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结型场效应管(JFET)

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  • onsemi(安森美)
  • RENESAS(瑞萨)/IDT
  • TI(德州仪器)
  • TOSHIBA(东芝)

封装/规格

  • -
  • CPH-3
  • CPH-6
  • DFN(5x6)
  • DFN(8x8)
  • DFN-8(2x2)
  • DIP-16
  • DIP-8
  • MCPH-3
  • MCPH-5

FET类型

  • -
  • 2个N沟道
  • 4个N沟道
  • N沟道
  • P沟道

栅源击穿电压(V(BR)GSS)

  • -
  • 6.5V
  • 7V
  • 15V
  • 20V
  • 25V
  • 30V
  • 35V
  • 40V
  • 50V

栅源截止电压(VGS(off)@ID)

  • -
  • 200mV@100uA
  • 300mV@1uA
  • 300mV@0.1uA
  • 300mV@10nA
  • 300mV@100uA
  • 400mV@100nA
  • 500mV@10nA
  • 500mV@50uA
  • 500mV@1uA

饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)

  • -
  • 30uA@10V
  • 80uA@10V
  • 150uA@5V
  • 200uA@20V
  • 200uA@10V
  • 500uA@10V
  • 500uA@20V
  • 1mA@5V
  • 1.2mA@10V

漏源导通电阻(RDS(on))

  • -
  • 17mΩ
  • 10Ω
  • 12Ω
  • 18Ω
  • 25Ω

输入电容(Ciss@Vds)

  • -
  • 0.03pF@15V
  • 0.8pF@15V
  • 3pF@10V
  • 3.5pF@5V
  • 4pF@15V
  • 4pF@10V
  • 4.5pF@15V
  • 4.9pF@5V
  • 5pF@10V

功率(Pd)

  • -
  • 100mW
  • 150mW
  • 200mW
  • 225mW
  • 250mW
  • 300mW
  • 310mW
  • 330mW
  • 350mW

工作温度

  • -
  • -65℃~+175℃@(Ta)
  • -65℃~+200℃@(Tj)
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+135℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)

参考封装

  • SOT-23-3
  • TO-92-3
  • SOP-8/SOIC-8
  • DFN-8
  • TO-18-3
  • DFN-3
  • SOT-723
  • DIP-16
  • DIP-8
  • SOT-223-3

商品标签

  • 无铅

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

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322
  • 型号: MMBF4392LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):25mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):60Ω 功率(Pd):225mW N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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  • 近期成交:77单
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  • 型号: MMBFJ177LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):1.5mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):300Ω 功率(Pd):225mW P 沟道 JFET 晶体管 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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  • 近期成交:100单+
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  • 型号: MMBFJ201
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):200uA@20V 功率(Pd):350mW N 沟道通用放大器 此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
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  • 型号: MMBFJ270
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2mA@15V 功率(Pd):225mW P沟道开关 JFET,P沟道,30V,50mA
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  • 近期成交:75单
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  • 型号: MMBF4391LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):50mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω 功率(Pd):225mW N-Channel JFET Transistor
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  • 型号: MMBFJ310LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
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  • 型号: TF2123G-E3-AQ3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-723
  • 描述: N沟道,类型: JFET
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  • 近期成交:20单
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  • 型号: 2SK208-Y(TE85L,F)
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SC-59
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):50V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):1.2mA@10V 功率(Pd):100mW
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  • 近期成交:54单
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  • 型号: 2SK209-GR(TE85L,F)
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):50V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):14mA@10V 功率(Pd):150mW N沟道,10V,0.014A,150mW
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  • 近期成交:100单+
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  • 型号: MMBFJ112
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):35V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):5mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):50Ω 功率(Pd):350mW N 沟道开关 N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
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  • 型号: 2SK208-GR(TE85L,F)
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SC-59
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):50V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2.6mA@10V 功率(Pd):100mW
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  • 型号: BSR58
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):60Ω 功率(Pd):250mW N沟道低频低噪声放大器 N沟道
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  • 型号: MMBFJ175LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):125Ω 功率(Pd):225mW P 沟道 JFET 晶体管,30 V 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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  • 近期成交:22单
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  • 型号: MMBF4117
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30uA@10V 功率(Pd):225mW N 沟道开关 此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级,具有卓越性能。源自 Process 53。
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  • 型号: 2SK3666G-3-AE3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-23
  • 描述:
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  • 型号: MMBF4393LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):5mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):100Ω 功率(Pd):225mW N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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  • 近期成交:100单+
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  • 型号: J113
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor
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  • 1000个/袋
  • 近期成交:10单
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  • 型号: MMBFJ175LT3G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):125Ω 功率(Pd):225mW P 沟道 JFET 晶体管,30 V 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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  • 10000个/圆盘
  • 近期成交:19单
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  • 型号: MMBFJ176
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):250Ω 功率(Pd):225mW P 沟道开关 P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
  • 内地(含税价)
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  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:17单
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  • 型号: MMBFJ309LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。
  • 内地(含税价)
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  • 近期成交:62单
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  • 型号: MMBFJ111
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):35V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):20mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω 功率(Pd):350mW N 沟道开关 N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
  • 内地(含税价)
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  • 近期成交:23单
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  • 型号: 2SK508G-K51-AE3-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: N沟道JFET
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  • 近期成交:15单
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  • 型号: J176-D74Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:FET类型:P沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):250Ω 功率(Pd):350mW P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
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  • 2000个/盒
  • 近期成交:7单
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:40单
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:13单
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  • 型号: J109-D26Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):25V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):40mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):12Ω 功率(Pd):625mW N 沟道开关 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
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  • 近期成交:3单
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  • 型号: J113-D74Z
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: TO-92-3
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):35V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2mA@15V 漏源导通电阻(RDS(on)):100Ω 功率(Pd):625mW 2.0 mA, 35 V N-Channel JFET Chopper Transistor
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  • 2000个/盒
  • 近期成交:16单
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  • 型号: MMBFJ310LT3G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23(TO-236)
  • 描述:FET类型:N沟道 N 沟道 JFET 晶体管 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
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  • 近期成交:6单
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  • 型号: NSVJ3910SB3T1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: CPH-3
  • 描述:FET类型:N沟道 栅源击穿电压(V(BR)GSS):25V 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):20mA@5V 功率(Pd):400mW N 沟道 JFET,-25 V,20 至 40 mA,40 mS NSVJ3910SB3 是一款单 N 沟道结 FET,提供低噪声放大 (LNA),适合汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
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  • 型号: 2SK932-23-TB-E
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SC-59-3
  • 描述:FET类型:N沟道 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):10mA@5V 功率(Pd):200mW N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP 2SK932 是一款 N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。
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