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结型场效应管(JFET)

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  • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
  • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • MMBFJ201
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 300mV@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
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    • 2SK508G-K51-AE3-R
    • 品牌: UTC(友顺)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 高频率放大器,适用于无线电话、AM调谐器和无线安装等应用。具有高前向传输导纳和低输入电容。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 输入电容(Ciss): 4.8pF@5V
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    • 2SK3557-7-TB-E
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: CP-3
    • 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 15V
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 32mA@5V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 5mA@15V
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    • 2SK3557-6-TB-E
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-59-3
    • 描述: 2SK3557 是一款 N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。
    • 耗散功率(Pd): 200mW
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    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 耗散功率(Pd): 100mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 1.2mA@10V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 2V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 25mA@15V
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    • J175-D26Z
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-92-3
    • 描述: P沟道开关 该器件设计用于低电平模拟开关、采样保持电路以及斩波器稳定放大器。 采用工艺88设计。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 3V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 125Ω
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    • J109-D26Z
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-92-3
    • 描述: 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 2V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V
    • 耗散功率(Pd): 625mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 12Ω
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    • FET类型: 2个N沟道
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@0.1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 输入电容(Ciss): 13pF@5V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 400mV@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 耗散功率(Pd): 100mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 1.2mA@10V
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    • MMBFJ112
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23-3L
    • 描述: N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 1V@1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 50Ω
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    • 封装:  SOT-23-3L
      描述: N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 800mV@0.5nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 耗散功率(Pd): 250mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 60Ω
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    • 近期成交14单
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    • MMBF4117
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级,具有卓越性能。源自 Process 53。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 600mV@1nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 30uA@10V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 14mA@10V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 1.5V@100nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 耗散功率(Pd): 150mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 14mA@10V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@1nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 4V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 50mA@15V
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    • 近期成交38单
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    • MMBFJ176
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 1V@10nA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 225mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 250Ω
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    • 2SK3666G-3-AE3-R
    • 品牌: UTC(友顺)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET,使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 耗散功率(Pd): 200mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 270Ω
    • 输入电容(Ciss): 4pF@10V
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    • 栅源截止电压(VGS(off)): 500mV@1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V
    • 耗散功率(Pd): 625mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 100Ω
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    • 单笔 满5000: 送120
    • 单笔 满10000: 送230
    • 单笔 满20000: 送345
    • 单笔 满50000: 送580
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    • MMBFJ111
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
    • 栅源截止电压(VGS(off)): 3V@1uA
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 导通电阻(RDS(on)): 30Ω
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