结型场效应管(JFET)
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 300Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.5527
- ￥0.4354
- ￥0.375
- ￥0.3253
- ￥0.308
- ￥0.2962
- 广东仓
- 75K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 2mA@15V
描述JFET，P沟道,30V,50mA
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.5737
- ￥1.2374
- ￥1.0933
- ￥0.9135
- ￥0.7164
- ￥0.6683
- 广东仓
- 13K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交67单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0506
- ￥0.8177
- ￥0.718
- ￥0.5934
- ￥0.5161
- ￥0.4829
- 广东仓
- 19K+
- 江苏仓
- 2390
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交82单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 30Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1941
- ￥0.9391
- ￥0.8298
- ￥0.6935
- ￥0.5265
- ￥0.49
- 广东仓
- 7355
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交33单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.8295
- ￥1.4256
- ￥1.2525
- ￥1.0365
- ￥0.9403
- ￥0.8826
- 广东仓
- 2835
- 江苏仓
- 8950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交33单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 5mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8055
- ￥0.6471
- ￥0.5679
- ￥0.5085
- ￥0.3769
- ￥0.3531
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 8880
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- FET类型
- 2个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@0.1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 输入电容(Ciss)
- 13pF@5V
描述JFE2140 双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥28.39
- ￥24.26
- ￥21.8
- ￥19.32
- ￥18.17
- 广东仓
- 532
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1V@1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 35V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 50Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8317
- ￥0.6685
- ￥0.5869
- ￥0.5257
- ￥0.3883
- ￥0.3638
- 广东仓
- 8130
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 300mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 工作温度
- -55℃~+150℃@(Tj)
描述此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0355
- ￥0.8056
- ￥0.7072
- ￥0.5843
- ￥0.5162
- ￥0.4834
- 广东仓
- 4815
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1308
- ￥0.8783
- ￥0.77
- ￥0.6273
- ￥0.5672
- ￥0.5311
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 8640
1000个/袋
总额￥0
近期成交17单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 600mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 30uA@10V
描述此器件适用于低电流直流和音频应用。这些器件用作亚皮安级器件或任何高阻抗信号源的输入级，具有卓越性能。源自 Process 53。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.6499
- ￥1.3216
- ￥1.1808
- ￥1.0052
- ￥0.8619
- 广东仓
- 3570
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交70单
描述此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.8944
- ￥0.7172
- ￥0.6287
- ￥0.5622
- ￥0.4252
- ￥0.3986
- 广东仓
- 5285
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交67单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 2.6mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9276
- ￥0.7298
- ￥0.6308
- ￥0.5567
- ￥0.4109
- 广东仓
- 4545
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交53单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 漏源电流(Idss)
- 14mA@10V
描述N沟道,10V,0.014A,150mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.907
- ￥0.7054
- ￥0.619
- ￥0.5112
- 广东仓
- 2660
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0128
- ￥0.7851
- ￥0.6875
- ￥0.5657
- ￥0.5115
- ￥0.479
- 广东仓
- 2885
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交76单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1.5V@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2274
- ￥0.9502
- ￥0.8314
- ￥0.6832
- ￥0.6172
- 广东仓
- 3060
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 25V
- 耗散功率(Pd)
- 460mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 18Ω
描述N 沟道开关 此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.9855
- ￥1.5391
- ￥1.3477
- ￥1.109
- 广东仓
- 2610
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交20单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 400mV@100nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 漏源电流(Idss)
- 1.2mA@10V
描述通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0966
- ￥0.8638
- ￥0.764
- ￥0.6395
- 广东仓
- 2635
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交50单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 4V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 50mA@15V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.7861
- ￥0.6183
- ￥0.5344
- ￥0.4715
- ￥0.4062
- ￥0.381
- 广东仓
- 2270
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交47单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 2V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 25mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0835
- ￥0.8434
- ￥0.7405
- ￥0.6121
- ￥0.5393
- ￥0.505
- 广东仓
- 60
- 江苏仓
- 590
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交80单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 800mV@0.5nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 60Ω
描述N沟道低频低噪声放大器
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.2606
- ￥0.9772
- ￥0.8557
- ￥0.7042
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2995
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 3V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 125Ω
描述此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.4145
- ￥1.1575
- ￥1.0473
- ￥0.9099
- ￥0.7766
- ￥0.7399
- 广东仓
- 360
- 江苏仓
- 60
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交52单
- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 15V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 漏源电流(Idss)
- 32mA@5V
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.2844
- ￥1.7906
- ￥1.579
- ￥1.3149
- 广东仓
- 1650
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交36单
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述2SK3557 是一款 N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.2793
- ￥1.7787
- ￥1.5642
- ￥1.2435
- 广东仓
- 2040
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- FET类型
- 1个N沟道
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
- 输入电容(Ciss)
- 5pF@2V
描述UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.2144
- ￥0.1685
- ￥0.143
- ￥0.1277
- 广东仓
- 4860
8000个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 1V@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 250Ω
描述P 沟道开关 此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 88。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.4506
- ￥1.9565
- ￥1.7447
- ￥1.4805
- 广东仓
- 1375
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交23单
- FET类型
- 1个N沟道
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 输入电容(Ciss)
- 4.8pF@5V
- 工作温度
- -55℃~+150℃
描述高频率放大器，适用于无线电话、AM调谐器和无线安装等应用。具有高前向传输导纳和低输入电容。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.6357
- ￥0.5038
- ￥0.4378
- ￥0.3883
- ￥0.345
- ￥0.3252
- 广东仓
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交27单
- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 200mV@0.1uA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述2SK880是一款低噪声音频频率放大器用N沟道结型场效应管。具有高输入阻抗、低噪声和高栅漏击穿电压等特性。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9781
- ￥0.7765
- ￥0.6901
- ￥0.5823
- 广东仓
- 2215
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单