-AQ3-R
  • 封装: SOT-723
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 型号: TF2123G-E3-AQ3-R
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,类型: JFET
  • 编号:C84891
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  • 含增值税 (原厂管控价)
  • 20+:

    ¥0.115154
  • 200+:

    ¥0.08858
  • 香港(美元)
    $0.012817 (约¥0.081947)
    $0.012461 (约¥0.079671)
    $0.012224 (约¥0.078155)
  • 1+:

    $0.012817
  • 48000+:

    $0.012461
  • 88000+:

    $0.012224
  • 江苏仓库存: 1420
    广东仓库存: 0
  • 8000个/圆盘
  • 近期成交:10单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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J175-D26Z
  • 封装: TO-92 3L
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: J175-D26Z
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C900948
  • 数据手册
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥1.5442
  • 10+:

    ¥1.176
  • 30+:

    ¥1.1084
  • 100+:

    ¥1.0408
  • 500+:

    ¥1.0107
  • 1000+:

    ¥0.9959
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 1815
    广东仓库存: 0
  • 近期成交:5单
  • 总额:¥0
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  • 已加购
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XG65T050WS2A
  • 封装: T0-247
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 型号: XG65T050WS2A
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2836458
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥114.17
  • 10+:

    ¥98.17
  • 30+:

    ¥95.24
  • 100+:

    ¥92.3
  • 500+:

    ¥90.99
  • 1000+:

    ¥89.38
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 20
    广东仓库存: 0
  • 30个/管
  • 近期成交:1单
  • 总额:¥0
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XG65T125HS1B
  • 封装: DFN(8x8mm)
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 型号: XG65T125HS1B
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2835627
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥15.7
  • 10+:

    ¥13.5
  • 30+:

    ¥13.1
  • 100+:

    ¥12.7
  • 500+:

    ¥12.52
  • 1000+:

    ¥12.29
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 15
    广东仓库存: 0
  • 30个/管
  • 近期成交:2单
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
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购金
XG65T230HS1B
  • 封装: DFN(8x8mm)
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 型号: XG65T230HS1B
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2835632
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥14.99
  • 10+:

    ¥10.99
  • 30+:

    ¥10.25
  • 100+:

    ¥9.52
  • 500+:

    ¥9.19
  • 1000+:

    ¥9.03
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 40
    广东仓库存: 0
  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:3单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
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购金
XG65T125BS1A
  • 封装: TO-263-3L
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 型号: XG65T125BS1A
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2836460
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥17.13
  • 10+:

    ¥14.73
  • 30+:

    ¥14.29
  • 100+:

    ¥13.85
  • 500+:

    ¥13.65
  • 1000+:

    ¥13.41
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 22
    广东仓库存: 0
  • 50个/管
  • 近期成交:2单
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
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购金
XG65T125HS1A
  • 封装: DFN(8x8mm)
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 型号: XG65T125HS1A
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2836461
  • 数据手册
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  • 内地(含税价)
  • 1+:

    ¥17.13
  • 10+:

    ¥14.73
  • 30+:

    ¥14.29
  • 100+:

    ¥13.85
  • 500+:

    ¥13.65
  • 1000+:

    ¥13.41
  • 香港(美元)
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • - -
  • 江苏仓库存: 20
    广东仓库存: 1
  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:3单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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  • 已加购
2SK508G-K51-AE3-R
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 型号: 2SK508G-K51-AE3-R
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道JFET
  • 编号:C171542
  • 数据手册
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  • 含增值税 (原厂管控价)
  • 5+:

    ¥0.386331
  • 50+:

    ¥0.297177
  • 香港(美元)
    $0.042996 (约¥0.274899)
    $0.041802 (约¥0.267265)
    $0.041006 (约¥0.262176)
  • 1+:

    $0.042996
  • 18000+:

    $0.041802
  • 33000+:

    $0.041006
  • 江苏仓库存: 5
    广东仓库存: 0
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:9单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
MMBFJ177LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ177LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET,P 沟道,30V
  • 编号:C106763
  • 数据手册
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  • 内地(含税价)
  • 5+:

    ¥0.724176
  • 50+:

    ¥0.554795
  • 150+:

    ¥0.523684
  • 500+:

    ¥0.492573
  • 2500+:

    ¥0.478746
  • 5000+:

    ¥0.471914
  • 香港(美元)
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  • - -
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    广东仓库存: 0
  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:2单
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 总额:¥0
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2SK508G-K53-AE3-R
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 型号: 2SK508G-K53-AE3-R
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,15V,50mA
  • 编号:C87296
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J113
  • 封装: TO-92-3
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: J113
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C274643
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MMBF4117
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBF4117
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C184057
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BSR58
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: BSR58
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道
  • 编号:C75909
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MMBFJ310LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ310LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,25V,225mW
  • 编号:C33416
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MMBF4393LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBF4393LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N 沟道,30V,1A
  • 编号:C152291
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MMBF4393
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBF4393
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET N-CH 30V 350MW
  • 编号:C124490
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MMBFJ309LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ309LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- N沟道,25V,0.03A,225mW
  • 编号:C58012
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MMBF4391LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBF4391LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET N-CH 30V 225mW
  • 编号:C153770
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MMBFJ176
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ176
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- P沟道,-30V,50mA
  • 编号:C232759
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MMBFJ201
  • 封装: SOT-23-3L
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ201
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
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MMBFU310LT1G
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFU310LT1G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET,N 沟道,25V,10mA
  • 编号:C146720
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MMBFJ270
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ270
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):- JFET,P沟道,30V,50mA
  • 编号:C160435
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TF412ST5G
  • 封装: SOT-883(XDFN3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: TF412ST5G
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C719800
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MMBFJ111
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 型号: MMBFJ111
  • 描述:FET类型:- 栅源击穿电压(V(BR)GSS):- 栅源截止电压(VGS(off)@ID):- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):- 漏源导通电阻(RDS(on)):- 输入电容(Ciss@Vds):- 功率(Pd):- 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):-
  • 编号:C274688
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