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结型场效应管(JFET)

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663
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 广东仓: 12K+
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
  • 功率(Pd): 150mW
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  • MMBFJ201
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23-3L
  • 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
  • 功率(Pd): 350mW
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  • 广东仓: 6410
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  • FET类型: P沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 5+: 

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  • 500+: 

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  • 6000+: 

    ¥0.8213
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  • 广东仓: 24K+
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
  • 功率(Pd): 100mW
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  • 广东仓: 3955
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  • FET类型: N沟道
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 广东仓: 1790
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 5+: 

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  • 150+: 

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  • 广东仓: 2385
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  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交52单
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  • FET类型: P沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 5+: 

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  • 50+: 

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  • 150+: 

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  • 广东仓: 2140
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  • 3000个/圆盘
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  • 20+: 

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  • 2000+: 

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  • 广东仓: 7760
    江苏仓: 0
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  • 8000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交4单
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
  • 功率(Pd): 100mW
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  • 5+: 

    ¥1.1337
  • 50+: 

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  • 150+: 

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  • 500+: 

    ¥0.7214
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  • 广东仓: 1045
    江苏仓: 0
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  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交25单
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  • FET类型: N沟道
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  • 5+: 

    ¥1.4147
  • 50+: 

    ¥1.1506
  • 150+: 

    ¥1.0374
  • 500+: 

    ¥0.8962
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  • 广东仓: 2110
    江苏仓: 625
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交56单
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  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@0.5nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
  • 功率(Pd): 250mW
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  • 5+: 

    ¥1.08
  • 50+: 

    ¥0.8739
  • 150+: 

    ¥0.7856
  • 500+: 

    ¥0.6754
现货最快4H发
  • 广东仓: 0
    江苏仓: 1280
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交19单
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  • 1+: 

    ¥3.79
  • 10+: 

    ¥3.14
  • 30+: 

    ¥2.82
  • 100+: 

    ¥2.5
  • 500+: 

    ¥2.23
  • 1000+: 

    ¥2.13
现货最快4H发
  • 广东仓: 2171
    江苏仓: 0
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  • 圆盘
  • 圆盘
  • 2500个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交29单
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  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 7V
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SMT扩展库
  • 1+: 

    ¥8.22
  • 10+: 

    ¥6.99
  • 30+: 

    ¥6.31
  • 100+: 

    ¥5.55
现货最快4H发
  • 广东仓: 370
    江苏仓: 0
  • 圆盘
  • 圆盘
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  • 2500个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交15单
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SMT扩展库
  • 5+: 

    ¥0.580688
  • 50+: 

    ¥0.480688
  • 150+: 

    ¥0.430688
  • 500+: 

    ¥0.393188
现货最快4H发
  • 广东仓: 1290
    江苏仓: 0
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交19单
    已加购
  • FET类型: N沟道
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  • 累计 满50000: 送100000
  • 累计 满100000: 送500000
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SMT扩展库
  • 1+: 

    ¥2.34
  • 10+: 

    ¥1.87
  • 30+: 

    ¥1.67
  • 100+: 

    ¥1.41
  • 500+: 

    ¥1.3
  • 1000+: 

    ¥1.23
现货最快4H发
  • 广东仓: 1995
    江苏仓: 0
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交2单
    已加购
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  • 累计 满50000: 送100000
  • 累计 满100000: 送500000
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SMT扩展库
  • 5+: 

    ¥2.3398
  • 50+: 

    ¥1.9671
  • 150+: 

    ¥1.8074
现货最快4H发
  • 广东仓: 235
    江苏仓: 70
  • 1000个/袋
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交12单
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  • MMBF4117
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级,具有卓越性能。源自 Process 53。
  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@1nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
  • 功率(Pd): 225mW
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  • 累计 满50000: 送100000
  • 累计 满100000: 送500000
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SMT扩展库
  • 5+: 

    ¥2.4747
  • 50+: 

    ¥2.0958
  • 150+: 

    ¥1.9335
现货最快4H发
  • 广东仓: 0
    江苏仓: 20
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 圆盘
  • 3000个/圆盘
  • 总额: ¥0
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  • 近期成交42单
    已加购
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  • J176-D74Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述: 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
  • FET类型: P沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 功率(Pd): 350mW
送积分

活动规则:

  • 累计 满50000: 送100000
  • 累计 满100000: 送500000
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SMT扩展库
  • 1+: 

    ¥2.06
  • 10+: 

    ¥1.57
  • 30+: 

    ¥1.37
  • 100+: 

    ¥1.11
现货最快4H发
  • 广东仓: 22
    江苏仓: 139
  • 2000个/盒
  • 总额: ¥0
    已优惠0元!
  • 近期成交9单
    已加购
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  • J109-D26Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
  • FET类型: N沟道
  • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA
  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V
  • 功率(Pd): 625mW
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  • 累计 满50000: 送100000
  • 累计 满100000: 送500000
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  • 6.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯6.5
    • 第二阶梯6.5
    • 第三阶梯6.5
    • 第四阶梯6.5
    • 第五阶梯6.5
    • 第六阶梯6.5
  • SMT扩展库
    • 6.5 折
      • 1+: 
      • 10+: 
      • 30+: 
      • 100+: 
      • 折后价
      • ¥2.171
      • ¥1.7745
      • ¥1.599
      • ¥1.3845
      • 原价
      • ¥3.34
      • ¥2.73
      • ¥2.46
      • ¥2.13
    • 1+: 

      ¥2.171
    • 10+: 

      ¥1.7745
    • 30+: 

      ¥1.599
    • 100+: 

      ¥1.3845
    现货最快4H发
    • 广东仓: 0
      江苏仓: 204
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交12单
      已加购
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    送积分

    活动规则:

    • 累计 满50000: 送100000
    • 累计 满100000: 送500000
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    SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥3.82
    • 10+: 

      ¥3.17
    • 30+: 

      ¥2.85
    现货最快4H发
    • 广东仓: 0
      江苏仓: 34
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交3单
      已加购
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    • NSVJ2394SA3T1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-59
    • 描述: NSVJ2394SA3 是一款单 N 沟道结 FET,具有低噪声放大 (LNA) 特性,适用于汽车天线应用。此器件具有高正向传输导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,提供更高抗 ESD 性。此器件经过了 AEC-Q101 认证且具有 PPAP 功能,适用于汽车应用。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 700mV@100uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V
    • 功率(Pd): 200mW
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    活动规则:

    • 累计 满50000: 送100000
    • 累计 满100000: 送500000
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    SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥4.02
    • 10+: 

      ¥3.31
    • 30+: 

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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V
    • 功率(Pd): 625mW
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    • MCH3914-7-TL-H
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-70FL(MCPH3)
    • 描述: MCH3914 是一款 N 沟道 JFET,15V,16 至 50mA,29mS,MCPH3,适用于高频低噪音放大器应用。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@10uA
    • 功率(Pd): 300mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 16mA@5V
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    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2.5V@1nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V
    • 功率(Pd): 225mW
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    • NSVJ3557SA3T1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-59-3
    • 描述: NSVJ3557SA3 是一款具有低噪声放大 (LNA) 功能的单 N 沟道结型FET,适用于汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    • FET类型: N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@100uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • FET类型: N沟道
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    • FET类型: P沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@10nA
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