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结型场效应管(JFET)

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2SK209-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 描述: N沟道,10V,0.014A,150mW FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C61792 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存24K+) SMT扩展库 5+: ￥0.9823 50+: ￥0.7734 150+: ￥0.6714 500+: ￥0.5804 3000+: ￥0.5554 6000+: ￥0.5404 现货最快4H发广东仓: 23K+ 江苏仓: 50K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBF4393LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C152291 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存6643) SMT扩展库 5+: ￥1.1602 50+: ￥0.9362 150+: ￥0.8402 500+: ￥0.7204 3000+: ￥0.5973 6000+: ￥0.5653 现货最快4H发广东仓: 5690 江苏仓: 3425 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBFJ270 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: JFET，P沟道,30V,50mA FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C160435 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存6799) SMT扩展库 5+: ￥1.925 50+: ￥1.5341 150+: ￥1.3666 500+: ￥1.1577 3000+: ￥0.9013 6000+: ￥0.8455 现货最快4H发广东仓: 6520 江苏仓: 385 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交87单已加购


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MMBFJ175LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C133304 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存3425) SMT扩展库 5+: ￥1.2656 50+: ￥1.0073 150+: ￥0.8966 500+: ￥0.7585 3000+: ￥0.697 现货最快4H发广东仓: 3255 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交47单已加购


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MMBF4392LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C259802 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存9178) SMT扩展库 5+: ￥1.247 50+: ￥1.0051 150+: ￥0.9014 500+: ￥0.772 3000+: ￥0.6955 6000+: ￥0.6609 现货最快4H发广东仓: 8365 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交87单已加购


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2SK508G-K51-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 描述: N沟道JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C171542 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存8454) SMT扩展库 5+: ￥0.589117 50+: ￥0.472623 150+: ￥0.414377 500+: ￥0.370692 3000+: ￥0.331776 6000+: ￥0.314302 现货最快4H发广东仓: 8425 江苏仓: 10 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购

MMBFJ309LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C58012 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存13K+) SMT扩展库 5+: ￥1.0829 50+: ￥0.8622 150+: ￥0.7676 500+: ￥0.6496 3000+: ￥0.5971 6000+: ￥0.5655 现货最快4H发广东仓: 12K+ 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交62单已加购


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2SK208-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C112988 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存9432) SMT扩展库 5+: ￥0.9975 50+: ￥0.8085 150+: ￥0.7275 500+: ￥0.6264 3000+: ￥0.522 6000+: ￥0.495 现货最快4H发广东仓: 9135 江苏仓: 5 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交54单已加购


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2SK208-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2999170 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存3820) SMT扩展库 5+: ￥1.037 50+: ￥0.8379 150+: ￥0.7525 500+: ￥0.6461 3000+: ￥0.5026 现货最快4H发广东仓: 3640 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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MMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C33416 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2083) SMT扩展库 5+: ￥1.2668 50+: ￥1.0239 150+: ￥0.9198 500+: ￥0.79 现货最快4H发广东仓: 1600 江苏仓: 555 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交54单已加购


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TF2123G-E3-AQ3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-723 描述: N沟道，类型: JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C84891 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存306) SMT扩展库 20+: ￥0.1272 200+: ￥0.1002 600+: ￥0.0852 2000+: ￥0.0762 8000+: ￥0.0684 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 8000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 8000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购

MMBF4117 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C184057 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1640) SMT扩展库 5+: ￥2.0749 50+: ￥1.6974 150+: ￥1.5356 500+: ￥1.3337 现货最快4H发广东仓: 1325 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交44单已加购


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JFE2140DR 品牌: TI(德州仪器) 封装: SOIC-8 描述: JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET FET类型: 2个N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@0.1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 输入电容(Ciss@Vds): 13pF@5V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2915160 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存70) SMT扩展库 1+: ￥29.43 10+: ￥25.67 30+: ￥23.44 现货最快4H发广东仓: 31 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交37单已加购


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MMBF4391LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C153770 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2500) SMT扩展库 5+: ￥1.4522 50+: ￥1.1609 150+: ￥1.036 500+: ￥0.8803 现货最快4H发广东仓: 2130 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交49单已加购


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2SK209-BL(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17194931 详细: 数据手册 1+: ￥2.72 10+: ￥2.21 30+: ￥2 100+: ￥1.73 500+: ￥1.61 1000+: ￥1.54 现货最快4H发广东仓: 2970 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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SMMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604703 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1985) SMT扩展库 5+: ￥1.9671 50+: ￥1.5681 150+: ￥1.3971 500+: ￥1.1838 现货最快4H发广东仓: 1985 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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BSR58 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: N沟道低频低噪声放大器 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@0.5nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 250mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C75909 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2) SMT扩展库 5+: ￥1.0416 50+: ￥0.8234 150+: ￥0.7298 500+: ￥0.6132 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1195 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交22单已加购


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2SK3666G-3-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C5310366 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1060) SMT扩展库 5+: ￥0.580688 50+: ￥0.480688 150+: ￥0.430688 500+: ￥0.393188 现货最快4H发广东仓: 1035 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

J113 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274643 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存639) SMT扩展库 5+: ￥2.3488 50+: ￥1.9747 150+: ￥1.8144 现货最快4H发广东仓: 610 江苏仓: 65 个个袋个个袋个个袋 1000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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6.5折 J109-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900941 详细: 数据手册 6.5 折订单数量按照以下: 第一阶梯6.5折第二阶梯6.5折第三阶梯6.5折第四阶梯6.5折第五阶梯6.5折第六阶梯6.5折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 6.5 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥2.171 ￥1.7745 ￥1.599 ￥1.3845 原价￥3.34 ￥2.73 ￥2.46 ￥2.13 1+: ￥2.171 10+: ￥1.7745 30+: ￥1.599 100+: ￥1.3845 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 138 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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J176-D74Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900949 详细: 数据手册 SMT扩展库 1+: ￥2.06 10+: ￥1.57 30+: ￥1.37 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 72 个个盒个个盒个个盒 2000个/盒总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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J113-D74Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900947 详细: 数据手册 Digi-Key现货样品嘉立创贴片惊喜价格(库存56) SMT扩展库 5+: ￥1.0415 50+: ￥1.017 150+: ￥1.0007 现货最快4H发广东仓: 35 江苏仓: 0 个个盒个个盒个个盒 2000个/盒总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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NSVJ2394SA3T1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SC-59 描述: NSVJ2394SA3 是一款单 N 沟道结 FET，具有低噪声放大 (LNA) 特性，适用于汽车天线应用。此器件具有高正向传输导纳和低噪声特性，与目前的 JFET 相比，提供更高抗 ESD 性。此器件经过了 AEC-Q101 认证且具有 PPAP 功能，适用于汽车应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 700mV@100uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V 功率(Pd): 200mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604373 详细: 数据手册 Digi-Key现货样品嘉立创贴片惊喜价格(库存51) SMT扩展库 1+: ￥2.41 10+: ￥2.36 30+: ￥2.32 现货最快4H发广东仓: 31 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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3.7折 MMBFJ310LT3G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C896767 详细: 数据手册 3.7 折订单数量按照以下: 第一阶梯3.7折第二阶梯3.7折第三阶梯3.7折第四阶梯3.7折第五阶梯3.7折第六阶梯3.7折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 3.7 折 1+: 10+: 30+: 折后价￥1.591 ￥1.3283 ￥1.1988 原价￥4.3 ￥3.59 ￥3.24 1+: ￥1.591 10+: ￥1.3283 30+: ￥1.1988 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 10000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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MMBFJ177LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C106763 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1380) SMT扩展库 1+: ￥0.9955 10+: ￥0.818 30+: ￥0.7313 100+: ￥0.654 500+: ￥0.6328 1000+: ￥0.62 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBFJ201 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891687 详细: 数据手册 SMT扩展库 3000+: ￥1.0735 5000+: ￥1.026 订货5-7个工作日可订数量: 15K 最小起订量: 3000 个 3000个/圆盘总额: ￥3220.5 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBF5484 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此器件主要用于电子开关应用，如低导通电阻模拟开关。源自 Process 50。 RF 晶体管类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274687 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2) SMT扩展库 5+: ￥2.0451 50+: ￥1.8126 150+: ￥1.7129 500+: ￥1.5886 3000+: ￥1.5333 6000+: ￥1.5 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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MMBFJ112 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C258195 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存646) SMT扩展库 5+: ￥1.571 50+: ￥1.2771 150+: ￥1.1511 500+: ￥0.9939 3000+: ￥0.8239 6000+: ￥0.7819 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBFJ175LT3G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C896766 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存10) SMT扩展库 1+: ￥3.14 10+: ￥2.56 30+: ￥2.31 100+: ￥2 500+: ￥1.86 1000+: ￥1.77 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 10000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购


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J112 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C719815 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 5+: ￥4.37 50+: ￥3.61 150+: ￥3.23 500+: ￥2.86 2500+: ￥2.63 5000+: ￥2.51 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个袋个个袋个个袋 10000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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