结型场效应管(JFET)
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 300Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.5527
- ￥0.4354
- ￥0.375
- ￥0.3253
- ￥0.308
- ￥0.2962
- 广东仓
- 64K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 2mA@15V
描述JFET，P沟道,30V,50mA
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.5737
- ￥1.2374
- ￥1.0933
- ￥0.9135
- ￥0.7164
- ￥0.6683
- 广东仓
- 10K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交65单
- FET类型
- 2个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@0.1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 输入电容(Ciss)
- 13pF@5V
描述JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥28.7
- ￥24.57
- ￥22.11
- ￥19.2374
- ￥18.1104
- ￥17.6008
- 广东仓
- 50
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交47单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0034
- ￥0.7706
- ￥0.6708
- ￥0.5462
- ￥0.4689
- ￥0.4357
- 广东仓
- 19K+
- 江苏仓
- 2370
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交79单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.8295
- ￥1.4256
- ￥1.2525
- ￥1.0365
- ￥0.9403
- ￥0.8826
- 广东仓
- 2835
- 江苏仓
- 8890
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 30Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1941
- ￥0.9391
- ￥0.8298
- ￥0.6935
- ￥0.5265
- ￥0.49
- 广东仓
- 7315
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1308
- ￥0.8783
- ￥0.77
- ￥0.6273
- ￥0.5672
- ￥0.5311
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 8640
1000个/袋
总额￥0
近期成交15单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 5mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8055
- ￥0.6471
- ￥0.5679
- ￥0.5085
- ￥0.3769
- ￥0.3531
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 8015
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 125Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2981
- ￥1.041
- ￥0.9309
- ￥0.7934
- ￥0.6602
- ￥0.6234
- 广东仓
- 6300
- 江苏仓
- 60
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
描述此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8944
- ￥0.7172
- ￥0.6287
- ￥0.5622
- ￥0.4252
- ￥0.3986
- 广东仓
- 5195
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交70单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 300mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 工作温度
- -55℃~+150℃@(Tj)
描述此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0355
- ￥0.8056
- ￥0.7072
- ￥0.5843
- ￥0.5162
- ￥0.4834
- 广东仓
- 1635
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 2.6mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9276
- ￥0.7298
- ￥0.6308
- ￥0.5567
- ￥0.4109
- 广东仓
- 4410
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 2V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 25mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9348
- ￥0.7277
- ￥0.6389
- ￥0.5281
- ￥0.4653
- ￥0.4357
- 广东仓
- 2915
- 江苏仓
- 590
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交77单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 600mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 30uA@10V
描述此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.5451
- ￥1.22
- ￥1.0807
- ￥0.9069
- 广东仓
- 2720
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交62单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 50Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8317
- ￥0.6685
- ￥0.5869
- ￥0.5257
- ￥0.3883
- ￥0.3638
- 广东仓
- 665
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
描述N沟道,10V,0.014A,150mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.907
- ￥0.7054
- ￥0.619
- 广东仓
- 160
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2329
- ￥0.9557
- ￥0.8369
- ￥0.6887
- 广东仓
- 2925
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 25V
- 耗散功率(Pd)
- 460mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 18Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.9855
- ￥1.5391
- ￥1.3477
- ￥1.109
- 广东仓
- 2560
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 50mA@15V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.7861
- ￥0.6183
- ￥0.5344
- ￥0.4715
- ￥0.4062
- ￥0.381
- 广东仓
- 1870
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交45单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0128
- ￥0.7851
- ￥0.6875
- ￥0.5657
- ￥0.5115
- ￥0.479
- 广东仓
- 1540
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交66单
- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 15V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 漏源电流(Idss)
- 32mA@5V
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.2844
- ￥1.7906
- ￥1.579
- ￥1.3149
- 广东仓
- 1810
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@0.5nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 60Ω
描述N沟道低频低噪声放大器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2606
- ￥0.9772
- ￥0.8557
- ￥0.7042
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2995
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.2793
- ￥1.7787
- ￥1.5642
- ￥1.2435
- 广东仓
- 2015
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
描述通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0681
- ￥0.8413
- ￥0.7441
- ￥0.6228
- 广东仓
- 600
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 250Ω
描述P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.4164
- ￥1.8731
- ￥1.6402
- ￥1.3497
- 广东仓
- 1350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- FET类型
- 1个N沟道
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 输入电容(Ciss)
- 5pF@2V
描述UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2144
- ￥0.1685
- ￥0.143
- ￥0.1277
- 广东仓
- 4760
8000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
