多芯片封装存储器
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描述1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)
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242个/托盘
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近期成交1单
描述XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。
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242个/托盘
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描述XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器，结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决方案，而LPDDR2 SDRAM则适用于需要大容量快速存储的应用场景。
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SMT扩展库
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242个/托盘
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描述该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。
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SMT扩展库
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描述Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。
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描述2Gb (256M x 8) NAND Flash + 1Gb (32M x 32) Low Power DDR2 SDRAM 组合在一个多芯片封装中，适用于便携式电子设备的数据存储，减少尺寸和功耗。
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242个/托盘
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描述SK hynix H26M41204HPR 是一款8GB eMMC5.1兼容的嵌入式NAND闪存，支持高速传输模式（HS400）。它集成了NAND闪存和MMC控制器，支持多种高级功能，如现场固件更新、健康报告、安全写保护等。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，控制器核心电压为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25℃至+85℃。
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160个/托盘
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SMT扩展库
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SMT扩展库
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2000个/托盘
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SMT扩展库
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260个/托盘
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1440个/袋
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描述该多芯片封装存储器结合了512Mb的HyperFlash和64Mb的HyperRAM，支持1.8V和3.0V的工作电压。具备高性能的HyperBus接口，支持双数据率(DDR)，最大时钟频率为166MHz。
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SMT扩展库
- ￥90.17
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338个/托盘
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242个/托盘
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SMT扩展库
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2500个/圆盘
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1260个/托盘
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SMT扩展库
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- ￥123.23
- ￥49.17
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