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智能功率模块(IPM)

”共 441件相关商品

品牌/产地

  • AOS
  • EPC
  • HARRIS(哈利斯)
  • HTCSEMI(海天芯)
  • Infineon(英飞凌)
  • MICROCHIP(美国微芯)
  • onsemi(安森美)
  • Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
  • Powerex Inc.
  • ROHM(罗姆)

封装/规格

  • -
  • APMCA-A16
  • APMCA-B16
  • APMCD-B16
  • DIP-021
  • DIP-023
  • DIP-23
  • DIP-25
  • DIP-26
  • DIP-27H

类型

  • IGBT
  • MOSFET

输出电压

~
  • 20V
  • 100V
  • 500V
  • 600V
  • 1.2kV

输出电流

~
  • 2A
  • 5A
  • 20A
  • 25A
  • 70A

开关频率

~
  • 20kHz
  • 200kHz
  • 500kHz

绝缘电压

~
  • 1500Vrms
  • 2500Vrms

工作温度

~
  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+150℃

参考封装

  • SIP-29
  • QFN-27
  • DFN-10
  • QFN-36
  • SOP-8/SOIC-8

商品标签

  • 低损耗

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带
  • 袋装

嘉立创SMT

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筛选结果: 441

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符合条件商品:共 441
  • 型号: SDM05M50DAS
  • 品牌: SILAN(士兰微)
  • 封装: SOP-23H
  • 描述:类型:MOSFET 输出电压:500V 输出电流:5A 绝缘电压:1500Vrms
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  • 型号: FSB50450B
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-5P-023
  • 描述:智能功率模块,500V,4A FSB50450BS 是一款先进的 Motion SPM 5 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和温度监控。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的开源 MOSFET 端子,可支持最广泛的控制算法。
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  • 型号: FNB34060T
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-27-RA
  • 描述:智能功率模块,600 V,40A FNB34060T 是一款 Motion SPM 3 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的负 IGBT 端子,可支持最广泛的控制算法。
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  • 型号: FSB50550AT
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: DIP-023
  • 描述:智能功率模块 (IPM),运动控制 FSB50550AT 是用于运动控制的先进电源模块,基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550AT 包含六个 FRFET MOSFET、三个具有温度感应功能的半桥门极驱动器 HVIC,以及三个采用紧凑型封装、完全隔离并针对热性能进行优化的自举二极管。FSB50550AT 优化了开关速度,降低了寄生电感,因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。由于 FSB50550AT 采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,具有更强的坚固性和更大的安全运行区域 (SOA)。FSB50550AT 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。
  • 编号:C897900
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  • 编号:C3615394
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  • 型号: FNA22512A
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-CA-A34
  • 描述:类型:IGBT 输出电压:1.2kV 输出电流:25A 开关频率:20kHz 绝缘电压:2500Vrms 工作温度:-40℃~+150℃
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  • 编号:C3615194
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  • 编号:C3615257
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  • 型号: FDMF6820A
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40(6x6)
  • 描述:超小型、高性能、高频率 DrMOS 模块 该 XS DrMOS 系列是安森美半导体的下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF6820A 采用热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装,集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该全开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6820A 还结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6820A 还提供一个 3 态 3.3V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。
  • 编号:C891019
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  • 型号: HT4145ARZ
  • 品牌: HTCSEMI(海天芯)
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 低功耗接地故障断路器
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  • 编号:C891001
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  • 型号: FDMF3030
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40(6x6)
  • 描述:FDMF3030 — 超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块 该 DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF3030 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。FDMF3030 使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会指出潜在的超温情况。FDMF3030 还结合了零交叉检测(ZCD_EN# 引脚),提高了轻型负载能效,提供了 3 态 5V PWM 输入,用于兼容多种 PWM 控制器。
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  • 型号: FDMF5071
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-39
  • 描述:Smart Power Stage (SPS) Modules with Integrated Current and Temperature Monitors The FDMF5071 is ON Semiconductor’s next generation Smart Power Stage (SPS) solution with fully optimized, ultra?compact, integrated MOSFETs with advanced driver IC current and temperature sensors, for high?current, high frequency, and synchronous buck DC?DC converters.
  • 编号:C891002
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  • 型号: FSB50550AS
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SPM-5Q-023
  • 描述:智能功率模块,500V,5A FSB50550AS 是一款先进的 Motion SPM 5 系列,基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550AS 在一个完全隔离的紧凑型封装内包含了六个 FRFET MOSFET、三个带温度感应的半桥门极驱动器 HVIC,以及三个自举二极管,可实现最佳热性能。FSB50550AS 优化了开关速度,降低了寄生电感,因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。因为 FSB50550AS 采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,坚固性高很多,安全运行区域 (SOA) 也更大。FSB50550AS 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。
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  • 编号:C3615253
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  • 编号:C512957
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  • 编号:C3615397
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  • 型号: FDMF6823A
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: PQFN-40-EP(6x6)
  • 描述:超小型,高性能,高频率 DrMOS 模块 该 XS DrMOS 系列是安森美半导体下一代、全优化、超紧凑型集成式 MOSFET 和驱动器功率级方案,用于高电流、高频率、同步降压、DC-DC 应用。FDMF6823A 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6823A 结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6823A 还提供了一个 3 态 5V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。
  • 编号:C891024
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