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结型场效应管(JFET)

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爆款 MMBFJ177LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C106763 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存42K+) SMT扩展库 1+: ￥0.9595 10+: ￥0.7825 30+: ￥0.6961 100+: ￥0.6189 500+: ￥0.5978 1000+: ￥0.585 现货最快4H发广东仓: 40K+ 江苏仓: 43K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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爆款 2SK209-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 描述: N沟道,10V,0.014A,150mW FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C61792 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存20K+) SMT扩展库 5+: ￥0.902 50+: ￥0.714 150+: ￥0.6222 500+: ￥0.5403 3000+: ￥0.5178 6000+: ￥0.5044 现货最快4H发广东仓: 19K+ 江苏仓: 111K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2SK208-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2999170 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存14K+) SMT扩展库 5+: ￥0.9911 50+: ￥0.7943 150+: ￥0.71 500+: ￥0.6048 3000+: ￥0.463 6000+: ￥0.4349 现货最快4H发广东仓: 14K+ 江苏仓: 2960 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购


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MMBF4392LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C259802 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存8397) SMT扩展库 5+: ￥1.244 50+: ￥0.9925 150+: ￥0.8847 500+: ￥0.7502 3000+: ￥0.6707 6000+: ￥0.6348 现货最快4H发广东仓: 6275 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交89单已加购


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MMBFJ175LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C133304 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1809) SMT扩展库 5+: ￥1.209 50+: ￥0.9663 150+: ￥0.8623 500+: ￥0.7325 3000+: ￥0.6747 现货最快4H发广东仓: 1430 江苏仓: 2090 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交68单已加购


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MMBFJ112 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C258195 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存7802) SMT扩展库 5+: ￥1.3072 50+: ￥1.038 150+: ￥0.9226 500+: ￥0.7786 3000+: ￥0.6229 6000+: ￥0.5845 现货最快4H发广东仓: 5915 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBFJ309LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C58012 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存6400) SMT扩展库 5+: ￥1.0839 50+: ￥0.863 150+: ￥0.7683 500+: ￥0.6502 3000+: ￥0.5976 6000+: ￥0.566 现货最快4H发广东仓: 6300 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交85单已加购


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2SK208-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C112988 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存7060) SMT扩展库 5+: ￥0.9796 50+: ￥0.7906 150+: ￥0.7096 500+: ￥0.6085 3000+: ￥0.5041 现货最快4H发广东仓: 5805 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交67单已加购


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MMBF4391LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C153770 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存4294) SMT扩展库 5+: ￥1.3099 50+: ￥1.0464 150+: ￥0.9335 500+: ￥0.7926 3000+: ￥0.7028 6000+: ￥0.6651 现货最快4H发广东仓: 3935 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交49单已加购


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MMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C33416 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存6724) SMT扩展库 5+: ￥1.271 50+: ￥1.0194 150+: ￥0.9116 500+: ￥0.7771 3000+: ￥0.6889 现货最快4H发广东仓: 5550 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交50单已加购


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2SK209-BL(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17194931 详细: 数据手册 1+: ￥2.17 10+: ￥1.74 30+: ￥1.55 100+: ￥1.32 500+: ￥1.21 1000+: ￥1.15 现货最快4H发广东仓: 4961 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交29单已加购


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爆款 MMBFJ201 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891687 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1640) SMT扩展库 5+: ￥1.7931 50+: ￥1.4173 150+: ￥1.2338 500+: ￥1.0702 3000+: ￥1.0252 6000+: ￥0.9982 现货最快4H发广东仓: 50 江苏仓: 1100 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2SK508G-K51-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 描述: N沟道JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C171542 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存787) SMT扩展库 5+: ￥0.597671 50+: ￥0.481178 150+: ￥0.422932 500+: ￥0.379247 现货最快4H发广东仓: 750 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交30单已加购

MMBFJ110 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3 描述: N 沟道开关此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 460mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891685 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2294) SMT扩展库 5+: ￥1.9033 50+: ￥1.5265 150+: ￥1.365 500+: ￥1.1636 现货最快4H发广东仓: 2155 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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9.9折 JFE2140DR 品牌: TI(德州仪器) 封装: SOIC-8 描述: JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET FET类型: 2个N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@0.1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 输入电容(Ciss@Vds): 13pF@5V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2915160 详细: 数据手册 9.9 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.9折嘉立创贴片惊喜价格(库存168) SMT扩展库 9.9 折 1+: 10+: 30+: 100+: 折后价￥26.61 ￥23.03 ￥20.91 ￥18.5724 原价￥26.61 ￥23.03 ￥20.91 ￥18.76 1+: ￥26.61 10+: ￥23.03 30+: ￥20.91 100+: ￥18.5724 现货最快4H发广东仓: 148 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交31单已加购


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MMBFJ270 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: JFET，P沟道,30V,50mA FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C160435 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存1212) SMT扩展库 5+: ￥1.9537 50+: ￥1.5841 150+: ￥1.4257 现货最快4H发广东仓: 345 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交82单已加购


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MMBF4393LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C152291 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2771) SMT扩展库 5+: ￥1.206 50+: ￥0.9733 150+: ￥0.8736 500+: ￥0.7492 3000+: ￥0.6213 6000+: ￥0.588 现货最快4H发广东仓: 2450 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBF4117 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C184057 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2846) SMT扩展库 5+: ￥1.7103 50+: ￥1.3888 150+: ￥1.251 500+: ￥1.0791 现货最快4H发广东仓: 2725 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交46单已加购


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2SK3666G-3-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C5310366 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存136) SMT扩展库 5+: ￥0.56897 50+: ￥0.46897 150+: ￥0.41897 500+: ￥0.38147 现货最快4H发广东仓: 110 江苏仓: 2800 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购

SMMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604703 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2047) SMT扩展库 5+: ￥2.0268 50+: ￥1.6157 150+: ￥1.4395 500+: ￥1.2197 现货最快4H发广东仓: 2020 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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J109-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900941 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存2000) SMT扩展库 1+: ￥2.37 10+: ￥1.92 30+: ￥1.72 100+: ￥1.48 500+: ￥1.25 1000+: ￥1.18 现货最快4H发广东仓: 2000 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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2SK880-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-70(SOT-323) FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17489141 嘉立创贴片惊喜价格(库存80) SMT扩展库 5+: ￥1.2011 50+: ￥0.9575 150+: ￥0.8531 现货最快4H发广东仓: 80 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交2单已加购


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J113 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274643 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存159) SMT扩展库 5+: ￥2.3627 50+: ￥1.9881 150+: ￥1.8276 现货最快4H发广东仓: 125 江苏仓: 35 个个袋个个袋个个袋 1000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交27单已加购


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MMBFJ176 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: P 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C232759 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存3) SMT扩展库 1+: ￥2.3 10+: ￥1.83 30+: ￥1.62 100+: ￥1.37 500+: ￥1.26 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 872 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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J112 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C719815 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存578) SMT扩展库 5+: ￥1.0997 50+: ￥1.0737 150+: ￥1.0563 500+: ￥1.039 现货最快4H发广东仓: 550 江苏仓: 0 个个袋个个袋个个袋 10000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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MMBFJ111 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274688 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存449) SMT扩展库 5+: ￥2.0515 50+: ￥1.6898 150+: ￥1.5348 现货最快4H发广东仓: 420 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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MMBF4093 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。参见 J111 了解特性。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891683 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 1+: ￥1.48 10+: ￥1.44 30+: ￥1.42 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 39 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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NSVJ3557SA3T1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SC-59-3 描述: NSVJ3557SA3 是一款具有低噪声放大 (LNA) 功能的单 N 沟道结型FET，适用于汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性，与目前的 JFET 相比，具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@100uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V 功率(Pd): 200mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C463875 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存37) SMT扩展库 1+: ￥3.38 10+: ￥2.81 30+: ￥2.53 现货最快4H发广东仓: 17 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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J113-D74Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900947 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存60) SMT扩展库 5+: ￥1.0397 50+: ￥1.0164 150+: ￥1.0008 现货最快4H发广东仓: 35 江苏仓: 0 个个盒个个盒个个盒 2000个/盒总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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CPH3910-TL-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: CPH-3 描述: CPH3910 是一款 N 沟道 JFET，25V，20 至 40mA，40mS，CPH3，适用于高频低噪音放大器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.8V@100uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 400mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C480726 详细: 数据手册嘉立创贴片惊喜价格(库存155) SMT扩展库 1+: ￥3.64 10+: ￥3.03 30+: ￥2.73 现货最快4H发广东仓: 53 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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