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达林顿晶体管阵列

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品牌/产地

  • ALLEGRO(美国埃戈罗)
  • BL(上海贝岭)
  • BORN(伯恩半导体)
  • CJ(江苏长电/长晶)
  • Corebai(芯佰微)
  • DIODES(美台)
  • Gcore(扬州国芯)
  • GN(旌芯半导体)
  • HGC(深圳汉芯)
  • HGSEMI(华冠)

封装/规格

  • CDIP-18
  • DIP-14
  • DIP-16
  • DIP-18
  • DIP-8
  • ESSOP-10-EP-150mil
  • FLP-16
  • FLP-20
  • MSOP-10-0.5
  • PDIP-16

开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)

~
  • -
  • 1.8V@1.5V,350mA
  • 2.1V@2V,300mA
  • 2.5V@2V,100mA
  • 2.5V
  • 2.6V@2V
  • 3V@2V,300mA
  • 3.4V@2V,300mA
  • 8V@2V,350mA
  • 8V@2V,300mA

集电极电流(Ic)

~
  • -
  • 350mA
  • 500mA

集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)

~
  • -
  • 850mV@250uA,100mA
  • 900mV@250uA
  • 900mV@100mA
  • 900mV
  • 1.1V@500uA,350mA
  • 1.2V@500uA,350mA
  • 1.25V@350mA
  • 1.3V@500mA
  • 1.3V@500uA,350mA

输出漏电流(Icex@Vce)

~
  • -
  • 1uA@50V
  • 20uA@50V
  • 20uA
  • 50uA@50V
  • 50uA@40V
  • 50uA@18V
  • 100uA@40V
  • 100uA@50V
  • 200uA

开态输入电流(Ii@Vi)

~
  • -
  • 100uA@2.5V
  • 310uA@3.85V
  • 400uA@2.4V
  • 820uA@17V
  • 930uA@3.85V
  • 1mA@12V
  • 1.2mA@3.85V
  • 1.25mA@12V
  • 1.35mA@3.85V

关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic)

~
  • -
  • 1uA
  • 63uA
  • 65uA
  • 65uA@500uA
  • 65uA@50V,500uA
  • 100uA@500mA
  • 100uA@2V,350mA
  • 100uA@500uA
  • 100uA@350uA

嵌位二极管漏电流(IR@VR)

~
  • -
  • 1uA@50V
  • 5uA@50V
  • 50uA@50V
  • 50uA@40V
  • 100uA@18V
  • 100uA@50V

嵌位二极管正向压降(VF@IF)

~
  • -
  • 1.4V@350mA
  • 1.5V@350mA
  • 1.6V@350mA
  • 1.7V@350mA
  • 2V@350mA

输入电容(Ci)

~
  • -
  • 15pF
  • 25pF
  • 30pF

工作温度

~
  • -
  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+70℃
  • -30℃~+75℃
  • -30℃~+105℃
  • -20℃~+70℃
  • -20℃~+85℃
  • 0℃~+70℃

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带

参考封装

  • DIP-16
  • SOP-16/SOIC-16
  • DIP-18
  • SOP-8/SOIC-8
  • SOT-23-6
  • DIP-14
  • DIP-8
  • QFN-20
  • SOT-563/SOT-666

嘉立创SMT

  • smt扩展库
  • 尚未支持
  • smt基础库
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符合条件商品:共 253
  • 型号: ULN2003ADR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):13V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):500uA@50V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@50V,500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA 输入电容(Ci):25pF ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2003A
  • 品牌: Mixic(中科芯亿达)
  • 封装: SOP-16-150mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.25V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):100uA@40V 开态输入电流(Ii@Vi):4mA@12V 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.6V@350mA 输入电容(Ci):25pF 40V版本 1、输出 500mA电流;2、40V可用于驱动继电器。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动。
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  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2003A
  • 品牌: UMW(广东友台半导体)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):900mV 输出漏电流(Icex@Vce):20uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):100uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):5uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.7V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2003D1013TR
  • 品牌: ST(意法半导体)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述: 达林顿驱动器,7通道(7-ch),输出电压:50V
  • 内地(含税价)
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  • 2500片/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2803A
  • 品牌: Mixic(中科芯亿达)
  • 封装: SOIC-18-300mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.25V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):100uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):4mA@12V 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.6V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃ 1、500mA集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动; 5、静电能力:2000V(HBM)
  • 内地(含税价)
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  • 1500个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2003AIDR
  • 品牌: TI(德州仪器)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述: ULN2003AI 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:84单
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  • 型号: ULN2803G-S18-R
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: SOIC-18-300mil
  • 描述: 8个达林顿阵列
  • 内地(含税价)
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  • 1000个/圆盘
  • 近期成交:79单
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  • 型号: ULN2803A
  • 品牌: Mixic(中科芯亿达)
  • 封装: QFN-20-EP(4x4)
  • 描述: 1、500mA集电极输出电流(单路); 2、超小型封装;3、耐高压(50V); 4、输入兼容 TTL/CMOS逻辑信号; 5、广泛应用于继电器驱动; 6、静电能力:2000V(HBM)
  • 内地(含税价)
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  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:63单
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2803
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@40V 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):100uA@2V,350mA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@40V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.5V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:0℃~+70℃
  • 内地(含税价)
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2003
  • 品牌: IDCHIP(英锐芯)
  • 封装: SOIC-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.2V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@50V,500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.7V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-20℃~+85℃
  • 编号:C688859
  • 数据手册
  • 8 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯8
    • 第二阶梯8
    • 第三阶梯8
    • 第四阶梯8
    • 第五阶梯8
    • 第六阶梯8
  • 嘉立创SMT补贴
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2003ACM/TR
  • 品牌: HGSEMI(华冠)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:集电极电流(Ic):500mA 输入电容(Ci):30pF
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:16单
  • 总额:¥0
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  • 型号: TBD62083AFWG(Z,EHZ
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):2.5V@2V,100mA 集电极电流(Ic):500mA 开态输入电流(Ii@Vi):100uA@2.5V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):1uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):1uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA 输入电容(Ci):15pF 新产品,ULN2803升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
  • 内地(含税价)
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  • 1000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 型号: ULN2001D
  • 品牌: LANKE(兰科)
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 三路达林顿管 大电流 继电器驱动 显示屏驱动 高耐压50V
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  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
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  • 型号: TBD62003AFWG
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SOP-16
  • 描述: 新产品,ULN2003AFWG升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
  • 内地(含税价)
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:69单
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2003AM/TR
  • 品牌: HGSEMI(华冠)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):900mV@100mA 输出漏电流(Icex@Vce):20uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):100uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):5uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.7V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃ 七路高增益达林顿阵列
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:30单
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2803
  • 品牌: BL(上海贝岭)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.2V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@50V,500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.7V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-30℃~+105℃
  • 编号:C2690548
  • 数据手册
  • 返20%

    购买数量进行返采购晶:

    • 第一至八阶梯:返20%

    当前购买现货商品,发货后预计返采购晶¥0

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  • 嘉立创SMT补贴
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  • 1500个/圆盘
  • 近期成交:100单+
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:45单
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2003A
  • 品牌: LANKE(兰科)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.25V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):100uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):4mA@12V 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.6V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃
  • 内地(含税价)
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  • 3000个/圆盘
  • 近期成交:89单
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2803
  • 品牌: Siproin(上海矽朋)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述: 8通道(8-ch)高耐压大电流达林顿阵列,达林顿晶体管阵列,达林顿驱动
  • 内地(含税价)
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
  • 已加购
  • 型号: ULN2001D
  • 品牌: Mixic(中科芯亿达)
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 1、新型三通道继电器驱动电路500mA集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V)
  • 内地(含税价)
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  • 圆盘
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  • 4000个/圆盘
  • 近期成交:100单+
  • 总额:¥0
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  • 型号: ULN2803G-D18-T
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: DIP-18
  • 描述: 达林顿驱动器,8通道(8-ch)
  • 内地(含税价)
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  • 20个/管
  • 近期成交:9单
  • 总额:¥0
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  • 已加购
  • 型号: ULN2803AG
  • 品牌: LANKE(兰科)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):2.1V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.25V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.4V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃ 八路 达林顿晶体管 高耐压 大电流 静电能力:8000V(HBM)
  • 编号:C2828556
  • 数据手册
  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
  • 嘉立创SMT补贴
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  • 2000个/圆盘
  • 近期成交:98单
  • 总额:¥0
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  • 25个/管
  • 近期成交:43单
  • 总额:¥0
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  • 3500个/圆盘
  • 近期成交:69单
  • 总额:¥0
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  • 已加购
  • 型号: ULN2003AU
  • 品牌: Slkor(萨科微)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.2V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@50V,500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):1.7V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃ 达林顿驱动器
  • 内地(含税价)
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  • 2500个/圆盘
  • 近期成交:14单
  • 总额:¥0
    已优惠0元!
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  • 型号: ULN2003L-D16-T
  • 品牌: UTC(友顺)
  • 封装: DIP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):2.6V@2V 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):900mV 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):400uA@2.4V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):65uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA 输入电容(Ci):15pF 工作温度:-40℃~+85℃ 达林顿驱动器,7通道(7-ch)
  • 内地(含税价)
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  • 25个/管
  • 近期成交:11单
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  • 型号: ULN2803ADM/TR
  • 品牌: HGSEMI(华冠)
  • 封装: SOP-18-300mil
  • 描述: 八 NPN 达林顿晶体管
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  • 型号: ULN2003
  • 品牌: MSKSEMI(美森科)
  • 封装: SOP-16
  • 描述:开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集电极电流(Ic):500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.6V@350mA 输出漏电流(Icex@Vce):100uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):1.35mA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):63uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):100uA@50V 嵌位二极管正向压降(VF@IF):2V@350mA 输入电容(Ci):30pF 工作温度:-40℃~+85℃ 单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含 7 个独立的达林顿管驱动单路,VIN(ON)输入电压:IOUT =300mA@1.9V-3.0V,VCE(SAT)输出低 电平电压:IOUT =100mA, IIN=250μA@0.8V-1.1V
  • 编号:C5252903
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  • 4000个/圆盘
  • 近期成交:9单
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  • 型号: TBD62083APG
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: DIP-18
  • 描述: 新产品,ULN2803APG(C5252)升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
  • 内地(含税价)
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