结型场效应管(JFET)
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 300mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 工作温度
- -55℃~+150℃@(Tj)
描述此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0355
- ￥0.8057
- ￥0.7072
- ￥0.5843
- ￥0.5163
- ￥0.4834
- 广东仓
- 13K+
- 江苏仓
- 7510
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 2mA@15V
描述JFET，P沟道,30V,50mA
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.6388
- ￥1.2971
- ￥1.1506
- ￥0.9679
- ￥0.7676
- ￥0.7187
- 广东仓
- 14K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交77单
- FET类型
- 2个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@0.1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 输入电容(Ciss)
- 13pF@5V
描述JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥28.39
- ￥24.26
- ￥21.8
- ￥18.9336
- ￥17.8066
- ￥17.3068
- 广东仓
- 828
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交41单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 5mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8042
- ￥0.646
- ￥0.567
- ￥0.5077
- ￥0.3763
- ￥0.3526
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 14K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 50Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9317
- ￥0.7489
- ￥0.6575
- ￥0.5889
- ￥0.435
- ￥0.4076
- 广东仓
- 12K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9407
- ￥0.7336
- ￥0.6448
- ￥0.534
- ￥0.4653
- ￥0.4357
- 广东仓
- 20K+
- 江苏仓
- 2485
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交87单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.009
- ￥1.5654
- ￥1.3754
- ￥1.1382
- ￥1.0326
- ￥0.9692
- 广东仓
- 5255
- 江苏仓
- 8985
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交35单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 300Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.6062
- ￥0.4775
- ￥0.4113
- ￥0.3568
- ￥0.3378
- ￥0.3249
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 177
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
描述N沟道,10V,0.014A,150mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.907
- ￥0.7054
- ￥0.619
- ￥0.5112
- ￥0.4729
- ￥0.444
- 广东仓
- 6370
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
描述此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.047
- ￥0.835
- ￥0.7441
- ￥0.6308
- ￥0.4847
- ￥0.4544
- 广东仓
- 6055
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交64单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1308
- ￥0.8783
- ￥0.77
- ￥0.6273
- ￥0.5672
- ￥0.5311
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 8985
1000个/袋
总额￥0
近期成交17单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 30Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1428
- ￥0.904
- ￥0.8016
- ￥0.6739
- ￥0.5175
- ￥0.4834
- 广东仓
- 5910
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交37单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.544
- ￥12.32
- ￥12.096
- 库存
- 4500
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 50mA@15V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8595
- ￥0.6917
- ￥0.6078
- ￥0.5449
- ￥0.4796
- ￥0.4544
- 广东仓
- 5585
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1208
- ￥0.8688
- ￥0.7608
- ￥0.6261
- ￥0.5661
- ￥0.53
- 广东仓
- 7070
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 2.6mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9276
- ￥0.7298
- ￥0.6308
- ￥0.5567
- ￥0.4109
- 广东仓
- 4740
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交56单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 2V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 25mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1991
- ￥0.9345
- ￥0.8212
- ￥0.6797
- ￥0.5995
- ￥0.5617
- 广东仓
- 85
- 江苏仓
- 2050
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交76单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0112
- ￥0.7838
- ￥0.6864
- ￥0.5648
- ￥0.5107
- ￥0.4782
- 广东仓
- 3425
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交78单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0681
- ￥0.8413
- ￥0.7441
- ￥0.6228
- ￥0.5095
- 广东仓
- 3275
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交57单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2329
- ￥0.9557
- ￥0.8369
- ￥0.6887
- ￥0.6227
- 广东仓
- 3265
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交27单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 125Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.3628
- ￥1.0745
- ￥0.951
- ￥0.7969
- ￥0.6474
- ￥0.6063
- 广东仓
- 975
- 江苏仓
- 560
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 600mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 30uA@10V
描述此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.6244
- ￥1.2877
- ￥1.1433
- ￥0.9633
- 广东仓
- 2450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交59单
- 收藏
- 对比
- ￥42.81
- ￥36.71
- ￥32.99
- ￥29.2824
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 100
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@0.5nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 60Ω
描述N沟道低频低噪声放大器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0763
- ￥0.8343
- ￥0.7306
- ￥0.6012
- ￥0.5436
- 广东仓
- 420
- 江苏仓
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 15V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 漏源电流(Idss)
- 32mA@5V
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.5309
- ￥1.3209
- ￥1.2309
- ￥1.1186
- 广东仓
- 1670
- 江苏仓
- 245
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交37单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 25V
- 耗散功率(Pd)
- 460mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 18Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.9855
- ￥1.5391
- ￥1.3477
- ￥1.109
- 广东仓
- 1985
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交21单
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.2793
- ￥1.7787
- ￥1.5642
- ￥1.2435
- 广东仓
- 2070
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- FET类型
- 1个N沟道
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 输入电容(Ciss)
- 5pF@2V
描述UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2144
- ￥0.1685
- ￥0.143
- ￥0.1277
- 广东仓
- 6180
8000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- FET类型
- 1个N沟道
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 输入电容(Ciss)
- 4.8pF@5V
- 工作温度
- -55℃~+150℃
描述高频率放大器，适用于无线电话、AM调谐器和无线安装等应用。具有高前向传输导纳和低输入电容。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.6357
- ￥0.5038
- ￥0.4378
- ￥0.3883
- 广东仓
- 580
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交39单