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结型场效应管(JFET)

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2SK508G-K51-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 描述: 高频率放大器，适用于无线电话、AM调谐器和无线安装等应用。具有高前向传输导纳和低输入电容。 FET类型: 1个N沟道耗散功率(Pd): 200mW 输入电容(Ciss): 4.8pF@5V 工作温度: -55℃~+150℃ 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C171542 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存14K+) SMT扩展库 5+: ￥0.6378 50+: ￥0.5054 150+: ￥0.4392 500+: ￥0.3896 3000+: ￥0.3461 6000+: ￥0.3262 现货最快4H发广东仓: 14K+ 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交28单已加购


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MMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C33416 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存12K+) SMT扩展库 5+: ￥1.0663 50+: ￥0.8446 150+: ￥0.7495 500+: ￥0.631 3000+: ￥0.5573 6000+: ￥0.5256 现货最快4H发广东仓: 11K+ 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交84单已加购
MMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。距结束剩 0天 00小时 00分 00秒流程: 查看详情立推流程 1 2 3 4 查看立推商品提交立推订单支付立推订单等待立推发货立推售价 3000+: ￥0.467 支付后4-6工作日剩余库存: 120000 批次: 1.5年内个个圆盘总额: ￥1401


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MMBFJ201 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 300mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 耗散功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891687 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4620) SMT扩展库 5+: ￥1.4872 50+: ￥1.1784 150+: ￥1.046 500+: ￥0.8809 3000+: ￥0.7895 6000+: ￥0.7454 现货最快4H发广东仓: 2980 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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J111 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274642 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存6) SMT扩展库 5+: ￥1.1935 50+: ￥0.941 150+: ￥0.8328 1000+: ￥0.69 2000+: ￥0.6299 5000+: ￥0.5938 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 9605 个个袋个个袋个个袋 1000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交22单已加购


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2SK209-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 描述: N沟道,10V,0.014A,150mW FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C61792 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存6751) SMT扩展库 5+: ￥0.9184 50+: ￥0.7167 150+: ￥0.6303 500+: ￥0.5225 3000+: ￥0.4842 现货最快4H发广东仓: 5510 江苏仓: 15 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交92单已加购


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2SK880-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-70(SOT-323) FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17489141 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4443) SMT扩展库 5+: ￥1.3291 50+: ￥1.0368 150+: ￥0.9115 500+: ￥0.7552 3000+: ￥0.6856 现货最快4H发广东仓: 4415 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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2SK3557-7-TB-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: CP-3 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。 FET类型: 1个N沟道栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V 耗散功率(Pd): 200mW 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 32mA@5V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604972 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2637) SMT扩展库 5+: ￥2.3396 50+: ￥1.8356 150+: ￥1.6196 500+: ￥1.3501 现货最快4H发广东仓: 2405 江苏仓: 445 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交26单已加购


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2SK208-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C112988 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4520) SMT扩展库 5+: ￥1.1028 50+: ￥0.876 150+: ￥0.7788 500+: ￥0.6575 3000+: ￥0.5442 现货最快4H发广东仓: 4235 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交41单已加购


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MMBF4393LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 耗散功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C152291 详细: 数据手册 SMT扩展库 3000+: ￥0.483 10000+: ￥0.4704 订货3-5个工作日可订数量: 6000 最小起订量: 3000 个 3000个/圆盘总额: ￥1449 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2SK208-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2999170 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4458) SMT扩展库 5+: ￥0.949 50+: ￥0.7466 150+: ￥0.6454 500+: ￥0.5695 3000+: ￥0.4204 现货最快4H发广东仓: 3900 江苏仓: 20 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交92单已加购


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2SK3557-6-TB-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: SC-59-3 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。 FET类型: N沟道耗散功率(Pd): 200mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C236112 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2916) SMT扩展库 5+: ￥2.4383 50+: ￥1.9378 150+: ￥1.7232 500+: ￥1.4026 现货最快4H发广东仓: 2890 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交7单已加购


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2SK209-BL(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17194931 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2067) SMT扩展库 5+: ￥2.1637 50+: ￥1.7102 150+: ￥1.5159 500+: ￥1.2734 现货最快4H发广东仓: 1890 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交50单已加购


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MMBFJ175LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 耗散功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C133304 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存192) SMT扩展库 5+: ￥1.454 50+: ￥1.1515 150+: ￥1.0219 500+: ￥0.8602 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 755 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交62单已加购


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J175-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: P沟道开关该器件设计用于低电平模拟开关、采样保持电路以及斩波器稳定放大器。采用工艺88设计。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 耗散功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900948 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1544) SMT扩展库 1+: ￥2.43 10+: ￥1.92 30+: ￥1.7 100+: ￥1.42 500+: ￥1.3 1000+: ￥1.22 现货最快4H发广东仓: 1517 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交10单已加购


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J109-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 耗散功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900941 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1770) SMT扩展库 1+: ￥2.89 10+: ￥2.34 30+: ￥2.11 100+: ￥1.82 500+: ￥1.56 1000+: ￥1.48 现货最快4H发广东仓: 1750 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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2SK3666G-3-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 描述: UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET，使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。 FET类型: 1个N沟道耗散功率(Pd): 200mW 导通电阻(RDS(on)): 270Ω 输入电容(Ciss): 4pF@10V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C5310366 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 5+: ￥0.5901 50+: ￥0.4701 150+: ￥0.4101 500+: ￥0.3651 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2500 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购


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BSR58 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: N沟道低频低噪声放大器 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 800mV@0.5nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 耗散功率(Pd): 250mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C75909 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2477) SMT扩展库 5+: ￥1.1487 50+: ￥0.9015 150+: ￥0.7955 500+: ￥0.6633 现货最快4H发广东仓: 2475 江苏仓: 10 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交9单已加购


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MMBFJ112 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 耗散功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C258195 详细: 数据手册 SMT扩展库 3000+: ￥0.478025 9000+: ￥0.465555 订货15-18个工作日可订数量: 96K 最小起订量: 3004 个 3000个/圆盘总额: ￥1435.99 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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TF2123G-E5-AQ3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-723 描述: UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。 FET类型: 1个N沟道耗散功率(Pd): 100mW 输入电容(Ciss): 5pF@2V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C127046 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存5) SMT扩展库 20+: ￥0.149 200+: ￥0.1166 600+: ￥0.0986 2000+: ￥0.0878 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2200 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 8000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购


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SMMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604703 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1111) SMT扩展库 5+: ￥1.5289 50+: ￥1.3334 150+: ￥1.2496 500+: ￥1.1451 3000+: ￥1.0986 6000+: ￥1.0706 现货最快4H发广东仓: 1110 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交3单已加购


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2SK208-R(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: TO-236-3(SOT-23-3) FET类型: 1个N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 400mV@0.1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 耗散功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17471045 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存37) SMT扩展库 5+: ￥1.7307 50+: ￥1.3566 150+: ￥1.1963 现货最快4H发广东仓: 15 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交6单已加购


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J113-D74Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 耗散功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900947 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存482) SMT扩展库 5+: ￥1.0411 50+: ￥1.0202 150+: ￥1.0063 现货最快4H发广东仓: 455 江苏仓: 0 个个盒个个盒个个盒 2000个/盒总额: ￥0 已优惠0元！近期成交17单已加购


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MMBFU310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 2.5V@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 耗散功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C146720 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存246) SMT扩展库 5+: ￥1.6994 50+: ￥1.3772 150+: ￥1.2391 现货最快4H发广东仓: 220 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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J113 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C274643 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存170) SMT扩展库 5+: ￥2.1316 50+: ￥1.7329 150+: ￥1.5621 现货最快4H发广东仓: 145 江苏仓: 0 个个袋个个袋个个袋 1000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交22单已加购


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MMBFJ176 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: P 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 耗散功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C232759 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存771) SMT扩展库 5+: ￥2.3201 50+: ￥1.8186 150+: ￥1.6037 500+: ￥1.3355 现货最快4H发广东仓: 710 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交20单已加购


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3.7折 SMMBFJ175LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3(TO-236-3) FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 耗散功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C894335 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 3.7 折订单数量按照以下: 第一阶梯3.7折第二阶梯3.7折第三阶梯3.7折第四阶梯3.7折第五阶梯3.7折第六阶梯3.7折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 3.7 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥1.9351 ￥1.5984 ￥1.4282 ￥1.2617 ￥1.1618 ￥1.11 原价￥5.23 ￥4.32 ￥3.86 ￥3.41 ￥3.14 ￥3 1+: ￥1.9351 10+: ￥1.5984 30+: ￥1.4282 100+: ￥1.2617 500+: ￥1.1618 1000+: ￥1.11 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 95 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交1单已加购


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J112 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 耗散功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C719815 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存240) SMT扩展库 5+: ￥2.2766 50+: ￥1.821 150+: ￥1.6258 现货最快4H发广东仓: 120 江苏仓: 0 个个袋个个袋个个袋 10000个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交19单已加购


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2SK545-11D-TB-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-236-3(SOT-23-3) 描述: 具有小IGss和小Ciss的N-Channel JFET，适用于紧凑型设备，无铅封装。 FET类型: 1个N沟道栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 耗散功率(Pd): 100mW 输入电容(Ciss): 1.7pF@10V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C890130 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存20) SMT扩展库 5+: ￥1.0495 50+: ￥1.0278 150+: ￥1.0133 现货最快4H发广东仓: 20 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交4单已加购


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3.7折 MMBFJ310LT3G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C896767 详细: 数据手册领券包邮券立即领取 3.7 折订单数量按照以下: 第一阶梯3.7折第二阶梯3.7折第三阶梯3.7折第四阶梯3.7折第五阶梯3.7折第六阶梯3.7折嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 3.7 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥1.8759 ￥1.5614 ￥1.406 ￥1.2506 ￥1.1137 ￥1.0619 原价￥5.07 ￥4.22 ￥3.8 ￥3.38 ￥3.01 ￥2.87 1+: ￥1.8759 10+: ￥1.5614 30+: ￥1.406 100+: ￥1.2506 500+: ￥1.1137 1000+: ￥1.0619 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 10000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！已加购


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BF256B 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: N沟道放大器 FET类型: 1个N沟道栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@10nA 耗散功率(Pd): 350mW 工作温度: -55℃~+150℃ 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2892081 详细: 数据手册领券包邮券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存168) SMT扩展库 5+: ￥2.4894 50+: ￥2.022 150+: ￥1.7661 现货最快4H发广东仓: 140 江苏仓: 0 个个袋个个袋个个袋 100个/袋总额: ￥0 已优惠0元！近期成交11单已加购


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