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结型场效应管(JFET)

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爆款 9.8折 MMBFJ177LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C106763 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 9.8 折订单数量按照以下: 第一阶梯10折第二阶梯10折第三阶梯10折第四阶梯9.8折第五阶梯9.8折第六阶梯9.8折嘉立创贴片惊喜价格(库存155K+) SMT扩展库 9.8 折 1+: 10+: 30+: 100+: 500+: 1000+: 折后价￥0.7455 ￥0.6057 ￥0.5338 ￥0.465108 ￥0.444822 ￥0.431102 原价￥0.4746 ￥0.4539 ￥0.4399 1+: ￥0.7455 10+: ￥0.6057 30+: ￥0.5338 100+: ￥0.465108 500+: ￥0.444822 1000+: ￥0.431102 现货最快4H发广东仓: 152K+ 江苏仓: 24K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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爆款 MMBFJ201 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 300mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891687 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3) SMT扩展库 5+: ￥1.5462 50+: ￥1.2221 150+: ￥1.0639 500+: ￥0.9228 3000+: ￥0.884 6000+: ￥0.8608 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 11K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2SK209-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 描述: N沟道,10V,0.014A,150mW FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C61792 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3362) SMT扩展库 5+: ￥0.639 50+: ￥0.552 150+: ￥0.5147 500+: ￥0.4682 3000+: ￥0.4475 6000+: ￥0.435 现货最快4H发广东仓: 3255 江苏仓: 74K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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MMBF4393LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C152291 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4) SMT扩展库 5+: ￥1.1274 50+: ￥0.9098 150+: ￥0.8165 500+: ￥0.7001 3000+: ￥0.5805 6000+: ￥0.5494 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 10K+ 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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2SK208-GR(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2999170 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存7065) SMT扩展库 5+: ￥0.9173 50+: ￥0.7393 150+: ￥0.6503 500+: ￥0.5835 3000+: ￥0.4368 6000+: ￥0.41 现货最快4H发广东仓: 6465 江苏仓: 2150 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交61单已加购


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2SK880-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-70(SOT-323) FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17489141 领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存5018) SMT扩展库 5+: ￥1.1859 50+: ￥0.9423 150+: ￥0.8379 500+: ￥0.7076 3000+: ￥0.6496 现货最快4H发广东仓: 4990 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交16单已加购


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2SK209-BL(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 150mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C17194931 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取 1+: ￥2.05 10+: ￥1.63 30+: ￥1.45 100+: ￥1.23 500+: ￥1.13 1000+: ￥1.07 现货最快4H发广东仓: 3263 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交30单已加购


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MMBFJ175LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C133304 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3455) SMT扩展库 5+: ￥1.2804 50+: ￥1.0262 150+: ￥0.9173 500+: ￥0.7814 现货最快4H发广东仓: 2955 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交82单已加购


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MMBFJ112 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3L 描述: N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C258195 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3829) SMT扩展库 5+: ￥1.0483 50+: ￥0.847 150+: ￥0.7608 500+: ￥0.6532 3000+: ￥0.5368 6000+: ￥0.508 现货最快4H发广东仓: 2710 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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TF2123G-E5-AQ3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-723 描述: N沟道，类型: JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C127046 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存5) SMT扩展库 20+: ￥0.1428 200+: ￥0.1158 600+: ￥0.1008 2000+: ￥0.0918 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 5140 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 8000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交14单已加购

MMBFJ270 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: JFET，P沟道,30V,50mA FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 500mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C160435 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存4) SMT扩展库 5+: ￥1.8851 50+: ￥1.53 150+: ￥1.3779 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 420 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交66单已加购


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2SK208-Y(TE85L,F) 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: SC-59 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V 功率(Pd): 100mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C112988 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存3242) SMT扩展库 5+: ￥0.9795 50+: ￥0.7905 150+: ￥0.7095 500+: ￥0.6085 现货最快4H发广东仓: 2570 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交55单已加购


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2SK3666G-3-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C5310366 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 5+: ￥0.51 50+: ￥0.41 150+: ￥0.36 500+: ￥0.3225 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1400 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交25单已加购

2SK508G-K51-AE3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-23 描述: N沟道JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C171542 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存25) SMT扩展库 5+: ￥0.5977 50+: ￥0.4812 150+: ￥0.423 500+: ￥0.3793 3000+: ￥0.3404 6000+: ￥0.3229 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购

2SK3557-6-TB-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: SC-59-3 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。 FET类型: N沟道功率(Pd): 200mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C236112 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2815) SMT扩展库 5+: ￥2.0528 50+: ￥1.6404 150+: ￥1.4637 500+: ￥1.2432 现货最快4H发广东仓: 2790 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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MMBFJ309LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C58012 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1726) SMT扩展库 5+: ￥1.051 50+: ￥0.8368 150+: ￥0.745 500+: ￥0.6305 现货最快4H发广东仓: 1725 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交100单+ 已加购


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TF2123G-E3-AQ3-R 品牌: UTC(友顺) 封装: SOT-723 描述: N沟道，类型: JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C84891 详细: 数据手册领券最高减15 立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存80) SMT扩展库 20+: ￥0.0677 200+: ￥0.066 600+: ￥0.0648 2000+: ￥0.0636 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 4000 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 8000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交23单已加购

MMBF4391LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C153770 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2145) SMT扩展库 5+: ￥1.258 50+: ￥1.005 150+: ￥0.8965 500+: ￥0.7613 3000+: ￥0.6751 6000+: ￥0.6389 现货最快4H发广东仓: 2080 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交35单已加购


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JFE150DCKR 品牌: TI(德州仪器) 封装: SC-70 描述: JFE150 超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2940502 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存369) SMT扩展库 1+: ￥13.87 10+: ￥11.95 30+: ￥10.75 100+: ￥8.89 现货最快4H发广东仓: 349 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交24单已加购


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MMBF4392LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C259802 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1409) SMT扩展库 5+: ￥1.1811 50+: ￥0.9424 150+: ￥0.8401 500+: ￥0.7125 现货最快4H发广东仓: 810 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交80单已加购


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MMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C33416 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1728) SMT扩展库 5+: ￥1.1842 50+: ￥0.9465 150+: ￥0.8446 500+: ￥0.7174 3000+: ￥0.634 6000+: ￥0.6001 现货最快4H发广东仓: 1290 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交68单已加购


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BSR58 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: N沟道低频低噪声放大器 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 800mV@0.5nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 250mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C75909 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存2) SMT扩展库 5+: ￥1.002 50+: ￥0.7962 150+: ￥0.708 500+: ￥0.5979 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 2820 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交5单已加购


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SMMBFJ310LT1G 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。 FET类型: N沟道类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604703 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1807) SMT扩展库 5+: ￥1.9033 50+: ￥1.5123 150+: ￥1.3448 500+: ￥1.1357 现货最快4H发广东仓: 1780 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交8单已加购


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J109-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 2V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 625mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900941 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1880) SMT扩展库 1+: ￥2.4 10+: ￥1.94 30+: ￥1.75 100+: ￥1.51 500+: ￥1.27 1000+: ￥1.21 现货最快4H发广东仓: 1880 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交13单已加购


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2SK3557-7-TB-E 品牌: onsemi(安森美) 封装: CP-3 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。 FET类型: 1个N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 15V 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V 功率(Pd): 200mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C604972 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存0) SMT扩展库 5+: ￥1.8648 50+: ￥1.4837 150+: ￥1.3204 500+: ￥1.1166 现货最快4H发广东仓: 0 江苏仓: 1530 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交18单已加购


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MMBFJ176 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: P 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C232759 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存973) SMT扩展库 5+: ￥1.8649 50+: ￥1.4884 150+: ￥1.3271 500+: ￥1.1258 现货最快4H发广东仓: 945 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交15单已加购


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JFE2140DR 品牌: TI(德州仪器) 封装: SOIC-8 描述: JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET FET类型: 2个N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 1.5V@0.1uA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 输入电容(Ciss@Vds): 13pF@5V 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C2915160 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存31) SMT扩展库 1+: ￥24.58 10+: ￥21.27 30+: ￥19.31 现货最快4H发广东仓: 3 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2500个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交29单已加购


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J175-D26Z 品牌: onsemi(安森美) 封装: TO-92-3 描述: P沟道开关该器件设计用于低电平模拟开关、采样保持电路以及斩波器稳定放大器。采用工艺88设计。 FET类型: P沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V 功率(Pd): 350mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C900948 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1460) SMT扩展库 5+: ￥1.8423 50+: ￥1.4676 150+: ￥1.307 500+: ￥1.1067 现货最快4H发广东仓: 1460 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 2000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交12单已加购


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MMBF4117 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@1nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V 功率(Pd): 225mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C184057 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存31) SMT扩展库 5+: ￥1.6419 50+: ￥1.3333 150+: ￥1.201 500+: ￥1.0359 3000+: ￥0.889 6000+: ￥0.8449 广东仓: 0 江苏仓: 0 到货通知个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交57单已加购


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MMBFJ110 品牌: onsemi(安森美) 封装: SOT-23-3 描述: N 沟道开关此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 FET类型: N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID): 4V@10nA 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V 功率(Pd): 460mW 类目: 结型场效应管(JFET) 编号: C891685 详细: 数据手册领券 9元运费券立即领取嘉立创贴片惊喜价格(库存1069) SMT扩展库 5+: ￥1.8741 50+: ￥1.4973 150+: ￥1.3359 500+: ￥1.1344 现货最快4H发广东仓: 1040 江苏仓: 0 个个圆盘个个圆盘个个圆盘 3000个/圆盘总额: ￥0 已优惠0元！近期成交26单已加购


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