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结型场效应管(JFET)

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品牌/产地

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  • TOSHIBA(东芝)

封装/规格

  • -
  • CPH-3
  • CPH-6
  • DFN(5x6)
  • DFN(8x8)
  • DFN-3(8x8)
  • DFN-8(2x2)
  • DIP-16
  • DIP-8
  • MCPH-3

FET类型

  • -
  • 2个N沟道
  • 4个N沟道
  • N沟道
  • P沟道

栅源击穿电压(V(BR)GSS)

  • -
  • 6.5V
  • 7V
  • 20V
  • 25V
  • 30V
  • 35V
  • 40V
  • 50V
  • 60V

栅源截止电压(VGS(off)@ID)

  • -
  • 500mV@20uA
  • 500mV@50uA
  • 500mV@1nA
  • 500mV@1uA
  • 600mV@1uA
  • 750mV@1A
  • 1V@1mA
  • 1V@10nA
  • 1V@3nA

饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)

  • -
  • 30uA@10V
  • 80uA@10V
  • 150uA@5V
  • 1mA@5V
  • 2mA@5V
  • 2mA@15V
  • 3mA@15V
  • 4mA@15V
  • 5mA@15V

漏源导通电阻(RDS(on))

  • -
  • 17mΩ
  • 10Ω
  • 25Ω
  • 30Ω
  • 35Ω

输入电容(Ciss@Vds)

  • -
  • 0.03pF@15V
  • 0.8pF@15V
  • 3pF@10V
  • 3.5pF@5V
  • 4pF@15V
  • 4pF@10V
  • 4.5pF@15V
  • 5pF@10V
  • 5.5pF@10V(Vgs)

功率(Pd)

  • -
  • 100mW
  • 150mW
  • 200mW
  • 225mW
  • 300mW
  • 310mW
  • 330mW
  • 350mW
  • 360mW

工作温度

  • -
  • -65℃~+175℃@(Ta)
  • -65℃~+200℃@(Tj)
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+135℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)

参考封装

  • SOT-23-3
  • TO-92-3
  • SOP-8/SOIC-8
  • DFN-8
  • TO-18-3
  • SOT-723
  • DIP-16
  • DIP-8
  • SOT-223-3
  • SOT-23-6

商品标签

  • 无铅

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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322
  • 型号: MMBFJ177LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:P 沟道 JFET 晶体管 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
  • 编号:C106763
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  • 型号: 2SK209-GR(TE85L,F)
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: N沟道,10V,0.014A,150mW
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  • 型号: MMBF4393LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
  • 编号:C152291
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  • 型号: J113
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor This?2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor is designed for analog switching and chopper applications.
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  • 型号: MMBFJ175LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:P 沟道 JFET 晶体管,30 V 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
  • 编号:C133304
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  • 型号: BSR58
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N沟道低频低噪声放大器 N沟道
  • 编号:C75909
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  • 型号: 2SK3666G-3-AE3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-23
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  • 型号: MMBFJ309LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。
  • 编号:C58012
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  • 型号: MMBFJ270
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:P沟道开关 JFET,P沟道,30V,50mA
  • 编号:C160435
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  • 型号: MMBF4392LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
  • 编号:C259802
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  • 型号: MMBF4117
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道开关 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级,具有卓越性能。源自 Process 53。
  • 编号:C184057
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  • 型号: MMBFJ175LT3G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:P 沟道 JFET 晶体管,30 V 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
  • 编号:C896766
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  • 型号: MMBFJ201
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述:N 沟道通用放大器 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
  • 编号:C891687
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  • 型号: TF2123G-E5-AQ3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-723
  • 描述: N沟道,类型: JFET
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  • 型号: MMBFJ310LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
  • 编号:C33416
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  • 型号: MMBFU310LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
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  • 型号: MMBFJ111
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N 沟道开关 N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
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  • 型号: XG65T230HS1B
  • 品牌: XINGUAN(芯冠)
  • 封装: DFN-3(8x8)
  • 描述: 氮化镓GaN 650V Power Transistor(FET)
  • 编号:C2835632
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    • 第四阶梯8
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  • 型号: MMBF4391LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:N-Channel JFET Transistor This N-channel JFET device is designed for analog switching and chopper applications.
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  • 型号: J113-D74Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor This?2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor is designed for analog switching and chopper applications.
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  • 型号: NSVJ3557SA3T1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SC-59-3
  • 描述:N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS NSVJ3557SA3 是一款具有低噪声放大 (LNA) 功能的单 N 沟道结型FET,适用于汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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  • 型号: J176-D74Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
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  • 2000个/盒
  • 近期成交:4单
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  • 型号: J111
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:20 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor This 20 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor device is designed for analog switching and chopper applications.
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  • 型号: J109-D26Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:N 沟道开关 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
  • 内地(含税价)
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:3单
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  • 型号: TF2123G-E3-AQ3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-723
  • 描述: N沟道,类型: JFET
  • 编号:C84891
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    • 第三阶梯3.8
    • 第四阶梯3.8
    • 第五阶梯3.8
    • 第六阶梯3.8
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