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智能功率模块(IPM)

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  • Powerex Inc.
  • ROHM(罗姆)

封装/规格

  • -
  • APMCA-A16
  • APMCA-B16
  • APMCD-B16
  • DIP
  • DIP-021
  • DIP-023
  • DIP-23
  • DIP-24
  • DIP-24HL

类型

  • FET
  • IGBT
  • MOSFET

输出电压

  • 20V
  • 100V
  • 500V
  • 600V
  • 1.2kV

输出电流

  • 2A
  • 5A
  • 20A
  • 25A
  • 70A

开关频率

  • 20kHz
  • 200kHz
  • 500kHz

绝缘电压

  • 1000Vrms
  • 1500Vrms
  • 1900Vrms
  • 2000Vrms
  • 2500Vrms
  • 4000Vrms
  • 5000Vrms

工作温度

  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+150℃

参考封装

  • DIP-24
  • SIP-29
  • DIP-36
  • SOP-8/SOIC-8

商品标签

  • 低损耗

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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  • 型号: SDM05M50DAS
  • 品牌: SILAN(士兰微)
  • 封装: SOP-23H
  • 描述:类型:MOSFET
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  • 型号: FSB50450B
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-5P-023
  • 描述:智能功率模块,500V,4A FSB50450BS 是一款先进的 Motion SPM 5 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和温度监控。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的开源 MOSFET 端子,可支持最广泛的控制算法。
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  • 型号: FNB34060T
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-27-RA
  • 描述:智能功率模块,600 V,40A FNB34060T 是一款 Motion SPM 3 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的负 IGBT 端子,可支持最广泛的控制算法。
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  • 型号: FSB50550AT
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: DIP-023
  • 描述:智能功率模块 (IPM),运动控制 FSB50550AT 是用于运动控制的先进电源模块,基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550AT 包含六个 FRFET MOSFET、三个具有温度感应功能的半桥门极驱动器 HVIC,以及三个采用紧凑型封装、完全隔离并针对热性能进行优化的自举二极管。FSB50550AT 优化了开关速度,降低了寄生电感,因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。由于 FSB50550AT 采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,具有更强的坚固性和更大的安全运行区域 (SOA)。FSB50550AT 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。
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  • 型号: FDMF6820A
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40(6x6)
  • 描述:超小型、高性能、高频率 DrMOS 模块 该 XS DrMOS 系列是安森美半导体的下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF6820A 采用热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装,集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该全开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6820A 还结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6820A 还提供一个 3 态 3.3V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。
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  • 型号: HT4145ARZ
  • 品牌: HTCSEMI(海天芯)
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 低功耗接地故障断路器
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  • 型号: FDMF3030
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40(6x6)
  • 描述:FDMF3030 — 超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块 该 DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF3030 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。FDMF3030 使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会指出潜在的超温情况。FDMF3030 还结合了零交叉检测(ZCD_EN# 引脚),提高了轻型负载能效,提供了 3 态 5V PWM 输入,用于兼容多种 PWM 控制器。
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  • 型号: FDMF5071
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-39
  • 描述:类型:MOSFET Smart Power Stage (SPS) Modules with Integrated Current and Temperature Monitors
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  • 型号: FDMF6823A
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40-EP(6x6)
  • 描述:超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块 该 XS DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF6823A 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6823A 结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6823A 还提供了一个 3 态 5V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。
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  • 型号: NFCS1060L3TT
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SIP-35(56x25.8)
  • 描述:Intelligent Power Module (IPM), PFC Combo, 600V, 10A
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